ICP刻蚀

作品数：93被引量：215H指数：7
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ICP刻蚀对超晶格红外探测器电极制备的控制
《红外》2025年第3期1-7,共7页任昂 刘铭 李景峰 
国家重点研发计划“政府间国际科技创新合作”重点专项(2022YFE0119500);上海市科技计划项目(22010503600)。
Ⅱ类超晶格红外探测器通常利用台面结实现对红外辐射的探测,其中金属电极的制备工艺至关重要。深入研究了电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma, ICP)刻蚀系统中物理刻蚀与化学刻蚀对超晶格探测器电极孔形貌的控制以及对刻蚀速...
关键词：红外探测器 ICP刻蚀 超晶格 电极孔 侧壁倾角 
ICP刻蚀Mo侧壁角度及刻蚀速率的研究
《压电与声光》2025年第1期59-62,共4页田本朗 梁柳洪 何成勇 罗淦 郭耀祖 米佳 
采用基于Cl基气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀设备对金属Mo薄膜进行刻蚀,研究了刻蚀条件对侧壁角度以及刻蚀速率的控制。通过调节ICP干法刻蚀过程中射频源功率、ICP离子源功率、腔体压力、混合气体流量比例等工艺参数,实现了14.8°...
关键词：电感耦合等离子体(ICP) MO 薄膜体声波谐振器(FBAR) 侧壁角度 刻蚀速率 
硅掺杂对AlN材料的影响研究
《贵州大学学报（自然科学版）》2024年第6期14-18,共5页郭丰杰 王绪 杨发顺 马奎 
半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金资助项目(ERCME-KFJJ2019-01)。
近年来,对AlN材料的研究热度居高不下,对AlN材料的制备日益成熟,但是对掺杂的研究大多数是理论方面,而有效地掺杂是制备器件的前提之一。本文采用高温热扩散的方式对超宽禁带材料AlN进行N型掺杂实验研究。首先使用磁控溅射仪在AlN薄膜...
关键词：ALN N型掺杂 ICP刻蚀 磁控溅射 高温热扩散 电导率 
不同工艺参数对生物微流控芯片结构合成的影响
《现代应用物理》2024年第5期134-139,149,共7页张颖 刘盛意 
国家自然科学基金资助项目(12027811)。
本文研究了纳米压印光刻技术在微流控生物芯片制造中替代传统光学光刻技术的可行性。首先探究了V50,V60和V703种不同压印胶胶型及不同转速对压印生物芯片结构的影响,最终选择了浓度较高的V70压印胶在转速为3000 r:·min^(-1)条件下进行...
关键词：纳米压印 生物芯片 ICP刻蚀 工艺参数 微流控芯片 
基于PS球自组装技术的GaN纳米柱阵列ICP刻蚀工艺研究
《机电工程技术》2024年第4期273-277,共5页谢婷 冯林 杨丽艳 邹继军 邓文娟 
江西省科技厅重点研发项目(20203BBE53030)。
选用蓝宝石衬底上生长的P型氮化镓为材料,通过自组装技术制备的PS球为掩膜,采用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀的方法来制备形状规则、周期均匀的纳米结构。在制备过程中,氮化镓纳米结构的形貌受诸多因素的影响,例如胶体球掩膜自组装的...
关键词：PS球自组装 ICP刻蚀 GaN纳米柱 刻蚀速率 
晶圆级薄膜铌酸锂波导制备工艺与性能表征
《人工晶体学报》2024年第3期426-433,共8页叶志霖 李世凤 崔国新 尹志军 王学斌 赵刚 胡小鹏 祝世宁 
国家重点研发计划(2022YFA1205100,2022YFF0712800);国家自然科学基金(92163216,92150302,62288101,12192251);江苏省前沿引领技术基础研究专项(BK20192001)。
随着光子集成和光通信技术的快速发展,低损耗波导是实现高效光子传输的关键元件,其性能直接影响整个集成芯片的性能。因此,低损耗波导的制备技术是当前铌酸锂集成光子技术研究的热点和难点。本研究针对晶圆级低损耗薄膜铌酸锂波导的制...
关键词：薄膜铌酸锂 晶圆级加工 波导损耗测量 深紫外光刻 ICP刻蚀 集成光子技术 
用于AR显示技术的亚波长Al光栅的ICP刻蚀工艺研究
《微纳电子与智能制造》2024年第1期59-64,共6页吴必昇 周燕萍 上村隆一郎 左超 杨秉君 
铝材料因其良好的光反射率和低热线性膨胀系数,被广泛应用在增强现实设备的光栅光波导中。采用ULVAC公司生产的电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备NE-550对Al材料进行了干法刻蚀工艺的研究。实验中采用SiO_(2)作为刻蚀掩膜,Cl_(2)/BCl_(3)...
关键词：电感耦合等离子体刻蚀 亚波长光栅 金属铝 硅基液晶 增强现实 
应用于光电阴极的SiO_(2)纳米孔阵列被引量：1
《武汉理工大学学报》2023年第3期23-30,共8页肖家军 彭新村 李辰阳 杨鲁浩 邹继军 张蓓 钟潮燕 王玉 
国家自然科学基金(62061001,11875012,61961001);江西省自然科学基金(20202BAB202013,20192ACBL20003);核技术应用教育部工程研究中心开放基金(HJSJYB2021-5);江西省“双千计划”(jxsq2019201053)。
目前以正电子亲合势K2CsSb为代表的光电发射阴极材料因其有源层较薄的特征使其光吸收能力较差,现成为限制其提升性能的重要因素之一。以聚苯乙烯(PS)纳米球剥离法制备的金属孔阵为掩膜,在SiO2衬底上刻蚀制备纳米孔阵列。首先刻蚀单层自...
关键词：金属掩膜 ICP刻蚀 二氧化硅纳米孔阵 
C_(4)F_(6)/SF_(6)混合气体对硅基材料的ICP刻蚀工艺研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2023年第1期36-41,共6页陈长鸿 王妹芳 孙一军 孙颖 孙家宝 刘艳华 刘志 谢石建 
为避免深硅刻蚀工艺所引起的扇贝纹效应,同时减少其工艺气体所带来的温室效应,本文将新一代环保电子刻蚀气C4F6引入硅刻蚀工艺,采用刻蚀与钝化同步进行的伪Bosch工艺刻蚀硅槽孔。研究了ICP功率、RIE功率、腔体压强和C_(4)F_(6)/SF_(6)...
关键词：感应耦合等离子体刻蚀 刻蚀速率 深硅刻蚀 选择比 
用于近眼显示设备光栅中Cr的ICP刻蚀工艺研究
《微纳电子与智能制造》2022年第2期93-98,共6页王鹤鸣 周燕萍 左超 杨秉君 
随着全球信息化时代的到来,增强现实(AR)技术已经在军事、工业、教育、医疗等多个领域取得了重要应用。Cr材料因其良好的光反射率和热线性膨胀系数低的特点,被广泛应用在增强现实(AR)的近眼显示设备的光栅制备中。本文采用ULVAC公司生...
关键词：增强现实 电感耦合等离子体刻蚀 Cr材料 栅槽结构 
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