P型掺杂

作品数：146被引量：418H指数：10
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p型MgZnOS透明导电薄膜及其p-n结型自驱动紫外光电探测器研究
《发光学报》2025年第3期373-382,共10页郭紫曼 汪洋 刘洋 张腾 陈剑 卢寅梅 何云斌 
国家自然科学基金(62274057,11975093,52202132);湖北省国际科技合作项目(2022EHB023);湖北省自然科学基金(2022CFB758)。
针对纯ZnO半导体的p型掺杂难题,提出采用阴(S^(2-))阳(Mg^(2+))离子复合取代、协同调控ZnO合金电子能带结构基础上,进行N受主掺杂的新思路,并采用脉冲激光沉积法成功制备了N掺杂p型透明导电MgZnOS薄膜。通过X射线衍射、透射光谱、霍尔...
关键词：脉冲激光沉积 P型掺杂 MgZnOS P-N结 
“氧化镓晶体与器件”专题——破局第四代半导体的创新实践
《人工晶体学报》2025年第2期I0004-I0005,I0002,I0003,共4页齐红基 贾志泰 张洪良 董鑫 程红娟 周弘 徐光伟 
氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为超宽禁带半导体材料的代表,凭借其超宽禁带(4.4~4.9 eV)、高临界击穿场强(8 MV/cm)及优异的Baliga优值(理论值达SiC的10倍、GaN的4倍),被视为突破传统半导体性能极限的关键材料。然而,其产业化进程长期受限于低...
关键词：宽禁带半导体材料 氧化镓 P型掺杂 半导体 国家重点研发计划 创新实践 协同创新 技术壁垒 
质子辐照嬗变掺杂制备p型氧化镓的仿真研究
《原子能科学技术》2024年第11期2402-2411,共10页单梓扬 焦学胜 袁大庆 
国家自然科学基金(U2241279)。
超宽禁带半导体氧化镓是当前半导体领域研究的热点材料,但采用常规的掺杂工艺尚未在大块晶体上实现其p型掺杂,这阻碍了其应用。质子辐照嬗变掺杂是利用高能质子与靶材料核反应所产生的嬗变产物实现掺杂的方法。多种嬗变产物具有不同的...
关键词：氧化镓 P型掺杂 质子辐照 
1.55μm高功率单横模半导体激光器的研制
《发光学报》2024年第7期1189-1195,共7页薛正群 池炳坤 陈玉萍 
福建省科技计划(2021H4016);泉州市科技计划(2021G13);福建省雏鹰计划青年拔尖人才项目(2022173)。
1.55μm高功率半导体激光器广泛应用于长距离主干网光网络、无人驾驶等领域,在应用系统中更高的激光出光功率有利于提升系统的工作距离和接收端的信噪比;随着光电子集成和共封装光学的快速发展,其高光电集成密度要求激光器具备低功耗等...
关键词：1.55μm InP/InGaAsP 高功率激光器 P型掺杂 锥形波导 
锂氮掺杂氧化锌第一性原理分析
《福光技术》2024年第1期65-72,共8页向阳 汤昊 朱子豪 庞博 周庭均 詹华瀚 周勇亮 
采用第一性原理计算分析ZnO在Li掺杂、N掺杂和Li-N共掺杂等情况下的形成、能带结构、总态密度和分波态密度。结果表明Li和N的掺杂均能引入浅受主能级,实现ZnO的p型转变。Li-N共掺在带隙中引入一条深能级对实现ZnO的p型掺杂促进作用不大...
关键词：ZNO P型掺杂 晶体结构 第一性原理 
β-Ga_(2)O_(3)的p型掺杂研究进展被引量：2
《发光学报》2024年第4期557-567,共11页何俊洁 矫淑杰 聂伊尹 高世勇 王东博 王金忠 
国家自然科学基金(62174042);国家重点研发项目(2019YFA0705201)。
β-Ga_(2)O_(3)具有超宽禁带宽度、高击穿场强、较高的巴利加优值等优点使其成为一种新兴半导体材料,在高功率电子器件、气体传感器、日盲紫外探测器等方面有着极大的应用潜力,但p型掺杂难的问题成为了β-Ga_(2)O_(3)发展的巨大障碍。...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) 本征缺陷 P型掺杂 宽禁带半导体 半导体 
石墨烯及其化学掺杂综述
《现代物理》2023年第1期8-16,共9页黄绍书 
本文根据相关文献,对石墨烯及其化学掺杂予以综述。简介了石墨烯的发展状况、石墨烯在布里渊区的能带结构、石墨烯半导体的奇异零带隙特性和紧束缚条件下的Hamilton方程;着重介绍了替代掺杂和吸附掺杂中的n型掺杂、p型掺杂的一些具体方...
关键词：化学掺杂 HAMILTON方程 石墨烯 布里渊区 载流子浓度 能带结构 P型掺杂 能量色散 
AlGaN紫外探测器及其焦平面阵列技术研究进展被引量：1
《半导体光电》2022年第3期430-437,共8页王颖 王振 
AlGaN紫外探测器及其焦平面阵列具有本征可见光盲特性,并可实现无需滤光片的日盲探测,且为全固态器件,是紫外探测技术的一个重要发展方向。文章介绍了AlGaN紫外探测器与焦平面阵列的研究现状及其存在的问题。在此基础上,分析了AlGaN雪...
关键词：ALGAN 日盲紫外 焦平面阵列 外延生长 P型掺杂 
GaN基近紫外激光器研究现状与进展被引量：1
《半导体光电》2022年第3期451-460,共10页李亚钦 刘建平 田爱琴 李方直 胡磊 李德尧 杨辉 
国家重点研发计划项目(2017YFE0131500);广东省重点研发计划项目(2020B090922001);国家自然科学基金项目(61834008);江苏省重点研发计划项目(BE2020004,BE2021008-1);广东省基础与应用基础研究基金项目(2019B1515120091)。
氮化镓(GaN)基近紫外激光器(UVA LD,320~400 nm)在紫外固化、3D打印以及医疗等领域具有广泛应用。文章首先概述了GaN基UVA LD的国内外研究现状与关键技术挑战,然后分析了如何从外延生长与结构设计的角度,解决AlGaN的应力调控、高效p型...
关键词：近紫外激光器 氮化镓 应力调控 P型掺杂 极化电场 
高质量硼掺杂单晶金刚石同质外延及电学性质研究被引量：1
《人工晶体学报》2022年第5期893-900,共8页王若铮 闫秀良 彭博 林芳 魏强 王宏兴 
国家自然科学基金(61627812);国家重点研发计划(2018YFE0125900)。
突破高质量、高效金刚石掺杂技术是实现高性能金刚石功率电子器件的前提。本文利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,以三甲基硼为掺杂源,制备出表面粗糙度0.35 nm,XRD(004)摇摆曲线半峰全宽28.4 arcsec,拉曼光谱半峰全宽3.05 cm^(-1...
关键词：单晶金刚石 P型掺杂 硼掺杂 MPCVD 同质外延 硼碳比 甲烷浓度 硼氧共掺 空穴迁移率 
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