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脂肪醇聚氧乙烯醚对铝栅CMP中铝和多晶硅去除速率选择比的影响
《润滑与密封》2025年第4期73-79,共7页曹钰伟 王胜利 罗翀 王辰伟 张国林 梁斌 杨云点 盛媛慧 
河北省自然科学基金项目(E2019202367)。
为了提高高K金属栅结构(HKMG)化学机械拋光(CMP)中铝和多晶硅去除速率选择比,研究酸性环境下(pH=5)非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO9)对铝和多晶硅去除速率选择比的影响,并探究其作用机制。研究发现,AEO9质量分数为0.01%时,铝和...
关键词：高K金属栅结构 化学机械拋光 脂肪醇聚氧乙烯醚 去除速率 多晶硅 
聚乙烯醇对单晶硅精抛的影响
《润滑与密封》2025年第4期144-150,共7页王雪洁 王辰伟 罗翀 周建伟 陈志博 杨啸 刘德正 
河北省自然科学基金项目(E2019202367)。
针对单晶硅精抛后存在沾污等缺陷,目前采用的高分子聚合物添加剂存在泡沫多或是大幅度影响去除速率等问题,选取高分子聚合物聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)作为抛光液添加剂。在SiO2磨料质量分数为0.5%且抛光液pH为10.5的条件下,研究...
关键词：单晶硅 化学机械抛光 颗粒沾污 表面质量 去除速率 
纳米二氧化锰磨料对集成电路钨化学机械抛光的影响
《电镀与涂饰》2025年第4期53-62,共10页赵悦琦 王胜利 杨云点 罗翀 栾晓东 
国家自然科学基金(62104087);中国博士后基金(2024M751207)。
[目的]采用传统磨料对集成电路钨(W)化学机械抛光(CMP)时往往难以兼顾高去除速率与良好的表面品质,故提出一种基于纳米二氧化锰(MnO_(2))磨料的酸性抛光液。[方法]通过实验与理论计算相结合,研究了MnO_(2)在钨CMP中的多重作用机制──...
关键词：钨 化学机械抛光 二氧化锰 去除速率 表面品质 
电子产品制造过程中CMP材料的应用研究
《电子产品世界》2025年第3期21-24,共4页刘海军 
化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)是半导体制造工艺中实现晶圆表面平坦化的关键技术,广泛应用于先进制程的生产。通过结合化学反应和机械磨削,CMP工艺能够去除晶圆表面材料,使晶圆表面实现高精度平坦化。从CMP工艺的基...
关键词：化学机械抛光 抛光垫 抛光液 去除速率 表面粗糙度 
制备皱纹状介孔C-mSiO_(2)/CeO_(2)复合磨料及其SiO_(2)CMP的应用
《电子元件与材料》2025年第2期231-236,共6页王东伟 王胜利 杨云点 罗翀 栾晓东 邵祥清 李瑾 
河北工业大学创新研究院(石家庄)石家庄市科技合作专项基金资助(SJZZXB23003);国家自然科学基金(62074049);中国博士后基金(2024M751207)。
为了提高集成电路层间介质化学机械抛光(CMP)的去除速率并改善表面质量,先采用微乳液法制备皱纹状介孔SiO_(2),之后用化学沉积法包覆CeO_(2),成功制得皱纹状C-mSiO_(2)/CeO_(2)芯/壳复合磨料,并以此配置抛光液,对SiO_(2)层间介质进行CM...
关键词：化学机械抛光(CMP) 皱纹状 介孔SiO_(2) 复合材料 去除速率 
哌嗪对硅衬底CMP速率影响的机理
《微纳电子技术》2025年第2期165-174,共10页刘文博 罗翀 王辰伟 岳泽昊 栾晓东 邵祥清 李瑾 
国家自然科学基金(62104087);中国博士后基金(2024M751207);河北工业大学创新研究院(石家庄)石家庄市科技合作专项基金(SJZZXB23003)。
为了在硅衬底化学机械抛光(CMP)过程中提高对硅片的去除速率,利用实验与密度泛函理论(DFT)计算相结合的方式研究了绿色环保添加剂哌嗪对硅片表面的作用机理。Zeta电位测试结果表明哌嗪的加入使磨料与抛光硅片表面的Zeta电位降低,二者间...
关键词：化学机械抛光(CMP) 硅衬底 哌嗪 去除速率 密度泛函理论(DFT)计算 
嘧啶提高多晶硅CMP去除速率的机理研究
《电子元件与材料》2025年第1期103-109,共7页张潇 周建伟 杨云点 罗翀 栾晓东 邵祥清 李瑾 
河北工业大学创新研究院(石家庄)石家庄市科技合作专项基金(SJZZXB23003);国家自然科学基金(62074049);中国博士后基金(2024M751207)。
为了提高多晶硅去除速率,从化学作用和机械作用两个方面揭示嘧啶在多晶硅表面的影响机理。一方面,X射线光电子能谱实验表明嘧啶的加入在多晶硅表面产生吸附,促进了Si-Si键的极化断裂以及Si-O键的形成,加速了多晶硅表面软质层的形成以及...
关键词：化学机械抛光(CMP) 多晶硅 嘧啶 去除速率 
大空间内气溶胶自然沉降去除速率及空间分布特性分析
《哈尔滨工程大学学报》2024年第12期2290-2297,共8页李韬 谷海峰 王辉 孙庆洋 周艳民 于建群 汤添皓 黄宁远 
国家自然科学基金项目(U22B20134)。
为研究压水堆严重事故后安全壳内的气溶胶的自然沉降及迁移行为,本文采用大尺度气溶胶综合行为实验台架对大尺度安全壳模拟体(体积127 m3)内气溶胶的沉降及迁移行为进行研究。借助粒径谱变化分析了大尺度空间环境中不同位置的气溶胶沉...
关键词：气溶胶 自然沉降 气溶胶分层 气溶胶空间分布 凝并 衰减指数 大尺度安全壳 严重事故 
聚二烯丙基二甲基氯化铵对钨和SiO_(2)去除速率选择性的影响
《润滑与密封》2024年第11期102-108,共7页李丁杰 周建伟 罗翀 王辰伟 孙纪元 杨云点 冯鹏 
国家自然科学基金项目(62074049)。
为了提高钨(W)和SiO_(2)在化学机械抛光(CMP)过程中的去除速率选择比,提出将绿色环保的聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDADMAC)作为SiO_(2)去除速率的抑制剂;以普通硅溶胶为磨料,研究酸性抛光液中不同PDADMAC添加量对W和SiO_(2)去除速率以及...
关键词：化学机械抛光 去除速率选择性 表面粗糙度 聚二烯丙基二甲基氯化铵 
烷基糖苷对硅片化学机械抛光腐蚀缺陷的影响
《微纳电子技术》2024年第11期147-154,共8页杨啸 王辰伟 王雪洁 王海英 陈志博 杨云点 盛媛慧 
河北省自然科学基金(E2019202367)。
针对化学机械抛光(CMP)后硅片表面出现腐蚀缺陷的问题,研究了烷基糖苷(APG)对硅片表面腐蚀缺陷的影响。结果表明APG对硅片的抛光速率和静态腐蚀速率都有抑制效果,当APG质量浓度为0.8 mg/L时能获得较快的抛光速率(836 nm/min)、较低的静...
关键词：化学机械抛光(CMP) 硅片 腐蚀缺陷 烷基糖苷(APG) 去除速率 
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