化学机械抛光

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TAZ与LS-97对铜CMP协同缓蚀效应
《半导体技术》2025年第5期473-480,共8页贺斌 高宝红 霍金向 李雯浩宇 贺越 王建树 
国家自然科学基金(61704046);河北省自然科学基金(F2022202072)。
极大规模集成电路(GLSI)中多层铜互连的化学机械抛光(CMP)是推动微电子技术发展的关键工艺之一。抑制剂是实现铜晶圆表面平坦化的重要因素,而表面活性剂可以改善铜晶圆的表面质量,因此抑制剂和表面活性剂的复配使用是研究的热点。通过...
关键词：化学机械抛光(CMP) 铜 缓蚀剂 表面活性剂 复配 
聚乙烯醇对单晶硅精抛的影响
《润滑与密封》2025年第4期144-150,共7页王雪洁 王辰伟 罗翀 周建伟 陈志博 杨啸 刘德正 
河北省自然科学基金项目(E2019202367)。
针对单晶硅精抛后存在沾污等缺陷,目前采用的高分子聚合物添加剂存在泡沫多或是大幅度影响去除速率等问题,选取高分子聚合物聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)作为抛光液添加剂。在SiO2磨料质量分数为0.5%且抛光液pH为10.5的条件下,研究...
关键词：单晶硅 化学机械抛光 颗粒沾污 表面质量 去除速率 
水溶性聚合物提高多晶硅CMP表面质量的机理
《微纳电子技术》2025年第4期99-107,共9页张潇 周建伟 杨云点 罗翀 栾晓东 邵祥清 李瑾 
国家自然科学基金(62104087);中国博士后基金(2024M751207);河北工业大学创新研究院(石家庄)石家庄市科技合作专项基金资助(SJZZXB23003)。
通过实验探究了在抛光液中加入羟丙基甲基纤维素(HPMC)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)两种水溶性聚合物对多晶硅表面的影响机理。HPMC的加入在多晶硅表面形成氢键,并形成一层保护层,改变多晶硅表面的润湿性,减少抛光液中碱性物质和多晶硅的化学...
关键词：化学机械抛光(CMP) 多晶硅 羟丙基甲基纤维素(HPMC) 聚乙烯吡咯烷酮(PVP) 表面质量 
化学机械抛光中复合氧化铈磨料的研究进展
《江西冶金》2025年第2期122-132,共11页曾强 佟志芳 华璞杰 
国家自然科学基金项目(52064019)。
本文综述了近年来复合纳米氧化铈(CeO_(2))磨料在化学机械抛光(CMP)领域的最新研究进展,总结了CeO_(2)复合磨料在结构组成及化学掺杂等方面对抛光性能的影响,阐述了不同种类CeO_(2)复合抛光粉的作用机理,认为具有良好抛光性能的CeO_(2)...
关键词：氧化铈 复合磨料 化学机械抛光 结构优化 
纳米二氧化锰磨料对集成电路钨化学机械抛光的影响
《电镀与涂饰》2025年第4期53-62,共10页赵悦琦 王胜利 杨云点 罗翀 栾晓东 
国家自然科学基金(62104087);中国博士后基金(2024M751207)。
[目的]采用传统磨料对集成电路钨(W)化学机械抛光(CMP)时往往难以兼顾高去除速率与良好的表面品质,故提出一种基于纳米二氧化锰(MnO_(2))磨料的酸性抛光液。[方法]通过实验与理论计算相结合,研究了MnO_(2)在钨CMP中的多重作用机制──...
关键词：钨 化学机械抛光 二氧化锰 去除速率 表面品质 
碳化硅晶圆化学机械抛光工艺优化
《电镀与涂饰》2025年第3期127-132,共6页李萍 张宝玉 
江苏省高等学校自然科学研究面上项目(20KJD510007);江苏省苏北科技专项(SZ-HA2019006)。
[目的]化学机械抛光(CMP)技术广泛应用于半导体制造的多个环节,是实现晶圆表面平坦化的关键步骤,而工艺参数显著影响着CMP效果。[方法]通过正交试验研究了压力、抛光盘转速、磨料粒径及抛光液pH对SiC晶圆抛光时材料去除速率和表面粗糙...
关键词：碳化硅晶圆 化学机械抛光 材料去除速率 表面粗糙度 
钴化学机械抛光中抛光液及清洗剂的研究进展
《材料导报》2025年第6期222-231,共10页张力飞 路新春 张佳磊 赵德文 
国家自然科学基金(51991374)。
在当今集成电路技术飞速发展的时代背景下,随着工艺节点不断缩小至纳米级,互连结构及其工艺技术的挑战愈发严峻。钴(Co)作为一种新兴的金属材料,凭借其出色的热稳定性、优异的空隙填充能力和对铜(Cu)布线的强附着力,正逐步成为Cu互连阻...
关键词：化学机械抛光 钴 阻挡层 互连层 抛光液 清洗剂 
利用N-乙酰-D-脯氨酸对氧化铈纳米颗粒进行表面改性提高悬浮稳定性的研究
《纳米技术》2025年第1期8-14,共7页路方伟 李思敏 沈慧 
本文受国家重点研发计划(2023YFB3507100)、内蒙古自治区高校青年科技人才计划(NJYT23035)和内蒙古大学创业基金(10000-23112101/043)的资助。
随着半导体行业的快速发展,对可使其全局平坦化的化学机械抛光(CMP)技术提出更高的要求。因此,发明一种更安全、更稳定、更高效且更环保的氧化铈抛光液迫在眉睫。本研究通过溶剂水热法,利用N-乙酰-D-脯氨酸(ADPO)对氧化铈纳米磨料进行...
关键词：化学机械抛光 氧化铈纳米颗粒 悬浮稳定性 N-乙酰-D-脯氨酸 表面改性 
易解理铝酸镁钪晶片化学机械抛光工艺实验研究
《机械科学与技术》2025年第3期477-483,共7页倪自丰 季明捷 陈国美 张海涛 李俊杰 卞达 钱善华 
国家自然科学基金项目(52205196);江苏省高校青蓝工程项目(2021)。
为探究化学机械抛光过程中工艺参数对铝酸镁钪晶片抛光效果的影响,该文研究了抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量3个工艺参数在化学机械抛光过程中对晶片表面材料去除的作用规律。结果表明:适当提高抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量有...
关键词：铝酸镁钪 解理材料 化学机械抛光 工艺参数 
电子产品制造过程中CMP材料的应用研究
《电子产品世界》2025年第3期21-24,共4页刘海军 
化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)是半导体制造工艺中实现晶圆表面平坦化的关键技术,广泛应用于先进制程的生产。通过结合化学反应和机械磨削,CMP工艺能够去除晶圆表面材料,使晶圆表面实现高精度平坦化。从CMP工艺的基...
关键词：化学机械抛光 抛光垫 抛光液 去除速率 表面粗糙度 
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