周昕杰

作品数：28被引量：21H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文主题：单粒子版图抗辐射EEPROM背栅更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术航空宇航科学技术更多>>
发文期刊：《中国集成电路》《东南大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》《强激光与粒子束》更多>>
所获基金：国家科技重大专项江苏省自然科学基金江苏省“333工程”培养资金资助项目更多>>
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电磁脉冲对半导体器件影响机制研究概述
《中国集成电路》2025年第3期43-49,共7页段鑫沛 朱云娇 殷亚楠 周昕杰 
空天集成电路与微系统工业和信息化部重点实验室2024年开放课题(W2431)。
电磁脉冲环境是复杂电磁兼容环境的重要组成部分,不论是战略军事领域还是重要基础设施建设,所包含的大量电子系统和集成电路设备均受到电磁脉冲的威胁。因此,开展电磁脉冲对半导体器件的影响机理及加固技术研究具有十分重要的战略意义...
关键词：电磁脉冲 半导体器件 高功率微波 电磁兼容 
共源共栅结构GaN HEMT器件高能质子辐射效应
《强激光与粒子束》2025年第2期122-129,共8页邱一武 董磊 殷亚楠 周昕杰 
抗辐照应用技术创新中心创新基金项目(KFZC2021010202)。
针对增强型共源共栅(Cascode)结构GaN HEMT器件,利用5 MeV、60 MeV和300 MeV质子进行注量为2×10^(12)~1×10^(14) cm^(-2)的辐照实验,研究高能质子辐照后器件电学性能的退化规律和损伤机制。实验发现,注量为2×10^(12) cm^(-2)的5 MeV...
关键词：增强型GaN HEMT器件 质子辐照 电学特性 低频噪声 SRIM仿真 
GaN HEMT功率器件及辐射效应研究进展
《微纳电子技术》2024年第12期16-27,共12页邱一武 王安晨 殷亚楠 周昕杰 
阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在电力电子和卫星通信领域的应用优势,并从材料生长、器件结构和性能提升的角度梳理了近年国内外的发展现状。针对GaN HEMT功率器件在复杂空间环境下面临的辐射损伤问题,重点归纳了γ射线辐射...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管(HEMT) 空间辐射效应 损伤机制 抗辐射加固 
增强型GaNHEMT器件5MeV质子辐照试验研究
《核技术》2024年第12期95-102,共8页邱一武 董磊 殷亚楠 周昕杰 
抗辐照应用技术创新中心创新基金(No.KFZC2021010202)资助。
氮化镓器件凭借优异的性能在抗辐照应用领域备受关注,为探究不同结构的氮化镓器件抗质子辐照能力,开展了对增强型Cascode级联结构和P-GaN栅结构GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)器件的5MeV质子辐照试验,...
关键词：增强型GaNHEMT器件 质子辐照 电学特性 低频噪声 损伤机制 
基于忆阻器混合CMOS的三模冗余锁存器
《中国集成电路》2024年第1期51-56,共6页段鑫沛 肖平旦 殷亚楠 周昕杰 刘兴强 
抗辐射应用技术创新中心创新基金(KFZC2021010202)。
忆阻器的出现为后摩尔时代提供了一个全新的方案以顺应更大的集成密度。为了研究其在数字电路中的应用,发挥潜在优势,本文首先介绍了忆阻器模型及比例逻辑构成的基本逻辑电路,随后提出了基于忆阻器混合CMOS的三模冗余D锁存器。所提出的...
关键词：忆阻器 CMOS 三模冗余 锁存器 
不同偏置下增强型AlGaN/GaN HEMT器件总剂量效应研究
《核技术》2023年第11期55-63,共9页邱一武 郭风岐 殷亚楠 张平威 周昕杰 
氮化镓功率器件凭借优异性能被抗辐照应用领域重点关注,为探究氮化镓功率器件抗γ射线辐照损伤能力,明确其辐射效应退化机制,针对增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)器件开展不同偏置(开态、...
关键词：增强型AlGaN/GaN HEMT器件 总剂量效应 偏置条件 电学性能 退火恢复 
抗单粒子辐射LVDS驱动器设计
《中国集成电路》2023年第10期46-51,共6页赵金翔 周昕杰 郭业才 马艺珂 颜元凯 
江苏省自然科学基金项目(No.BK20211040)。
为了减小单粒子效应对低电压差分信号(Low Voltage Differential Signal,LVDS)驱动器电路的影响,对LVDS内部模块电路进行单粒子脉冲仿真,找出电路中单粒子敏感节点,并进行单粒子加固设计。该电路基于0.18μm 1P5M CMOS工艺实现,传输速率...
关键词：低电压差分信号 单粒子瞬态扰动 辐射加固 辐射效应 
增强型AlGaN/GaN HEMT器件中子位移损伤效应研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2023年第4期359-365,374,共8页邱一武 马艺珂 张平威 殷亚楠 周昕杰 
采用能量为14 MeV的中子对增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件进行了最高注量为3×10^(14)n/cm^(2)的位移损伤辐照实验。实验结果表明:当中子注量不大于3×10^(14)n/cm^(2)时,器件转移特性曲线向左发生不同程度漂移,曲线斜率增大,...
关键词：增强型AlGaN/GaN HEMT 中子辐照 位移损伤 退火 
脉冲窄化型抗辐射静态存储器单元加固结构
《现代应用物理》2023年第2期182-186,共5页周昕杰 殷亚楠 郭刚 陈启明 
抗辐射应用技术创新中心基金资助项目(KFZC2019040305)。
为减小单粒子电荷共享效应对纳米量级静态存储器单元的影响,提出了一种基于双互锁冗余加固(dual interlocked storage cell, DICE)静态随机存储器(static random access memory, SRAM)单元的新型布局结构。该结构融入了脉冲窄化技术,并...
关键词：辐射效应 单粒子电荷共享效应 辐射加固 静态存储器单元 
一种高温度稳定性的GaN基准电压源设计被引量：1
《电子与封装》2023年第5期51-57,共7页张黎莉 邱一武 殷亚楠 王韬 周昕杰 
江苏省自然科学基金(BK20211040)。
基于宽带隙、高饱和电子漂移速率、高击穿场强等材料特性优势,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频大功率器件领域发展前景广阔。在集成电路中,基准电压源是为其他电路模块提供稳定参考电压的关键功能模块。基于0.5μm BCD GaN HEMT工艺...
关键词：GaN HEMT 基准电压源 温度稳定性 
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