检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:刘海军[1]
机构地区:[1]国家知识产权局专利局专利审查协作广东中心,广东广州510550
出 处:《电子产品世界》2025年第3期21-24,共4页Electronic Engineering & Product World
摘 要:化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)是半导体制造工艺中实现晶圆表面平坦化的关键技术,广泛应用于先进制程的生产。通过结合化学反应和机械磨削,CMP工艺能够去除晶圆表面材料,使晶圆表面实现高精度平坦化。从CMP工艺的基本原理出发,深入探讨了抛光垫和抛光液两类核心CMP材料的特性及其对工艺效果的影响。研究表明,抛光垫的硬度、孔隙率和表面结构显著影响了材料去除速率、表面粗糙度和均匀性;抛光液中磨料颗粒浓度、氧化剂和缓蚀剂配比直接决定了化学作用和机械作用的平衡。最后,总结了CMP材料性能与工艺指标之间的关系,为CMP材料的优化提供了重要依据。
关 键 词:化学机械抛光 抛光垫 抛光液 去除速率 表面粗糙度
分 类 号:TN305.2[电子电信—物理电子学] TN405
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