云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 本征缺陷

本征缺陷: 作品数：93被引量：176H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：理学电子电信更多>>; 相关作者：吴明铂李盛涛刘廷禹程萍李建英更多>>; 相关机构：中国科学院山东大学西安交通大学上海理工大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>

ε-Ga_(2)O_(3)晶体及其本征缺陷的第一性原理研究: 《人工晶体学报》2025年第2期212-218,共7页郭满意吴佳兴杨帆王超王艳杰迟耀丹杨小天; 吉林省科技发展计划(20200201177JC);吉林省教育厅科学研究项目(JJKH20240362KJ);吉林省科技厅自然科学基金项目(YDZJ202201ZYTS430)。; 为了探究本征缺陷导电特性,本文采用第一性原理计算方法对ε-Ga_(2)O_(3)进行计算。首先计算ε-Ga 2O 3的晶格常数、能带间隙、态密度和能带结构,然后计算含有多种本征缺陷的ε-Ga_(2)O_(3)的态密度和能带结构,分析了它们的电学性质。...; 关键词：ε-Ga_(2)O_(3)晶体态密度能带结构导电特性第一性原理密度泛函理论

本征缺陷对δ-InSe光电性质的影响: 《材料导报》2024年第23期7-13,共7页苗瑞霞张德栋谢妙春王业飞杨小峰; 国家自然科学基金(51302215,62105260,12004303)。; 作为一种典型的二维层状材料,二维InSe由于其独特的电学特性和较宽的带隙可调节范围,在新型二维电子和光电器件中具有广阔的应用前景。通过全局结构搜索和第一性原理计算发现的δ-InSe结构比已知的InSe结构具有更宽的带隙变化范围和更...; 关键词：第一性原理本征缺陷形成能电学性质光学性质

MoSi_(2)N_(4)的本征点缺陷以及掺杂特性的第一性原理计算: 《物理学报》2024年第8期296-304,共9页徐思源张召富王俊刘雪飞郭宇铮; 湖北省自然科学基金面上(青年)项目(批准号:2021CFB085);贵州省高等学校功能材料与器件创新团队(批准号:黔教技[2023]058)资助的课题.; 新兴二维材料MoSi_(2)N_(4)因其卓越的半导体性能,包括出色的环境稳定性和高载流子迁移率而受到相当多的关注.然而,半导体中的本征缺陷往往不可避免并且会显著影响器件性能.本文使用密度泛函理论计算并分析了MoSi_(2)N_(4)中本征点缺陷...; 关键词：密度泛函理论本征缺陷带电缺陷校正二维材料

β-Ga_(2)O_(3)的p型掺杂研究进展被引量：2: 《发光学报》2024年第4期557-567,共11页何俊洁矫淑杰聂伊尹高世勇王东博王金忠; 国家自然科学基金(62174042);国家重点研发项目(2019YFA0705201)。; β-Ga_(2)O_(3)具有超宽禁带宽度、高击穿场强、较高的巴利加优值等优点使其成为一种新兴半导体材料,在高功率电子器件、气体传感器、日盲紫外探测器等方面有着极大的应用潜力,但p型掺杂难的问题成为了β-Ga_(2)O_(3)发展的巨大障碍。...; 关键词：β-Ga_(2)O_(3) 本征缺陷 P型掺杂宽禁带半导体半导体

单层1T-VS_(2)的电子结构和量子电容性质研究: 《南开大学学报（自然科学版）》2024年第1期73-78,共6页李雯婷王维华; 国家自然科学基金(11874223,51871121)。; 以石墨烯为代表的低维材料由于费米能级附近有限的态密度,导致量子电容较低,限制了其作为电极材料的超级电容器双电层电容的提升.采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,以1T-VS_(2)为例,研究具有类石墨烯结构的准二维材料的量子电...; 关键词：1T-VS_(2) 电子结构量子电容本征缺陷第一性原理计算

