刻蚀速率

作品数：183被引量：360H指数：9
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ICP刻蚀Mo侧壁角度及刻蚀速率的研究
《压电与声光》2025年第1期59-62,共4页田本朗 梁柳洪 何成勇 罗淦 郭耀祖 米佳 
采用基于Cl基气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀设备对金属Mo薄膜进行刻蚀,研究了刻蚀条件对侧壁角度以及刻蚀速率的控制。通过调节ICP干法刻蚀过程中射频源功率、ICP离子源功率、腔体压力、混合气体流量比例等工艺参数,实现了14.8°...
关键词：电感耦合等离子体(ICP) MO 薄膜体声波谐振器(FBAR) 侧壁角度 刻蚀速率 
6英寸SiC基GaN HEMT背孔刻蚀技术研究
《微纳电子技术》2024年第12期163-170,共8页孔欣 
6英寸(1英寸=2.54 cm)SiC基GaN晶圆减薄后翘曲和总厚度变化(TTV)较大,给背孔刻蚀工艺带来了极大的挑战。以SF6和O2为刻蚀气体,通过研究气体流量及流量配比、腔体压力、感应耦合等离子体(ICP)功率、偏置功率等参数对SiC刻蚀速率和SiC对Ga...
关键词：碳化硅 氮化镓 背孔 两段式刻蚀 刻蚀速率 选择比 可靠性 
基于SF_(6)/Ar的电感耦合等离子体干法刻蚀β-Ga_(2)O_(3)薄膜
《半导体技术》2024年第7期624-628,共5页曾祥余 马奎 杨发顺 
半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(01))。
使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表...
关键词：电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 Ga_(2)O_(3)薄膜 刻蚀速率 光刻胶掩膜 低粗糙度表面 
铂电极的电感耦合等离子体刻蚀工艺研究
《固体电子学研究与进展》2024年第3期264-268,274,共6页宋琳 周燕萍 左超 上村隆一郎 杨秉君 
铂(Pt)金属因其特有的优良性能被广泛用作电极材料,干法刻蚀是获得器件图形的关键工艺技术,另外为了避免使用有毒性的Cl_(2),本文采用Ar/BCl_(3)作为刻蚀工艺气体,光刻胶作为刻蚀掩膜,对Pt电极材料做了干法刻蚀工艺的研究,系统地分析了...
关键词：电感耦合等离子体(ICP) 铂(Pt)电极 刻蚀速率 刻蚀形貌 均匀性 
低损耗聚合物光波导反应离子刻蚀工艺的研究
《三门峡职业技术学院学报》2024年第2期134-140,共7页郭琦 尤向阳 
反应离子刻蚀是聚合物光波导制备过程中的一项关键工艺。通过改变射频功率RF、反应腔室压强以及混合气体组成与配比等参数研究对波导刻蚀的影响因素,利用台阶仪、金相显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观测波导形貌,找到了表面毛糙度小、侧...
关键词：RIE刻蚀 聚合物光波导 毛糙度 刻蚀速率 
背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制备技术研究
《压电与声光》2024年第3期296-299,共4页徐阳 司美菊 吴高米 刘文怡 巩乐乐 甄静怡 余奇 陈金琳 
随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背...
关键词：干法刻蚀 刻蚀速率 横向激励 机电耦合系数 薄膜体声波谐振器 
基于PS球自组装技术的GaN纳米柱阵列ICP刻蚀工艺研究
《机电工程技术》2024年第4期273-277,共5页谢婷 冯林 杨丽艳 邹继军 邓文娟 
江西省科技厅重点研发项目(20203BBE53030)。
选用蓝宝石衬底上生长的P型氮化镓为材料,通过自组装技术制备的PS球为掩膜,采用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀的方法来制备形状规则、周期均匀的纳米结构。在制备过程中,氮化镓纳米结构的形貌受诸多因素的影响,例如胶体球掩膜自组装的...
关键词：PS球自组装 ICP刻蚀 GaN纳米柱 刻蚀速率 
压阻式压力传感器硅电阻条浅槽刻蚀的研究
《舰船电子工程》2024年第4期199-202,共4页王天靖 梁庭 雷程 王婧 冀鹏飞 
MEMS压阻式压力传感器的电阻条刻蚀效果对传感器的性能及高温环境下工作寿命起着至关重要的作用。采用SPTS深硅刻蚀机以SF6为刻蚀气体,C4F8为保护气体进行刻蚀实验。通过改变刻蚀气体通入时长、保护气体通入时长以及射频功率进行参数匹...
关键词：压力传感器 电阻条 深硅刻蚀 刻蚀 刻蚀速率 均匀性 
离子束刻蚀技术在SAW滤波器频率修整上的应用
《微纳电子技术》2024年第3期169-175,共7页时鹏程 吴兵 袁燕 于海洋 林树超 孟腾飞 周培根 
随着声表面波(SAW)滤波器的应用向高频、窄带方向延伸,在制造过程中准确地控制其中心频率及一致性变得越来越困难,需要对SAW滤波器的频率进行微调。重点介绍了一种在SAW滤波器上可实现目标频率修整的离子束刻蚀修频工艺,通过实验发现刻...
关键词：声表面波(SAW)滤波器 离子束刻蚀 频率修整 刻蚀速率 微观结构 
梳齿结构深刻蚀工艺改进被引量：1
《传感器与微系统》2024年第2期49-51,56,共4页杜广森 张富强 徐锡金 
梳齿型谐振式传感器对谐振器梳齿的形貌有很高的要求,需要梳齿侧壁很好的垂直度、粗糙度以及片间均匀性等。采用感应耦合等离子体(ICP)深硅刻蚀工艺对具有深宽比较大的梳齿结构进行深刻蚀研究。影响深硅刻蚀的主要因素包括SF_(6)和C_(4)...
关键词：深刻蚀 刻蚀速率 均匀性 粗糙度 
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