“氧化镓晶体与器件”专题——破局第四代半导体的创新实践  

作　　者：齐红基[1,2,3] 贾志泰 张洪良[6] 董鑫 程红娟[8] 周弘[9] 徐光伟 

机构地区：[1]中国科学院创新促进会 [2]上海光学精密机械研究所 [3]杭州光学精密机械研究所 [4]山东大学 [5]山东大学新一代半导体材料研究院 [6]厦门大学 [7]吉林大学 [8]中国电子科技集团公司第四十六研究所新材料研发中心 [9]西安电子科技大学 [10]中国科学技术大学

出　　处：《人工晶体学报》2025年第2期I0004-I0005,I0002,I0003,共4页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为超宽禁带半导体材料的代表,凭借其超宽禁带(4.4~4.9 eV)、高临界击穿场强(8 MV/cm)及优异的Baliga优值(理论值达SiC的10倍、GaN的4倍),被视为突破传统半导体性能极限的关键材料。然而,其产业化进程长期受限于低热导率、p型掺杂困难、大尺寸单晶制备困难等问题。近年来,国家“十四五”规划将超宽禁带半导体列为重点攻关方向,“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件”研究获国家重点研发计划支持,亟需学术界与产业界通过协同创新打通从材料到器件的全链条技术壁垒。

关 键 词：宽禁带半导体材料 氧化镓 P型掺杂 半导体 国家重点研发计划 创新实践 协同创新 技术壁垒 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]