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哌嗪对硅衬底CMP速率影响的机理
《微纳电子技术》2025年第2期165-174,共10页刘文博 罗翀 王辰伟 岳泽昊 栾晓东 邵祥清 李瑾 
国家自然科学基金(62104087);中国博士后基金(2024M751207);河北工业大学创新研究院(石家庄)石家庄市科技合作专项基金(SJZZXB23003)。
为了在硅衬底化学机械抛光(CMP)过程中提高对硅片的去除速率,利用实验与密度泛函理论(DFT)计算相结合的方式研究了绿色环保添加剂哌嗪对硅片表面的作用机理。Zeta电位测试结果表明哌嗪的加入使磨料与抛光硅片表面的Zeta电位降低,二者间...
关键词：化学机械抛光(CMP) 硅衬底 哌嗪 去除速率 密度泛函理论(DFT)计算 
嘧啶提高多晶硅CMP去除速率的机理研究
《电子元件与材料》2025年第1期103-109,共7页张潇 周建伟 杨云点 罗翀 栾晓东 邵祥清 李瑾 
河北工业大学创新研究院(石家庄)石家庄市科技合作专项基金(SJZZXB23003);国家自然科学基金(62074049);中国博士后基金(2024M751207)。
为了提高多晶硅去除速率,从化学作用和机械作用两个方面揭示嘧啶在多晶硅表面的影响机理。一方面,X射线光电子能谱实验表明嘧啶的加入在多晶硅表面产生吸附,促进了Si-Si键的极化断裂以及Si-O键的形成,加速了多晶硅表面软质层的形成以及...
关键词：化学机械抛光(CMP) 多晶硅 嘧啶 去除速率 
大空间内气溶胶自然沉降去除速率及空间分布特性分析
《哈尔滨工程大学学报》2024年第12期2290-2297,共8页李韬 谷海峰 王辉 孙庆洋 周艳民 于建群 汤添皓 黄宁远 
国家自然科学基金项目(U22B20134)。
为研究压水堆严重事故后安全壳内的气溶胶的自然沉降及迁移行为,本文采用大尺度气溶胶综合行为实验台架对大尺度安全壳模拟体(体积127 m3)内气溶胶的沉降及迁移行为进行研究。借助粒径谱变化分析了大尺度空间环境中不同位置的气溶胶沉...
关键词：气溶胶 自然沉降 气溶胶分层 气溶胶空间分布 凝并 衰减指数 大尺度安全壳 严重事故 
聚二烯丙基二甲基氯化铵对钨和SiO_(2)去除速率选择性的影响
《润滑与密封》2024年第11期102-108,共7页李丁杰 周建伟 罗翀 王辰伟 孙纪元 杨云点 冯鹏 
国家自然科学基金项目(62074049)。
为了提高钨(W)和SiO_(2)在化学机械抛光(CMP)过程中的去除速率选择比,提出将绿色环保的聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDADMAC)作为SiO_(2)去除速率的抑制剂;以普通硅溶胶为磨料,研究酸性抛光液中不同PDADMAC添加量对W和SiO_(2)去除速率以及...
关键词：化学机械抛光 去除速率选择性 表面粗糙度 聚二烯丙基二甲基氯化铵 
烷基糖苷对硅片化学机械抛光腐蚀缺陷的影响
《微纳电子技术》2024年第11期147-154,共8页杨啸 王辰伟 王雪洁 王海英 陈志博 杨云点 盛媛慧 
河北省自然科学基金(E2019202367)。
针对化学机械抛光(CMP)后硅片表面出现腐蚀缺陷的问题,研究了烷基糖苷(APG)对硅片表面腐蚀缺陷的影响。结果表明APG对硅片的抛光速率和静态腐蚀速率都有抑制效果,当APG质量浓度为0.8 mg/L时能获得较快的抛光速率(836 nm/min)、较低的静...
关键词：化学机械抛光(CMP) 硅片 腐蚀缺陷 烷基糖苷(APG) 去除速率 
单烷基磷酸酯钾盐抑制剂对Co互连化学机械抛光的影响
《润滑与密封》2024年第10期84-91,共8页田雨暄 王胜利 罗翀 王辰伟 张国林 孙纪元 冯鹏 盛媛慧 
河北省自然科学基金项目(E2019202367)。
针对抛光液中传统抑制剂如苯丙三氮唑(BTA)等具有毒性,会污染环境等问题,以SiO2为磨料,在甘氨酸-双氧水体系下,使用单烷基磷酸酯钾盐(MAPK)作为新型抑制剂制备Co互连粗抛抛光液,通过抛光和静态腐蚀实验和电化学、光电子能谱、接触角分...
关键词：钴 化学机械抛光 抑制剂 去除速率 表面质量 
低浓度CeO_(2)/SiO_(2)复合磨料对硅片CMP性能的影响
《电子元件与材料》2024年第10期1227-1234,共8页刘文博 王辰伟 罗翀 岳泽昊 王雪洁 邵祥清 李瑾 
河北省自然科学基金(E2019202367)。
为了在硅衬底化学机械平坦化(CMP)过程中提高对硅衬底的去除速率,同时获得良好的表面质量,选用了CeO_(2)包覆SiO_(2)的壳核结构复合磨料,研究其在低浓度下对硅衬底去除速率和表面质量的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)、光电子能谱(XPS)...
关键词：化学机械抛光(CMP) CeO_(2)/SiO_(2)复合磨料 硅 去除速率 表面质量 
铜互连CMP工艺技术分析
《集成电路应用》2024年第7期78-79,共2页宋红伟 宋洁晶 秦龙 
阐述CMP设备抛光头压力和抛光液中H_(2)O_(2)浓度对TSV工艺面铜去除速率和平坦化的影响。分析发现,粗抛压力3.0psi、精抛压力1.0psi、H_(2)O_(2)浓度2wt%时CMP加工效率高且通孔碟坑深度≤0.5μm。
关键词：集成电路制造 TSV CMP 去除速率 平坦化 
E1310P和FMEE复配对铜膜CMP性能的影响被引量：1
《微纳电子技术》2024年第4期187-195,共9页孙纪元 周建伟 罗翀 田雨暄 李丁杰 杨云点 盛媛慧 
国家自然科学基金(62074049)。
针对化学机械抛光(CMP)中传统唑类缓蚀剂毒性强、成本高,在表面形成坚硬钝化膜难以去除等问题,在甘氨酸-双氧水体系下,使用阴离子表面活性剂聚氧乙烯醚磷酸酯(E1310P)和非离子表面活性剂脂肪酸甲酯乙氧基化物(FMEE)复配替代传统唑类缓...
关键词：化学机械抛光(CMP) 去除速率 协同吸附 表面质量 密度泛函理论(DFT) 
复合磨料的制备及其对层间介质CMP性能的影响被引量：1
《半导体技术》2024年第4期323-329,共7页陈志博 王辰伟 罗翀 杨啸 孙纪元 王雪洁 杨云点 
国家自然科学基金(62074049)。
以SiO_(2)为内核、CeO_(2)为外壳制备出了核壳结构复合磨料,用以提升集成电路层间介质的去除速率及表面一致性。采用扫描电子显微镜(SEM)观察复合磨料的表面形貌,利用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(...
关键词：复合磨料 核壳结构 层间介质 化学机械抛光(CMP) 去除速率 
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