抗辐射加固

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Buck-Boost转换器总剂量辐射效应分析与抗辐射加固设计方法
《北京航空航天大学学报》2025年第2期389-396,共8页郭仲杰 卢沪 刘楠 吴龙胜 
国家自然科学基金(62171367);陕西省重点研发计划(2021GY-060);陕西省创新能力支撑计划(2022TD-39);西安理工大学校企协同基金(252062109)。
DC-DC转换器在总剂量辐射环境下会带来输出电压漂移、线性调整率与负载调整率下降等影响,使得电路的输出稳定性能变差。针对传统基于工艺与版图的抗总剂量辐射效应加固方法会带来成本较高、版图面积过大及普适性较差等问题,提出一种实...
关键词：总剂量辐射效应 加固设计 Buck-Boost转换器 误差放大器 实时监测 
磷化铟基高电子迁移率晶体管辐照效应研究现状
《核技术》2025年第1期27-41,共15页方仁凤 周书星 曹文彧 魏彦锋 汪竞阳 李树森 颜家圣 梁桂杰 
国家自然科学基金(No.11705277);湖北文理学院研究生教育质量工程项目(No.YZ3202405);襄阳市科技计划项目(No.2022ABH006045)资助。
磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)凭借高频、高增益、低噪声等特性,广泛应用于卫星、载人航天、深空探测等空间通信系统中,但空间环境中的电子、质子、中子等高能粒子会影响InP基HEMT性能,降...
关键词：磷化铟 高电子迁移率晶体管 辐照效应 辐射诱导缺陷 抗辐射加固 
GaN HEMT功率器件及辐射效应研究进展
《微纳电子技术》2024年第12期16-27,共12页邱一武 王安晨 殷亚楠 周昕杰 
阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在电力电子和卫星通信领域的应用优势,并从材料生长、器件结构和性能提升的角度梳理了近年国内外的发展现状。针对GaN HEMT功率器件在复杂空间环境下面临的辐射损伤问题,重点归纳了γ射线辐射...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管(HEMT) 空间辐射效应 损伤机制 抗辐射加固 
美国抗辐射加固产业前沿技术专利发展动态
《中国科技信息》2024年第22期31-33,共3页王会静 陈晓菲 苏然 高安娜 
太空存在的射线是影响在轨航天器可靠性的主要因素之一,单粒子效应、位移损伤效应、总剂量效应等都会给航天器电子器件造成破坏。美国早在20世纪50年代末、60年代初即开展了电子器件和设备的抗辐射加固,并在政府推动下,持续投入大量的...
关键词：抗辐射加固 创新主体 研发经费 专利保护 总剂量效应 技术创新 单粒子效应 前沿技术 
两种面向宇航应用的高可靠性抗辐射加固技术静态随机存储器单元
《电子与信息学报》2024年第10期4072-4080,共9页闫爱斌 李坤 黄正峰 倪天明 徐辉 
国家自然科学基金(61974001)。
CMOS尺寸的大幅缩小引发电路可靠性问题。该文介绍了两种高可靠的基于设计的抗辐射加固(RHBD)10T和12T抗辐射加固技术(SRAM)单元,它们可以防护单节点翻转(SNU)和双节点翻转(DNU)。10T单元主要由两个交叉耦合的输入分离反相器组成,该单...
关键词：CMOS 静态随机存储器单元 抗辐射加固 单节点翻转 双节点翻转 
P沟道VDMOS器件抗辐射加固技术分析
《电子元器件与信息技术》2024年第8期15-17,共3页王斌 李孝权 肖添 
在辐射条件下,P沟道VDMOS器件中的电子在辐射过程中会发生辐射跃迁,生成活性粒子(如质子、中子等)。这些活性粒子会引起P沟道VDMOS器件的热效应与辐射损伤,从而影响器件的性能。热效应包含热膨胀、热应力等:辐射损伤包括辐射引起的电学...
关键词：功率器件 抗辐射加固 局部厚场氧化层 
商业宇航中的COTS元器件选用:优势、挑战与应对策略
《环境技术》2024年第7期207-213,共7页粟嘉伟 陶歆 余航 吴科汛 丁雪萍 韩星 
重庆市自然科学基金面上项目,项目编号:CSTB2022NSCQ-MSX1631。
近年来,商业宇航领域迅猛发展,COTS(Commercial Off-The-Shelf)元器件因其成本低、技术先进和市场供应充足,逐渐在该领域获得广泛应用。然而,由于空间环境的极端性和任务的高可靠性要求,COTS元器件面临着环境适应性、质量和可靠性以及...
关键词：商业宇航 COTS元器件 空间环境 抗辐射加固 元器件筛选 可靠性 
强辐射场机器人电机驱动器的设计
《辐射防护》2024年第S01期81-85,共5页陈志伟 韩毅 李国栋 池晓淼 孙岩松 杨明明 
电机是强辐射环境中作业机器人完成移动和各种操作必不可少的部件,为了使机器人具有更高的可靠性,以电机系统中的关键部分——电机驱动器为研究对象,开展了基于抗辐射加固的开发设计。通过商用成品(COTS)器件的耐辐射性能测试和筛选,基...
关键词：强辐射环境 机器人 电机驱动器 抗辐射加固 电子器件 
航天集成电路技术发展及思考
《集成电路与嵌入式系统》2024年第3期1-5,共5页赵元富 王亮 
航天集成电路技术是航天工程的核心基础技术,其长期持续发展是我国向航天强国迈进的关键。本文介绍了国际集成电路发展情况、航天集成电路发展趋势、美欧等国家航天集成电路发展思路,以及我国航天集成电路发展现状,阐述了对我国航天集...
关键词：航天集成电路 抗辐射加固 高可靠封装 
NLDMOS器件单粒子效应及Nbuffer加固被引量：2
《集成电路与嵌入式系统》2024年第3期13-18,共6页杨强 葛超洋 李燕妃 谢儒彬 洪根深 
提出了一种漂移区具有Nbuffer结构的N型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)结构,以提高器件抗单粒子烧毁(single-event burnout,SEB)能力。通过TCAD仿真验证了该结构的电学和抗单粒子特征。在不改变器件性能的前提下,18 V NLDMOS SEB触...
关键词：LDMOS 单粒子烧毁 Nbuffer 抗辐射加固 TCAD 
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