选择比

作品数：383被引量：193H指数：7
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高深宽比梳齿结构刻蚀工艺
《微纳电子技术》2025年第1期137-143,共7页康建波 商庆杰 宋洁晶 
梳齿结构刻蚀是制备电容加速度计芯片的重要工序步骤。在梳齿结构刻蚀过程中,采用快速切换阀代替质量流量控制器(MFC)开关气体解决了梳齿侧壁弯曲问题;将Bosch工艺中物理轰击步骤和化学刻蚀步骤移到沉积步骤之前解决了梳齿顶部损伤问题...
关键词：梳齿结构 电容加速度计 Bosch工艺 选择比 深宽比 侧壁倾角 
6英寸SiC基GaN HEMT背孔刻蚀技术研究
《微纳电子技术》2024年第12期163-170,共8页孔欣 
6英寸(1英寸=2.54 cm)SiC基GaN晶圆减薄后翘曲和总厚度变化(TTV)较大,给背孔刻蚀工艺带来了极大的挑战。以SF6和O2为刻蚀气体,通过研究气体流量及流量配比、腔体压力、感应耦合等离子体(ICP)功率、偏置功率等参数对SiC刻蚀速率和SiC对Ga...
关键词：碳化硅 氮化镓 背孔 两段式刻蚀 刻蚀速率 选择比 可靠性 
基于VSPAI的近红外光谱小麦蛋白质分析方法研究
《长春理工大学学报（自然科学版）》2024年第5期15-21,共7页张晓锋 张亦弛 宦克为 金明杭 文鹏 
吉林省科技发展计划项目(20240404046ZP)。
基于模型集群分析思想,利用变量选择比自适应迭代法(VSPAI)结合偏最小二乘法(PLS)建立了小麦蛋白质含量的近红外光谱预测模型。VSPAI利用蒙特卡罗采样法随机选取样本子集,运用PLS建立样本子集的回归模型,并计算各变量回归系数的平均值...
关键词：小麦蛋白质 近红外光谱分析 模型集群分析 变量选择比自适应迭代 
眼光比苦干重要 选择比努力重要——2024年新高考全国Ⅰ卷第16题分析
《中小学数学（高中版）》2024年第7期25-27,共3页黄艳敏 
原题呈现(2024年新高考全国I卷,16)已知A(0,3)和P[3,3/2]为椭圆C:x^(2)/a^(2)+y^(2)/b^(2)=1(a>b>0)上两点.(1)求C的离心率;(2)若过P的直线l交C于另一点B,且△ABP的面积为9,求l的方程.
关键词：离心率 高考 全国Ⅰ卷 
基于变量选择比自适应迭代法的近红外光谱变量选择方法研究被引量：3
《长春理工大学学报（自然科学版）》2024年第1期23-28,共6页文鹏 宦克为 赵环 王迪 
吉林省科技发展计划项目(20210101158JC)。
近红外光谱分析技术(NIRS)存在信号弱、谱带重叠等问题,为了提高模型预测精度,提出了变量选择比自适应迭代法(PSAI)。通过蒙特卡洛法(MCS)采样,从样本中采集不同样本子集,利用偏最小二乘法(PLS)计算出每个子回归模型以及每个变量回归系...
关键词：变量选择 权重 自适应迭代 加权自助采样 
FBAR电极和压电薄膜制备工艺研究
《半导体技术》2023年第12期1103-1107,共5页高渊 宋洁晶 李亮 赵洋 吕鑫 冀子武 
薄膜体声波谐振器(FBAR)制备工艺中,压电薄膜及金属电极的质量和形貌直接影响了器件的性能如品质因数、插入损耗及带宽等。研究了决定FBAR性能的关键工艺,包括Mo电极的刻蚀、AlN压电薄膜的溅射和腐蚀,从而实现高质量电极及压电薄膜结构...
关键词：薄膜体声波谐振器(FBAR) 溅射 刻蚀 选择比 腐蚀 
他花了6年时间,明白了选择比努力更重要
《生活潮》2023年第10期15-15,共1页刘同 
石头要离开北京了,他发了一段视频,第一句是:我要离开北京了,混不下去了。语气里有无奈也有解脱,还有下定决心后的义无反顾和看清真相后的依然热爱。多年前同事这样介绍石头:“他是北大文科某专业研考第一名,看过上干部电影,唐诗宋词倒...
关键词：唐诗宋词 语气 真相 北大 石头 
不同表面活性剂对浅沟槽隔离CMP中SiO_(2)与Si_(3)N_(4)速率选择性的影响
《电子元件与材料》2023年第5期578-583,共6页张月 周建伟 王辰伟 郭峰 
国家自然科学基金(62074049)。
针对浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)过程中SiO_(2)与Si_(3)N_(4)去除速率选择比难以实现的问题,研究了阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、阴离子表面活性剂直链烷基苯磺酸(LABSA)以及非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AE...
关键词：浅沟槽隔离 化学机械抛光 表面活性剂 速率选择比 
C_(4)F_(6)/SF_(6)混合气体对硅基材料的ICP刻蚀工艺研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2023年第1期36-41,共6页陈长鸿 王妹芳 孙一军 孙颖 孙家宝 刘艳华 刘志 谢石建 
为避免深硅刻蚀工艺所引起的扇贝纹效应,同时减少其工艺气体所带来的温室效应,本文将新一代环保电子刻蚀气C4F6引入硅刻蚀工艺,采用刻蚀与钝化同步进行的伪Bosch工艺刻蚀硅槽孔。研究了ICP功率、RIE功率、腔体压强和C_(4)F_(6)/SF_(6)...
关键词：感应耦合等离子体刻蚀 刻蚀速率 深硅刻蚀 选择比 
多晶硅发射极精确制造工艺研究
《集成电路应用》2023年第1期40-43,共4页杨小兵 孙金池 盖兆宇 
阐述针对多晶硅发射极制造工艺的研究,包括干法刻蚀工艺气体组分和流量、射频源功率、过刻时间对多晶硅刻蚀速率、Poly-Silicon/SiO_(2)选择比、CD尺寸侧向钻蚀等刻蚀性能的影响,最终得出适合多晶硅发射极图形的优化多晶硅干法刻蚀条件...
关键词：多晶硅刻蚀 侧向钻蚀 多晶硅发射极刻蚀选择比 过刻蚀 
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