揭示银关联缺陷的双重作用:环保型AgIn0.5Ga0.5S2中发光和载流子动力学的操纵者: 《Science China Materials》2024年第1期214-222,共9页刘高豫徐丽丽胡扬李晓明 Seokwoo Jeon 张胜利曾海波; financially supported by the Natural Science Foundation of Jiangsu Province (BK20180071);the Fundamental Research Funds for the Central Universities (30919011109);Qing Lan Project of Jiangsu Province;the Six Talent Peaks Project of Jiangsu Province (XCL-035)。; AgIn_(0.5)Ga_(0.5)S_(2)由于环境友好、合成成本低、成分灵活可调等优点在许多领域受到广泛关注.适当的直接带隙、无禁戒跃迁和高激子结合能使其成为一种有前途的发光材料.多组分体系的演化丰富了光电特性,并使其本征缺陷更加复杂.反过...; 关键词：深能级反位缺陷发光材料本征缺陷浅能级热力学稳定性禁戒跃迁多组分体系

β-Ga_(2)O_(3)晶体本征缺陷诱导的宽带超快光生载流子动力学: 《物理学报》2023年第21期200-206,共7页王露璇刘奕彤史方圆祁纤雯沈涵宋瑛林方宇; 国家自然科学基金青年科学基金(批准号:11704273);江苏省自然科学研究基金(批准号:BK20221384);“十四五”江苏省重点学科(批准号:2021135);江苏省研究生科研与实践创新计划(批准号:KYCX22_3267);苏州科技大学大学生创新创业训练计划(批准号:202310332270X,2022011002X)资助的课题.; 利用超快瞬态吸收光谱,针对氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))晶体中本征缺陷诱导的载流子俘获和复合等动力学进行研究.实验发现,由本征缺陷诱导的宽带吸收光谱具有很强的偏振依赖性,特别是从不同探测偏振下的瞬态吸收光谱中可以提取出两个缺陷态...; 关键词：β-Ga_(2)O_(3) 瞬态吸收缺陷动力学载流子俘获

杂化泛函HSE和PBE0计算CsPbI3缺陷性质的比较研究被引量：1: 《无机材料学报》2023年第9期1110-1116,I0011,I0012,共9页吴晓维张涵曾彪明辰孙宜阳; National Key R&D Program of China(2021YFB3500501)。; 在卤族钙钛矿材料的缺陷研究中,密度泛函理论计算发挥着重要作用。传统的半局域泛函(如PBE)虽然能够得到与实验接近的禁带宽度,但是已有研究表明其不能准确描述材料的带边位置。采用更准确的杂化泛函,结合自旋轨道耦合(SOC)效应与充分...; 关键词：钙钛矿本征缺陷 CsPbI3 杂化泛函第一性原理计算

氧化镓的n型掺杂研究进展被引量：1: 《中国材料进展》2023年第4期277-288,303,共13页蔺浩博刘宁涛吴思淼张文瑞叶继春; 浙江省自然科学基金重点项目(LZ21F040001);宁波市重大科技攻关项目(2022Z016)。; 作为一种新兴宽禁带半导体,氧化镓具有宽带隙、高击穿电压、高巴利加优值及良好的热稳定性的优点,在功率电子器件、日盲紫外探测器以及气体探测器等领域有着极大的应用潜力。首先概述了氧化镓相比于其他半导体材料存在的优势,介绍了氧...; 关键词：氧化镓 N型掺杂本征缺陷宽禁带氧化物半导体

铪铁双掺铌酸锂晶体的光折变参量研究: 《人工晶体学报》2023年第3期436-441,451,共7页师丽红申绪男阎文博; 本文研究了铪铁双掺铌酸锂(LN∶Fe,Hf)晶体的衍射效率随光栅写入角度的变化曲线,并对该关系曲线进行了拟合分析,发现超阈值的铪铁双掺铌酸锂晶体的体光生伏打系数κ值相比于单掺铁铌酸锂晶体大幅增加。造成κ值变化的原因可能是由于铪...; 关键词：铌酸锂光折变杂质缺陷缺陷基团氢氧根振动本征缺陷

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