李博

作品数：33被引量：30H指数：3
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：SRAM二次谐波绝缘体上硅埋氧层背栅更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电气工程与自动化（中英文版）》《合肥工业大学学报（自然科学版）》《太赫兹科学与电子信息学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金新疆维吾尔自治区自然科学基金留学人员科技活动项目择优资助经费更多>>
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集成电路和功率器件抗辐射工艺加固技术研究综述
《原子能科学技术》2024年第S02期512-526,共15页李博 王磊 刘凡宇 陈思远 陆江 舒磊 
国家重点研发计划(2022YFB4401700);国家自然科学基金(U22B2043,62374184)。
随着我国空间装备的高速发展,尤其是深空探测器,微电子器件抗辐射性能得到广泛关注。抗辐射工艺加固是实现器件抗辐射性能提升的重要途径之一。本文围绕空间总剂量效应和单粒子效应,对近年来集成电路和功率器件辐射效应机理和工艺加固...
关键词：工艺加固 总剂量效应 单粒子效应 集成电路 功率器件 
0.18μm PDSOI MOSFET高温模型研究
《微电子学》2024年第4期542-546,共5页王成成 洪敏 蒲凯文 王芳 李博 朱慧平 刘凡宇 卜建辉 
集成电路与微系统全国重点实验室基金项目(2022-JCJQ-LB-049-3)。
针对目前业界主流伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型绝缘体上硅(Berkeley Short-Channel Insulated Gate Field Effect Transistor Model Silicon-On-Insulator,BSIMSOI)模型无法满足高温集成电路仿真需求的问题,开展了绝缘体上硅(Sil...
关键词：BSIMSOI PDSOI 亚阈值漏电 高温模型 
双埋氧绝缘体上硅SRAM铀离子单粒子效应研究
《现代应用物理》2024年第4期40-46,58,共8页王春林 高见头 刘凡宇 陈思远 王娟娟 王天琦 李博 倪涛 
国家自然科学基金资助项目(U2267210)。
随着集成电路技术的进步,提高电路的单粒子翻转(single event upset,SEU)阈值变得愈发困难。双埋氧层绝缘体上硅(double silicon-on-insulator,DSOI)技术为单粒子加固技术提供了新方法。利用哈尔滨工业大学空间地面模拟装置(space envir...
关键词：绝缘体上硅 双埋氧层绝缘体上硅 静态随机存储器 单粒子效应 单粒子翻转 
深空探测自主运行的一种可信性技术体系
《空间科学学报》2024年第2期228-240,共13页党炜 骆军委 郑作环 敖亮 李博 李鹏 熊盛阳 许鹏程 宋恒旭 胡剑桥 冯业为 
中国空间站工程应用与发展阶段空间应用系统总体专项(T014191);国家重点研发计划项目(2022YFF0610100);中国科学院战略性先导科技专项(XDA30000000);中国科学院关键技术人才项目(T103201);中国科学院可靠性保障中心种子基金项目(CRAC-ZZKT-KY-2022-03)共同资助。
未认知与不确定性是深空探测任务的基本特征.本文基于战略导向的体系化基础研究,建立了一种面向科学价值最大化的探测场景和以可靠性为核心技术基础的深空探测自主运行可信性技术体系.分析研究了深空探测场景下的可靠性概念;面向精确感...
关键词：深空探测 自主运行 可靠性 可信性 多物理场 复杂网络 
一种新型高抗辐照可配置SOI器件技术被引量：2
《原子能科学技术》2023年第12期2241-2253,共13页叶甜春 李博 刘凡宇 李多力 李彬鸿 陈思远 
国家重点研发计划(2022YFB4401700);国家自然科学基金(U22B2043,62374184)。
本文介绍了一种新型的高抗辐照可配置SOI(configurable-SOI,CSOI)器件技术。CSOI器件在制备完成后,可以通过改变配置层电压,实现对总剂量辐照引起的性能退化进行补偿、对单粒子引起寄生晶体管放大进行抑制,从而提升器件的抗辐照性能。基...
关键词：可配置SOI 抗辐照 总剂量效应 单粒子效应 
带隙基准电压源的抗SET设计
《微处理机》2023年第6期6-10,共5页翟馗斌 卢雪梅 郝宁 王涛 葛维维 李博 轩昂 杨孙伟 郭明齐 王赢玺 
鉴于带隙基准电路在芯片系统中作为关键电路被广泛应用,针对小工艺尺寸条件下单粒子瞬态效应SET对带隙基准电路造成的辐射影响,对带隙基准电压源的输出端进行电路级抗辐照加固,提出一种由比较器作为开关,并于输出端连接MOS管栅极进行充...
关键词：单粒子瞬态效应 带隙基准电路 电流补偿 电路级加固 
亚阈值电路单元延时波动统计建模方法
《微电子学》2023年第5期834-840,共7页许婷 闫珍珍 刘海南 李博 乔树山 韩郑生 卜建辉 
集成电路产业的不断发展以及行业对高能效的不断追求使得工艺尺寸不断缩小,越来越多的电路工作在亚阈值区,工艺参数波动导致电路延时呈现非高斯分布。统计静态时序分析作为先进工艺下用于分析时序的新手段,采用将工艺参数和延时用随机...
关键词：亚阈值 单元延时统计建模 波动性建模 分布拟合 主成分分析 人工神经网络 机器学习 
碳纳米管薄膜场效应晶体管低温电学特性
《现代应用物理》2023年第3期217-221,共5页张静 李梦达 朱慧平 王磊 彭松昂 陆芃 李晓静 王艳蓉 李博 闫江 
北京市教委基金委联合基金资助项目(KZ202210009014)。
基于网络状碳纳米管(carbon nanotube,CNT)薄膜制备了网络状碳纳米管薄膜场效应晶体管(carbon nanotube thin film field effect transistor,CNT-TFT),研究了温度为100~300 K时,CNT-TFT的电学特性,并对关键电学参数,如开态电流I_(on)、...
关键词：碳纳米管薄膜场效应晶体管 低温 电学特性 散射 界面俘获中心 
DSOI总剂量效应模型及背偏调控模型被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第6期549-556,共8页王海洋 郑齐文 崔江维 李小龙 李豫东 李博 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(12075313);新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目(2021D01E06);中科院西部之光资助项目(2018-XBQNXZ-B-003);中国科学院青年创新促进会资助项目(2020430,2018473)。
总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(DSOIMOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。由于背栅端口的存在,SOI器件存在新的总剂量效应加固途径,对于全耗尽SOI器件,利用正背栅耦合效应,可通过施加背...
关键词：双埋氧层绝缘体上硅 总剂量辐照 背偏调控 模型 
一种应用于单光子测距的去噪算法及电路被引量：2
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2022年第8期1051-1055,1065,共6页程帅 刘兴辉 赵宏亮 赵野 李博 赵发展 
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0105000)。
随着高级驾驶员辅助系统(advanced driver assistance systems, ADAS)中对高分辨率光检测和测距(light detection and ranging, LIDAR)技术的需求越来越高,文章提出一种应用于激光测距技术的去噪算法,该算法是一种完整的数字信号处理方...
关键词：去噪算法 单光子计数 激光测距 
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