N型掺杂

作品数：55被引量：99H指数：5
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硅掺杂对AlN材料的影响研究
《贵州大学学报（自然科学版）》2024年第6期14-18,共5页郭丰杰 王绪 杨发顺 马奎 
半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金资助项目(ERCME-KFJJ2019-01)。
近年来,对AlN材料的研究热度居高不下,对AlN材料的制备日益成熟,但是对掺杂的研究大多数是理论方面,而有效地掺杂是制备器件的前提之一。本文采用高温热扩散的方式对超宽禁带材料AlN进行N型掺杂实验研究。首先使用磁控溅射仪在AlN薄膜...
关键词：ALN N型掺杂 ICP刻蚀 磁控溅射 高温热扩散 电导率 
Alq基有机发光二极管中Liq的“n型掺杂”机理研究
《半导体光电》2023年第4期556-561,共6页苏江森 吴有智 邹文静 张材荣 
通过将Liq(8-hydroxyquinolinato-lithium)掺入电子传输层Alq(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum)中,制备了具有不同结构的仅传输电子的单载流子器件。实验结果表明,掺杂器件的电性能劣于含Liq/Al复合阴极的非掺杂器件,优于含Al阴极...
关键词：有机半导体 Liq Alq 界面修饰 电荷转移 
美国研究人员开发出一种n型掺杂透明有机导体
《金属功能材料》2023年第2期94-94,共1页
据phys.org网3月16日消息,美国普渡大学(Purdue University)和肯塔基大学(University of Kentucky)的研究人员开发出一种n型掺杂透明有机导体(n-PBDF),该材料可作为氧化铟锡(ITO)的替代品。研究人员使用水、空气以及铜基催化剂进行氧化...
关键词：有机导体 氧化聚合 美国普渡大学 N型掺杂 肯塔基大学 铜基催化剂 
氧化镓的n型掺杂研究进展被引量：1
《中国材料进展》2023年第4期277-288,303,共13页蔺浩博 刘宁涛 吴思淼 张文瑞 叶继春 
浙江省自然科学基金重点项目(LZ21F040001);宁波市重大科技攻关项目(2022Z016)。
作为一种新兴宽禁带半导体,氧化镓具有宽带隙、高击穿电压、高巴利加优值及良好的热稳定性的优点,在功率电子器件、日盲紫外探测器以及气体探测器等领域有着极大的应用潜力。首先概述了氧化镓相比于其他半导体材料存在的优势,介绍了氧...
关键词：氧化镓 N型掺杂 本征缺陷 宽禁带氧化物 半导体 
基于空气稳定金属配位活化的n型掺杂技术及其进展
《中国科学：化学》2022年第11期2064-2079,共16页李骁 张东东 段炼 
国家自然科学基金(编号:51903137,61890942)资助项目。
n型掺杂技术是提高电子注入性能、改善载流子平衡的有效方法,被广泛运用于有机电子学领域.近年来,基于空气稳定金属配位活化的n型掺杂(coordination-activated n-doping,CAN)技术受到了广泛关注.相对于传统n型掺杂技术,CAN具有对空气稳...
关键词：有机发光二极管 电子注入层 N型掺杂 空气稳定金属配位活化 抑制金属迁移 稳定性 
单晶金刚石p型和n型掺杂的研究被引量：1
《人工晶体学报》2022年第5期841-851,共11页牛科研 张璇 崔博垚 马永健 唐文博 魏志鹏 张宝顺 
国家自然科学基金青年科学基金(61804166)。
超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质,在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p型和n型导电是制备金刚石半导体器件的基础要求,其中p型金刚石的发展较为成熟,主流的掺杂元素是硼,但在...
关键词：金刚石 离子注入 化学气相沉积 超宽禁带半导体 掺杂 N型 P型 
石墨烯的化学掺杂被引量：6
《重庆理工大学学报（自然科学）》2022年第4期111-119,共9页张俊安 田江玲 张庆伟 鲁云花 徐延杰 
重庆市教委科学技术研究项目(KJQN201901108);重庆理工大学科研启动基金项目(2019ZD06,2020ZDZ026);重庆理工大学研究生创新项目(clgycx20202120)。
石墨烯作为一种单层碳原子纳米材料,其平面内碳原子以sp^(2)电子轨道杂化形成二维蜂窝状晶体结构,厚度仅有0.34 nm,具备优异的光电性能,然而由于石墨烯的带隙为零,限制了其在电子领域的应用。化学掺杂是调制石墨烯电学和物理特性的重要...
关键词：石墨烯 化学掺杂 N型掺杂 P型掺杂 
n型掺杂不同管径碳纳米管薄膜的热电性能研究及其器件的制备被引量：2
《材料导报》2022年第6期52-56,共5页晋潞潞 孙婷婷 王连军 江莞 
上海市科学技术委员会(18JC1411200)。
碳纳米管(Carbon nanotube,CNT)高的导电性和优异的韧性使其在柔性热电领域具有很多优势,其管径、长度等特征对热电性能具有不同影响,深入探索并揭示该影响对制备高性能CNT热电材料具有指导意义。本工作主要研究了n型掺杂态的不同管径的...
关键词：碳纳米管 柔性热电薄膜 热电器件 
二维g-AlN材料中n型掺杂探索:基于第一性原理的带电缺陷计算被引量：2
《原子与分子物理学报》2021年第5期165-172,共8页刘雪飞 吕兵 肖文君 罗子江 
国家自然科学基金(11664005,61564002);贵州省科技合作项目([2013]7019);贵州省科技计划项目(2017-5736-009,2017-7341);贵州省科技基金(2020,1Y021)。
电荷转移能级和缺陷形成能的计算对探索半导体材料的n型和p型掺杂效率具有重要的指导意义.基于第一性原理方法,结合二维带电缺陷计算理论,系统计算了二维氮化铝中四种(C_(Al),Si_(Al),Ge_(Al),Sn_(Al))可能的n型掺杂体系的结构、磁学、...
关键词：二维g-AlN 第一性原理 带电缺陷计算 
钙钛矿同质结太阳电池研究进展被引量：5
《物理化学学报》2021年第4期18-26,共9页纪军 刘新 黄浩 蒋皓然 段明君 刘本玉 崔鹏 李英峰 李美成 
国家自然科学基金(51772096,51972110);北京市科技计划(Z181100005118002);欧盟奖学金项目;科技北京百名领军人才培养工程,中央高校基本科研业务费专项资金(2017ZZD02,2019QN060);华北电力大学“双一流”研究生人才培养计划资助。
钙钛矿太阳电池制备工艺简单,效率提升迅速,被认为是最具应用潜力的新一代光伏技术之一。近年来,大量研究表明,钙钛矿光电材料可以通过自掺杂或外源掺杂的方式实现薄膜导电类型(p型或n型)的定向调控;而具有双层薄膜结构的钙钛矿p-n同质...
关键词：钙钛矿 P型掺杂 N型掺杂 钙钛矿同质结 太阳电池 
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