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SOI: 作品数：1254被引量：1668H指数：15; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：韩郑生张波余金中林成鲁王阳元更多>>; 相关机构：中国科学院电子科技大学中国科学院微电子研究所北京大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>

T型栅PMOS器件跨导双峰效应的研究: 《集成电路与嵌入式系统》2025年第3期54-58,共5页彭宏伟赵小寒陈祎纯陈睿凌王青松徐大为; T型栅PMOS器件因其强抗辐照能力、低寄生电容,逐渐成为RFSOI电路中必不可少的器件。而跨导是MOS器件中的一个关键参数,但T型栅PMOS器件的跨导会在栅极电压增大时出现双峰效应,影响电路研制的判断。本文首先结合实测数据和3D TCAD仿真结...; 关键词：T型栅PMOS 跨导双峰效应 SOI TCAD

[1,2]-Phospha-Brook Rearrangement-Initiated Palladium-Catalyzed Cyclization Reaction of Isocyanides and o-Bromobenzaldehydes:Access to 2H-Isoindole-1-carboxamides and 2H-Isoindole-1-carbonitriles: 《Chinese Journal of Chemistry》2025年第6期620-626,共7页Binbin Wang Qiushan Gao Huanfeng Jiang Wanqing Wu; financially supported by the National Natural Science Foundation of China(22071063);National Youth Talent Support Program,Guangdong Basic and Applied Basic Research Foundation(2021B1515020058 and 2024B1515040027);Guangzhou Science and Technology Projects(2024A04J6248).; Comprehensive Summary Herein,a[1,2]-phospha-Brook rearrangement-initiated palladium-catalyzed cyclization reaction for base-controlled selective synthesis of 2H-isoindole-1-carboxamide and 2H-isoindole-1-carbonitrile ...; 关键词：PALLADIUM-CATALYZED Cyclization[1 2]-Phospha-Brook rearrangement ISOCYANIDES Insertion Heterocycles

封装黏合材料对高温压力传感器性能影响研究: 《测试技术学报》2025年第1期27-32,95,共7页罗后明雷程李锐锐张姝赵佳龙肖楚译王旦旦; 国家重点研发计划资助项目(2023YFB3208500);中央引导地方科技发展资金项目(YDZJSX20231B006)。; SOI(Silicon-on-Insulator)高温压力传感器的封装结构是影响其在高温环境下稳定工作的重要因素,基于SOI基芯片分别采用无机高温胶、环氧树脂、玻璃浆料作为封装黏合材料,每种材料各制备3支高温压力传感器,经过300℃@100 h带电考核实验...; 关键词：SOI高温压力传感器封装黏合材料热膨胀系数

Lithium niobate electro-optical modulator based on ion-cut wafer scale heterogeneous bonding on patterned SOI wafers: 《Photonics Research》2025年第1期106-112,共7页ZHUOYUN LI YANG CHEN SHUXIAO WANG FAN XU QIANG XU JIANMIN ZHANG QIANNAN ZHU WENCHENG YUE XIN OU YAN CAI MINGBIN YU; China State Key Laboratory of Materials for Integrated Circuits(NKLJC-Z2023-A04);National Natural Science Foundation of China(62204250,61935003);National Key Research and Development Program of China(2021YFB2800303).; This paper presents the design,fabrication,and characterization of a high-performance heterogeneous silicon on insulator(SOI)/thin film lithium niobate(TFLN)electro-optical modulator based on wafer-scale direct bondin...; 关键词：MODULATOR SOI INTERFEROMETER

基于SOI认知理论的中学物理思维型教学探索: 《理科考试研究》2025年第1期11-14,共4页王神姣王长江黄李风黄宇轩; 安徽省2022年度高等学校省级质量工程项目教学研究重点项目“物理教师教育课程促进师范生专业素养发展的探索与实践”(项目编号:2022jyxm531).; 科学思维是物理学科核心素养的重要内容,如何在课堂教学中真正促进思维发展一直是物理教育领域关注的热点问题.本文在SOI认知理论和思维型课堂教学理论的指导下,以“互感与自感”教学设计为例,提升学生选择信息、组织信息、整合信息的效...; 关键词：SOI模式思维型教学互感自感

采用菱形辐条的高对称MEMS蜘蛛网状盘式谐振陀螺仪: 《微纳电子技术》2024年第11期91-97,共7页许杨王琮琛杨军营陈建霖王诗男; 微电子机械系统(MEMS)陀螺仪因抵抗制造误差能力差和品质因数低等问题限制了其在高端领域的应用。通过对MEMS陀螺仪的理论分析和有限元仿真,基于绝缘体上硅(SOI)工艺设计并制备出了一种由多个同心嵌套的蜘蛛网环和菱形辐条组成的新型MEM...; 关键词：微电子机械系统(MEMS) 陀螺仪绝缘衬底上硅(SOI) 蜘蛛网环菱形辐条

3D-SOI像素芯片逻辑层的设计与实现: 《核电子学与探测技术》2024年第5期791-798,共8页郑炜达周扬卢云鹏徐畅周佳章红宇董静董明义欧阳群; 国家自然科学基金资助,项目批准号11935019,11575220。; 环形正负电子对撞机(CEPC)实验对顶点探测器的空间分辨率提出了极为苛刻的要求。SOI像素传感器芯片CPV-4使用了3D堆叠技术来满足CEPC需要的高空间分辨率。本文主要研究在3DSOI技术下CPV-4的逻辑层电路设计与验证。逻辑层作为CPV-43D芯...; 关键词：CEPC 顶点探测器 3D-SOI 芯片测试

热老化对不同封装形式SOI基压阻式芯片的影响: 《微纳电子技术》2024年第10期170-176,共7页李培仪刘东雷程梁庭党伟刚罗后明; 国家重点研发计划(2023YFB3209100);中央引导地方科技发展资金项目(YD2JSX20231B006);山西省重点研发计划(202302030201001)。; 采用热老化的手段提高封装后芯片的输出稳定性及使用寿命,并对热老化温度与老化时间的匹配问题进行了研究。首先介绍了压阻传感器的老化机理,然后在不同温度下对同批次不同封装形式绝缘体上硅(SOI)基压阻芯片进行老化,并对芯片老化前后...; 关键词：传感器绝缘体上硅(SOI)基压阻芯片正装芯片倒装芯片老化

GDI增压汽油发动机机油稀释问题分析及优化: 《公路与汽运》2024年第4期6-10,共5页常雪嵩张兴法于鹏飞胡佳佳马京卫; 目前增压发动机汽车日益增多,缸内直喷(GDI)技术在增强汽车动力性的同时,发动机机油稀释问题增多。文中针对某2.0T增压汽油发动机在试验过程中出现的机油稀释问题,分析机油稀释的形成机制和影响因素,从发动机水温、喷油策略、燃油导轨...; 关键词：汽车增压汽油发动机机油稀释缸内直喷(GDI)技术喷油起始时刻(SOI)

SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究: 《半导体技术》2024年第8期758-766,共9页王永维黄柯月王芳温恒娟陈浪涛周锌赵永瑞; 绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化...; 关键词：辐射电荷总电离剂量(TID)辐射效应绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压导通电流

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