高压集成电路

作品数：71被引量：27H指数：3
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用于高压集成电路的延时电路设计方法
《中国集成电路》2024年第12期47-52,56,共7页王景军 
本文针对传统的延时电路不能确保低压区的输入信号能成功的传送到高压区,从而导致电路产生误动作,降低高压集成电路可靠性的缺点,提出了一种用于高压集成电路的延时电路设计方法,能够有效的解决上述问题,避免高压集成电路产生误动作,从...
关键词：延时 电路 高压 可靠性 
抗辐射高压集成电路技术现状与发展被引量：1
《微电子学与计算机》2022年第10期1-16,共16页周锌 陈浪涛 乔明 罗萍 李肇基 张波 
高压集成电路是电能转换和控制的核心芯片.在星链计划为代表的新一代航天技术推动下,航天装备朝着小型轻量化、动力电气化快速发展,对抗辐射高压集成电路提出极大需求.相比大规模数字电路,高压集成电路面临高场与辐射协同效应,对性能影...
关键词：高压集成电路 高压集成器件 总剂量效应 单粒子效应 抗辐射加固 
基于高压BCD工艺的内集成自举电路
《半导体技术》2022年第2期140-144,共5页冯宇翔 左安超 李斌 
设计了一款基于高压BCD工艺的内集成MOS自举电路,将其应用于高压集成电路(HVIC)。对传统的内集成MOS自举电路进行改进,该改进版内置MOS自举电路集成升压控制模块,实现在HVIC通电后屏蔽HVIC输入信号,并通过集成的升压电路将自举电容电压...
关键词：高压集成电路(HVIC) BCD工艺 MOS自举电路 二极管自举电路 低电压 
一种用于高压集成电路的基准电压源设计
《电子产品世界》2018年第10期39-42,共4页刘振国 
本文基于LDO的设计思想,设计了一款用于高压集成电路的LDO架构式的基准电路,使其具有宽输入范围的特性。同时,对于该基准电路,文中提出了两种补偿方式,通过增加前馈通路的补偿方式可以使得系统的带宽大大地拓展,从而减小基准电路的启动...
关键词：基准 宽输入 快启动 高压集成电路 上电复位 
Power Integrations推出输出规格可设定的开关电源IC
《电源世界》2018年第3期20-20,共1页
近日,致力于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司发布Inno Switch3-Pro系列可设定恒压/恒流及恒功率输出特性的离线反激式开关电源IC。新器件可提供65W的输出功率,并且在各种输入电压及负载条件下均可提供...
关键词：恒功率输出特性 POWER 电源IC 开关 电流阶跃 规格 高压集成电路 输入电压 
Power Integrations发布InnoSwitch3系列开关电源IC
《电源世界》2017年第9期20-20,共1页
9月13日，致力于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司发布Inno Switch^TM3系列恒压／恒流离线反激式开关电源IC。新器件在任何输入电压及负载条件下均可提供94％的高效性能，将电源损耗大幅降低25％，并且...
关键词：电源IC POWER 开关 高压集成电路 电源转换 Inno ns公司 负载条件 
一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计被引量：4
《太赫兹科学与电子信息学报》2016年第6期-,共5页王鹏 徐青 杭丽 付晓君 
在航天和核物理技术中对抗辐射高压功率电路的需求也越来越强烈。介绍了一种抗辐射高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器的设计,该电路基于0.5μm双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺研制,采用特殊的...
关键词：抗辐射加固 金属氧化物半导体场效应管驱动器 高压集成电路(IC) 双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体工艺 
高压集成电路工艺在等离子显示驱动中的应用分析
《消费电子》2014年第16期85-85,共1页戴文娟 
我们主要对高压集成电路工艺在等离子显示驱动中的应用进行具体的分析，讨论高压集成电路的工艺特性，对离子显示板中显示驱动的主要工作原理和内部结构进行研究，提出一种新型的BCD工艺，主要采用了新型的薄栅氧HV-nVDMOS和氧作厚栅HV-...
关键词：扫描驱动 等离子显示驱动 高压集成电路 应用 
一种高压集成电容结构的可靠性研究
《微电子学》2014年第1期115-117,126,共4页王坤 谭开洲 唐昭焕 殷万军 罗俊 黄磊 王斌 
针对一种下极板独立的700V高压集成电容,进行了瞬态可靠性研究。研究表明,随着电容下极板尺寸的增加,电容的瞬态可靠性下降。用器件仿真软件MEDICI计算得出,在瞬态电压上升沿为200ns的情况下,电容下极板最大可靠宽度为124μm;同时,还得...
关键词：高压集成电路 电容 可靠性 
半桥驱动用的高可靠性1200V高压集成电路(1200V HVIC)
《电力电子》2013年第1期13-15,共3页袁海斌 
本文提出了一种新的用于半桥应用的高可靠性1200V高压集成电路(1200VHVIC)。它适合于驱动工业级逆变器系统中的功率MOSFET/IGBT模块。该电路引脚配置和功能与之前的1200V HVIC相互兼容,且利用新的工艺和保护电路实现了高速降噪,并具有...
关键词：高压集成电路 模块 降噪 
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