云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- PDSOI

PDSOI: 作品数：44被引量：31H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：韩郑生海潮和毕津顺赵发展刘刚更多>>; 相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院中国科学院大学中国电子科技集团第五十八研究所更多>>; 相关期刊：《原子能科学技术》《微电子学》《半导体技术》《科学技术与工程》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国航空科学基金新疆维吾尔自治区自然科学基金更多>>

0.18μm PDSOI MOSFET高温模型研究: 《微电子学》2024年第4期542-546,共5页王成成洪敏蒲凯文王芳李博朱慧平刘凡宇卜建辉; 集成电路与微系统全国重点实验室基金项目(2022-JCJQ-LB-049-3)。; 针对目前业界主流伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型绝缘体上硅(Berkeley Short-Channel Insulated Gate Field Effect Transistor Model Silicon-On-Insulator,BSIMSOI)模型无法满足高温集成电路仿真需求的问题,开展了绝缘体上硅(Sil...; 关键词：BSIMSOI PDSOI 亚阈值漏电高温模型

H型栅NMOS器件Kink效应的研究: 《电子元件与材料》2024年第1期55-60,共6页徐大为彭宏伟秦鹏啸王青松董海南; H型栅NMOS器件因其强抗辐照和低功耗等优势已逐渐成为PDSOI电路设计中的核心器件。但H型栅NMOS器件的Ids-Vds曲线会在漏极电压较高时发生明显的翘曲现象,称为Kink效应。该效应严重影响一定工作条件下的电路性能和稳定性。为此,依据实测...; 关键词：H型栅NMOS KINK效应 PDSOI 总剂量辐照 TCAD

背栅偏置对不同沟道长度PDSOI晶体管总剂量损伤规律及机理研究被引量：1: 《核技术》2022年第5期49-54,共6页王海洋郑齐文崔江维李豫东郭旗; 新疆维吾尔自治区自然科学基金项目(No.2021D01E06);国家自然科学基金(No.12075313);中国科学院青年创新促进会(No.2020430、No.2018473)资助。; 为研究辐照过程中施加背栅偏置对不同沟道长度部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Partily Depleted Silicon-On-Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors,PD SOI MOSFETs)电参数影响规律,及对隐埋...; 关键词：绝缘体上硅隐埋氧化层背栅调控总剂量辐照

对改性晶圆上制备的PDSOI NMOS器件热载流子效应的全面认识: 《原子能科学技术》2021年第12期2157-2167,共11页刘春媚杨旭朱慧龙胡志远毕大炜张正选; Supported by Jiangsu Enterprise Academician Workstation Project。; 通过与常规器件的对比,本文详细研究了在硅离子注入改性晶圆上制备的PDSOI NMOS的热载流子诱导退化现象。理论分析和TCAD模拟结果表明,硅离子注入在埋氧层中引入的电子陷阱能够捕获注入的电子,并通过改变电场来影响氧化层的热载流子退...; 关键词：热载流子效应总剂量效应辐射加固 PDSOI NMOS 改性器件

Trigger mechanism of PDSOI NMOS devices for ESD protection operating under elevated temperatures: 《Chinese Physics B》2021年第7期613-618,共6页Jia-Xin Wang Xiao-Jing Li Fa-Zhan Zhao Chuan-Bin Zeng Duo-Li Li Lin-Chun Gao Jiang-Jiang Li Bo Li Zheng-Sheng Han Jia-Jun Luo; the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61804168)。; Trigger characteristics of electrostatic discharge(ESD)protecting devices operating under various ambient temperatures ranging from 30℃to 195℃are investigated.The studied ESD protecting devices are the H-gate NMOS t...; 关键词：ESD trigger voltage TEMPERATURE GGNMOS GTNMOS TCAD

PDSOI NMOS器件激光模拟光电流效应: 《太赫兹科学与电子信息学报》2021年第2期352-355,共4页任尚清王博博蒋春生钟乐孙鹏解磊; 国家自然科学基金资助项目(619041164)。; 为获得N型金属氧化物半导体(NMOS)器件在γ射线辐照条件下的光电流特性,采用激光模拟技术,利用部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺NMOS器件进行激光照射试验,获得不同尺寸和拓扑结构器件在激光照射条件下光电流和激光入射能量之间的关系...; 关键词：N型金属氧化物半导体器件部分耗尽型绝缘体上硅激光模拟光电流

用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性被引量：1: 《半导体技术》2021年第3期210-215,共6页王加鑫李晓静赵发展曾传滨李博韩郑生罗家俊; 国家自然科学基金青年基金资助项目(61804168)。; 研究了基于0.18μm部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS器件的高温特性。借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该ESD防护器件在30~195℃内的ESD防护特性进行了测试。讨论了温度对ESD特征参数的影响,发现随着温度升高,该ES...; 关键词：静电放电(ESD) 绝缘体上硅(SOI) NMOSFET 高温传输线脉冲(TLP)

部分耗尽SOI MOSFET NBTI效应研究被引量：1: 《航空科学技术》2020年第1期76-80,共5页王成成周龙达蒲石王芳杨红曾传滨韩郑生罗家俊卜建辉; 航空科学基金(201743X2001)~~; NBTI效应严重影响了器件的高温可靠性,本文对基于1.2μm工艺的PDSOI器件进行了NBTI效应研究。通过加速应力试验得到了NBTI效应对PDSOI器件阈值电压漂移的影响,其主要影响因素有应力时间、温度和栅偏压。试验中通过Vg模型对PDSOI器件进行...; 关键词：负偏压温度不稳定性 PDSOI 快速测试方法阈值电压寿命预测可靠性

Influence of characteristics' measurement sequence on total ionizing dose effect in PDSOI nMOSFET: 《Chinese Physics B》2018年第12期551-558,共8页Xin Xie Da-Wei Bi Zhi-Yuan Hu Hui-Long Zhu Meng-Ying Zhang Zheng-Xuan Zhang Shi-Chang Zou; The influence of characteristics’ measurement sequence on total ionizing dose effect in partially-depleted SOI nMOSFET is comprehensively studied. We find that measuring the front-gate curves has no influence on tota...; 关键词：total ionizing dose(TID) silicon-on-insulator(SOI) measurement sequence tunneling effect

Enhanced radiation-induced narrow channel effects in 0.13-μm PDSOI nMOSFETs with shallow trench isolation: 《Chinese Physics B》2018年第2期619-624,共6页张梦映胡志远毕大炜戴丽华张正选; Project supported by the Weapon Equipment Pre-Research Foundation of China(Grant No.9140A11020114ZK34147);the Shanghai Municipal Natural Science Foundation,China(Grant No.15ZR1447100); Total ionizing dose responses of different transistor geometries after being irradiated by ^（60）Co γ-rays, in 0.13-μm partially-depleted silicon-on-insulator（PD SOI） technology are investigated. The negative thr...; 关键词：partiallydepleted silicon-on-insulator（PD SOI） totalionizingdose（TID） radiationinduced narrow channel effect（RINCE） drain induced barrier lowering（DIBL） effect

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