周锌

作品数：14被引量：11H指数：2
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SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究
《半导体技术》2024年第8期758-766,共9页王永维 黄柯月 王芳 温恒娟 陈浪涛 周锌 赵永瑞 
绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化...
关键词：辐射电荷 总电离剂量(TID)辐射效应 绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压 导通电流 
100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化
《通讯世界》2024年第7期1-3,共3页王永维 黄柯月 温恒娟 陈浪涛 周锌 
基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟...
关键词：SOI LDMOS 绝缘体上硅 功率器件 击穿电压 阈值电压 
辐射加固LDMOS器件的总剂量辐射效应
《现代应用物理》2023年第2期170-175,共6页谢儒彬 葛超洋 周锌 曹利超 陈浪涛 吴建伟 乔明 
微电子预先研究基金资助项目(31513040106)。
基于标准Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺研制的抗辐射电源管理芯片无法满足航天应用要求,抗辐射BCD工艺的发展严重制约了我国在航天领域核心器件的研制。与CMOS器件相比,LDMOS器件具有更高的工作电压和更多的介质结构,更易受到总剂量问题...
关键词：辐射加固 总剂量效应 浅槽隔离 0.18μm BCD LDMOS 
抗辐射高压集成电路技术现状与发展被引量：1
《微电子学与计算机》2022年第10期1-16,共16页周锌 陈浪涛 乔明 罗萍 李肇基 张波 
高压集成电路是电能转换和控制的核心芯片.在星链计划为代表的新一代航天技术推动下,航天装备朝着小型轻量化、动力电气化快速发展,对抗辐射高压集成电路提出极大需求.相比大规模数字电路,高压集成电路面临高场与辐射协同效应,对性能影...
关键词：高压集成电路 高压集成器件 总剂量效应 单粒子效应 抗辐射加固 
一种部分超结型薄层SOI LIGBT器件的研究
《电子与封装》2022年第9期74-79,共6页周淼 汤亮 何逸涛 陈辰 周锌 
国家自然科学基金(62004034);广东省自然科学基金(2022A1515012264)。
基于介质场增强(ENDIF)理论,提出了一种部分超结型薄硅层SOI横向绝缘栅双极型晶体管(PSJ SOI LIGBT)。分析了漂移区注入剂量和超结区域位置对器件耐压性能的影响,并在工艺流程中结合线性变掺杂技术和超结技术,使该器件实现了高垂直方向...
关键词：介质场增强理论 横向绝缘栅双极型晶体管 线性变掺杂技术 超结 击穿电压 比导通电阻 
高压SOI pLDMOS总剂量辐射致BV退化研究被引量：2
《微电子学》2022年第4期706-710,共5页黄柯月 吴中华 周淼 陈伟中 王钊 周锌 
国家自然科学基金资助项目(62004034)。
对高压SOI pLDMOS器件总剂量辐射效应进行了研究。分析了不同偏置条件下器件击穿电压的退化机理,并使用TCAD在不同氧化层界面引入固定陷阱电荷,仿真了电离辐射总剂量效应。结果表明,总剂量辐射在FOX和BOX引入辐射陷阱电荷Q_(BOX)和Q_(F...
关键词：总剂量辐射 SOI pLDMOS 击穿电压 辐射陷阱电荷 
具有表面超结的横向绝缘栅双极晶体管研究被引量：1
《微电子学》2022年第3期454-458,共5页周淼 倪晓东 何逸涛 陈辰 周锌 
国家自然科学基金资助项目(62004034);广东省自然科学基金资助项目(2022A1515012264)。
提出了一种基于体硅的表面超结横向绝缘栅双极晶体管(SSJ LIGBT)。分析了工艺参数注入剂量和注入能量对器件性能的影响,基于耐压需求的考虑,设计并优化了SSJ LIGBT器件及其终端。对该SSJ LIGBT进行了击穿特性、输出特性和转移特性的测...
关键词：横向绝缘栅双极型晶体管 表面超结 终端设计 耐压 比导通电阻 
SOI高压LDMOS单粒子烧毁效应机理及脉冲激光模拟研究被引量：3
《电子与封装》2021年第11期65-69,共5页师锐鑫 周锌 乔明 王卓 李燕妃 
广东省自然科学基金(2018A030310015)。
SOI (Silicon-On-Insulator)高压LDMOS (Lateral Double Diffusion Metal Oxide Semiconductor)作为高压集成电路的核心器件,广泛应用于模拟开关、栅驱动及电源管理电路中。通过TCAD仿真软件,开展SOI高压LDMOS器件的单粒子敏感点及器件...
关键词：单粒子烧毁效应 SOI高压LDMOS 脉冲激光 
高压SOI pLDMOS器件电离辐射总剂量效应研究被引量：2
《电子与封装》2020年第6期58-62,共5页马阔 乔明 周锌 王卓 
四川省科技计划资助项目(2019YFG0093)。
研究了总剂量辐射致使高压SOI pLDMOS器件电学性能的退化,报道了在300 krad(Si)辐射下,高压SOI pLDMOS器件耐压的退化以及阈值电压的负向漂移。通过仿真软件对器件的基础电学特性进行了仿真优化,并且对器件电学性能的退化进行了仿真探究...
关键词：总剂量辐射 SOI LDMOS 击穿电压 阈值电压 
一种具有多电极结构的高压SOI LDMOS器件
《微电子学》2017年第2期247-249,267,共4页黄勇 李阳 周锌 梁涛 乔明 张波 
国家自然科学基金资助项目(61376080)
针对传统高压功率器件的击穿电压与比导通电阻始终相互矛盾的问题,提出了一种具有多电极结构的高压SOI LDMOS器件。该结构在漂移区的上方引入多个电极,每个电极偏置在不同的电位,器件正常工作时的电子电流聚集于漂移区表面,提供了一个...
关键词：击穿电压 比导通电阻 多电极 
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