云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- NMOSFET

NMOSFET: 作品数：136被引量：120H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张鹤鸣胡辉勇郝跃刘卫东宋建军更多>>; 相关机构：西安电子科技大学中国科学院微电子研究所清华大学中国科学院大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划陕西省自然科学基金更多>>

90nm SOI nMOSFET自加热效应研究: 《半导体技术》2022年第5期369-372,380,共5页王娟娟李江江曾传滨李逸帆倪涛罗家俊赵发展; 国家自然科学基金资助项目(61804168)。; 应用超快脉冲I-V测试系统对不同宽长比的90 nm绝缘体上硅(SOI)nMOSFET的自加热效应展开研究,根据瞬态和稳态漏源电流-漏源电压(I_(ds)-V_(ds))特性的对比结果,分析器件受自加热影响的程度。测试结果显示,宽长比为10μm/0.09μm的器件在...; 关键词：绝缘体上硅(SOI) NMOSFET 自加热效应接触孔金属互连线

纳米MOS器件场氧化层和栅氧化层电离总剂量效应仿真被引量：1: 《现代应用物理》2022年第1期172-179,共8页任晨曹艳荣张龙涛吕航航马毛旦吕玲郑雪峰; 国家自然科学基金资助项目(11690042,U1866212,12035019,61727804,11690040),北京智芯微电子技术有限公司实验室开放基金,科学挑战计划资助项目(TZ2018004)。; 利用Silvaco TCAD软件,研究了电离总剂量(total ionizing dose,TID)效应对28 nm NMOSFET转移特性的影响。构建了28 nm NMOSFET 3维仿真模型,分3种情况探究了TID效应影响下,场氧化层和栅氧化层对NMOSFET的阈值电压、漏电流和跨导的影响...; 关键词：TCAD仿真 NMOSFET 总剂量效应氧化层

基于高温抗辐照SOI CMOS工艺的器件特性研究被引量：1: 《原子能科学技术》2021年第12期2151-2156,共6页张庆东吴建伟李金航宋帅纪旭明顾祥洪根深李冰; 绝缘体上硅(SOI)技术因其独特的优势而广泛应用于辐射和高温环境中,研究不同顶层硅膜厚度(t_(Si))的器件特性,对进一步提升高温抗辐照SOI CMOS器件的性能至关重要。本工作首先通过工艺级仿真构建了N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NM...; 关键词：SOI NMOSFET 高温辐射加固顶层硅厚度

0.20μm双埋氧SOI NMOSFET的自热效应: 《半导体技术》2021年第8期617-622,共6页王国庆张晋敏吴次南谢泉刘凡宇李博杨静琦; 国家自然科学基金资助项目(61264004);贵州省自然科学基金资助项目(黔科合基础[2018]1028);贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才[2015]4015);贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目(黔人项目资助合同[2018]09);贵州大学研究生重点课程(贵大研ZDKC[2015]026)。; 研究了一种新型双埋氧绝缘体上硅(DSOI)NMOSFET的自热效应(SHE)。通过实验测试并结合计算机数值模拟分析了SHE对DSOI NMOSFET输出特性的影响。仿真结果显示DSOI NMOSFET的背栅引出结构形成了额外的散热通道。重点研究了器件电压和环境...; 关键词：双埋氧绝缘层上硅(DSOI) 自热效应(SHE) 晶格温度退化电流背栅

用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性被引量：1: 《半导体技术》2021年第3期210-215,共6页王加鑫李晓静赵发展曾传滨李博韩郑生罗家俊; 国家自然科学基金青年基金资助项目(61804168)。; 研究了基于0.18μm部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS器件的高温特性。借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该ESD防护器件在30~195℃内的ESD防护特性进行了测试。讨论了温度对ESD特征参数的影响,发现随着温度升高,该ES...; 关键词：静电放电(ESD) 绝缘体上硅(SOI) NMOSFET 高温传输线脉冲(TLP)

28nm NMOSFET器件漏电的研究与优化: 《集成电路应用》2020年第5期31-33,共3页勾鹏王海涛周晓君刘巍田明; 上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500204)。; 随着MOSFET器件尺寸不断缩小,短沟道器件的漏电越来越严重,导致芯片的发热现象更严重,极大降低了芯片的可靠性。基于HLMC 28 nm低功耗逻辑平台,研究了轻掺杂漏(LDD)流程中离子注入工艺条件对NMOSFET器件漏电的影响及物理机制。实验结果...; 关键词：集成电路制造 NMOSFET 器件漏电 LDD离子注入

单轴应变硅UTBB NMOSFET电子能谷占有率解析模型: 《半导体技术》2020年第4期274-279,322,共7页王晓艳徐小波张林; 国家自然科学基金资助项目(61504011);陕西省自然科学基金资助项目(2018JM6067,2018JZ6004,2017JQ4025);中央高校基本科研业务费资助项目(300102328109)。; 超薄体和隐埋氧化层(UTBB)全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)(UTBB FDSOI简称为UTBB)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)沟道硅膜厚度小于体硅最大耗尽层宽度,基于传统三角形势阱近似的器件建模方法已不再适用,必须重新建立基于矩形势阱近似...; 关键词：超薄体和隐埋氧化层(UTBB) 有限势阱高度电子能谷占有率应变解析模型

超薄全耗尽SOI器件的总剂量效应研究被引量：3: 《集成电路应用》2019年第9期20-22,共3页李宁赵凯沈鸣杰; 上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1300303); 研究了基于超薄SOI(UTSOI)的MOSFET总剂量辐照效应。研究主要基于晶体管的三个工作状态(ON状态、OFF状态、TG状态)和不同的背栅偏置条件进行了总剂量辐照试验。试验结果表明,采用超薄SOI材料制造的MSOFET,由总剂量辐照导致阈值漂移现象...; 关键词：集成电路 SOI 全耗尽总剂量辐照 NMOSFET

高k金属栅NMOSFET器件阈值电压调控方法: 《微纳电子技术》2019年第1期13-19,25,共8页刘城王爱记刘自瑞刘建强毛海央; 实现对器件阈值电压的有效调控是高k金属栅(HKMG)技术面临的一项重要挑战。TiAl薄膜作为n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)的功函数层被广泛地应用于HKMG结构中以实现对器件阈值电压的调控。实验采用射频(RF)-直流(DC)磁控溅射...; 关键词：高k金属栅(HKMG) 功函数层磁控溅射 Ti/Al原子比率阈值电压 n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)

Influence of characteristics' measurement sequence on total ionizing dose effect in PDSOI nMOSFET: 《Chinese Physics B》2018年第12期551-558,共8页Xin Xie Da-Wei Bi Zhi-Yuan Hu Hui-Long Zhu Meng-Ying Zhang Zheng-Xuan Zhang Shi-Chang Zou; The influence of characteristics’ measurement sequence on total ionizing dose effect in partially-depleted SOI nMOSFET is comprehensively studied. We find that measuring the front-gate curves has no influence on tota...; 关键词：total ionizing dose(TID) silicon-on-insulator(SOI) measurement sequence tunneling effect

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