质子辐照

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共源共栅结构GaN HEMT器件高能质子辐射效应
《强激光与粒子束》2025年第2期122-129,共8页邱一武 董磊 殷亚楠 周昕杰 
抗辐照应用技术创新中心创新基金项目(KFZC2021010202)。
针对增强型共源共栅(Cascode)结构GaN HEMT器件,利用5 MeV、60 MeV和300 MeV质子进行注量为2×10^(12)~1×10^(14) cm^(-2)的辐照实验,研究高能质子辐照后器件电学性能的退化规律和损伤机制。实验发现,注量为2×10^(12) cm^(-2)的5 MeV...
关键词：增强型GaN HEMT器件 质子辐照 电学特性 低频噪声 SRIM仿真 
电子和质子辐照^(100)Mo制备^(99)Mo/^(99)mTc对比实验
《同位素》2025年第1期30-38,共9页陈德胜 黄清钢 曹石巍 秦芝 
中国科学院“西部之光”项目(xbzglzb2022001)。
^(99)Mo/^(99)mTc是全球应用最广泛的医用显影核素,目前的供应依赖几座濒临退役的核反应堆。相比反应堆而言,加速器的建造、运行及维护成本更低,布局更灵活。因此,粒子加速器制备^(99)Mo/^(99)mTc已成为研究热点,其中利用电子加速器辐照...
关键词：质子 电子 加速器 蒙特卡罗模拟 ^(99)Mo/^(99)mTc 
增强型GaNHEMT器件5MeV质子辐照试验研究
《核技术》2024年第12期95-102,共8页邱一武 董磊 殷亚楠 周昕杰 
抗辐照应用技术创新中心创新基金(No.KFZC2021010202)资助。
氮化镓器件凭借优异的性能在抗辐照应用领域备受关注,为探究不同结构的氮化镓器件抗质子辐照能力,开展了对增强型Cascode级联结构和P-GaN栅结构GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)器件的5MeV质子辐照试验,...
关键词：增强型GaNHEMT器件 质子辐照 电学特性 低频噪声 损伤机制 
质子辐照诱发CCD片上放大器单管性能退化实验与仿真研究
《原子能科学技术》2024年第11期2412-2418,共7页晏石兴 王祖军 唐宁 吕玉冰 王小东 李传洲 蒋镕羽 
国家自然科学基金(U2167208,11875223);陕西省自然科学基础研究计划(2024JC-JCQN-10);全国重点实验室基金(NKLI-PR1803,NKLIPR2012,NKLIPR2113)。
辐照诱发电荷耦合器件(CCD)图像传感器性能退化与CCD片上放大器中的金属氧化物半导体(MOS)管性能退化密切相关。本文以国产CCD片上放大器中的MOS管为研究对象,开展了3种不同注量的质子辐照实验,测试了辐照前后性能参数的退化规律。采用S...
关键词：CCD 质子辐照 辐照注量 辐照损伤 退火测试 
质子辐照嬗变掺杂制备p型氧化镓的仿真研究
《原子能科学技术》2024年第11期2402-2411,共10页单梓扬 焦学胜 袁大庆 
国家自然科学基金(U2241279)。
超宽禁带半导体氧化镓是当前半导体领域研究的热点材料,但采用常规的掺杂工艺尚未在大块晶体上实现其p型掺杂,这阻碍了其应用。质子辐照嬗变掺杂是利用高能质子与靶材料核反应所产生的嬗变产物实现掺杂的方法。多种嬗变产物具有不同的...
关键词：氧化镓 P型掺杂 质子辐照 
不同能量质子辐照CMOS图像传感器的单粒子瞬态效应研究
《现代应用物理》2024年第3期112-119,共8页李钰 文林 郭旗 
中科院西部之光计划资助项目(2020-XBQNXZ-004)。
针对空间环境宽能谱质子辐射导致的CMOS图像传感器单粒子效应问题,开展了不同能量质子辐照试验,研究了质子辐照导致CMOS图像传感器单粒子效应的异常现象、图像特征及参数性能变化规律。试验表明,质子辐照主要导致CMOS图像传感器出现明...
关键词：质子辐照 空间环境 CMOS图像传感器 单粒子效应 瞬态效应 
质子辐照下CMOS图像传感器随机电报信号机理研究
《现代应用物理》2024年第4期20-24,58,共6页刘炳凯 李豫东 文林 冯婕 周东 郭旗 
新疆维吾尔自治区“天池英才”引进计划资助项目(2023000039);国家自然科学基金资助项目(12305324);新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目(2022D01B205,2022D01E91);新疆维吾尔自治区“天山英才培养”计划资助项目(2022TSYCLJ0042)。
针对星用CMOS图像传感器面临的质子辐照导致像素性能退化问题,基于中国原子能科学研究院100 MeV质子回旋加速器试验装置,开展质子辐照导致CMOS图像传感器随机电报信号研究。试验结果表明,CMOS图像传感器积累的位移损伤剂量为240 TeV·g^...
关键词：质子回旋加速器 CMOS图像传感器 质子辐照效应 随机电报信号 位移损伤 
GRID探测器的SiPM质子辐照研究
《现代应用物理》2024年第4期34-39,共6页王奇东 李琛 王迪 潘晓凡 郑煦韬 曾鸣 
“天格计划”得到清华大学校自主科研计划追光计划专项资助;清华-昆山学生创新创业人才培养合作协议的专项支持
使用100 MeV质子对SensL MicroFJ-60035-TSV SiPM进行地面辐照实验,得到了SiPM漏电流增长与质子注量的关系,漏电流增长率为每片SiPM 3.98×10^(-7)μA·cm^(-2),并与其他文章的地面辐照实验结果进行对比,验证了结果一致性;实验结果与GRI...
关键词：辐照损伤 硅光电倍增管 天格计划 漏电流 空间项目 
基于Geant4-DNA模拟质子辐照线虫DNA链损伤的生物效应研究
《中华放射医学与防护杂志》2024年第7期562-570,共9页季涛涛 李桃生 余威悦 徐照 
目的使用Geant4-DNA工具包计算质子致线虫生殖细胞的DNA损伤产额及相对生物效能(RBE)值,探究质子辐照线虫的生物效应。方法使用Geant4-DNA工具包中希尔伯特曲线构建直径为20μm的线虫生殖细胞DNA模型;模拟100、50、20、5和2 MeV的质子...
关键词：Geant4-DNA 线虫 质子 DNA双链断裂 相对生物效能 
中国散裂中子源伴生质子辐照实验平台及其技术参数的确定被引量：1
《现代应用物理》2024年第2期94-102,共9页谭志新 敬罕涛 樊瑞睿 黄良生 蒋伟 李强 何泳成 王林 于永积 宁常军 黄蔚玲 邱瑞阳 曾磊 孙晓阳 曹秀霞 马娜 李论 
国家重大科研仪器研制基金资助项目(52127817);广东省粤莞联合基金资助项目(2021B1515140007)。
为了利用负氢离子加速器中伴随产生的质子成分,中国散裂中子源(China Spallation Neutron Source,CSNS)在直线加速器末端建设了伴生质子辐照实验平台(associated protons experimental platform,APEP)。为了确定其性能参数,采用散射测...
关键词：中国散裂中子源 伴生质子束 负氢离子 能量刻度 参数测试 
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