深刻蚀

作品数：65被引量：150H指数：6
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：周常河张大成何建军李婷阮勇更多>>
相关机构：南京津淞涵电力科技有限公司南京汇邦智能科技有限公司北京大学中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
相关期刊：《微电子学与计算机》《仪器仪表学报》《表面技术》《光子学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
梳齿结构深刻蚀工艺改进被引量：1
《传感器与微系统》2024年第2期49-51,56,共4页杜广森 张富强 徐锡金 
梳齿型谐振式传感器对谐振器梳齿的形貌有很高的要求,需要梳齿侧壁很好的垂直度、粗糙度以及片间均匀性等。采用感应耦合等离子体(ICP)深硅刻蚀工艺对具有深宽比较大的梳齿结构进行深刻蚀研究。影响深硅刻蚀的主要因素包括SF_(6)和C_(4)...
关键词：深刻蚀 刻蚀速率 均匀性 粗糙度 
基于SPR效应的深刻蚀微开口双芯对称D型PCF传感器
《光通信技术》2024年第1期39-45,共7页彭江 王静 
南京邮电大学校级自然科学基金项目(NY222129)资助。
为了进一步提升生物传感器传感性能,设计了一种基于表面等离子共振(SPR)效应的深刻蚀微开口双芯对称D型光子晶体光纤(PCF)传感器。该传感器采用堆叠、拉伸技术和化学气相沉积(CVD)技术制备,具有2种不同直径的气孔,且这2种气孔呈对称结...
关键词：葡萄糖 折射率传感 生物传感 表面等离子体共振 
Cu箔集流体飞秒激光深刻蚀织构化及其对锂离子电池性能的影响
《表面技术》2024年第1期115-122,共8页王京博 曹利 李松原 肖荣诗 黄婷 
国家自然科学基金(51975018)。
目的 使用飞秒激光在Cu箔表面深刻蚀织构化,制备微纳沟槽结构,提高锂离子电池Si电极循环稳定性。方法 系统研究激光能量密度、单位点有效脉冲数对厚度为9μm的Cu箔的表面形貌和微纳结构的影响规律,根据结果设计不同沟槽密度和沟槽深度...
关键词：绿光飞秒激光 激光刻蚀 Cu箔集流体 Si电极 循环稳定性 
微机电系统制造工艺综述被引量：3
《新型工业化》2022年第7期71-75,共5页胡艺森 
微机电系统(MEMS)是基于集成电路和微机械加工技术发展起来的机械系统,本文阐述了国内外微机电系统发展的情况,论述了微机电系统制造技术的种类、方法、材料及应用领域,总结了湿法刻蚀、干法深刻蚀、表面微加工三种常用的MEMS加工工艺...
关键词：MEMS 湿法刻蚀 干法深刻蚀 表面微加工 
4H-SiC深槽刻蚀及其形貌的改善
《固体电子学研究与进展》2022年第3期239-243,共5页董志华 刘辉 曾春红 张璇 孙玉华 崔奇 程知群 张宝顺 
国家自然科学基金青年科学基金资助课题(61804166)。
采用磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀装置对4H-SiC进行深槽刻蚀。研究了偏置电源功率和反应腔室压强对深槽中微沟槽效应和侧壁粗糙度的影响。实验发现:提高偏置电源功率和腔室压强可以消除深槽中的微沟槽效应,并且提高腔室压强还可以...
关键词：碳化硅 深刻蚀 微沟槽 侧壁粗糙度 
基于多层抗蚀剂的GaAs基微纳光栅深刻蚀工艺被引量：5
《中国激光》2022年第3期163-170,共8页杨晶晶 范杰 马晓辉 邹永刚 王琦琦 
吉林省科技发展计划项目(20190302052GX)。
采用电子束光刻技术制备出了深刻蚀的GaAs基微纳光栅。针对电子束曝光过程中存在的由邻近效应引起的光栅结构图形失真和变形的问题,本课题组采用厚度较薄的PMMA A4抗蚀剂和SiO_(2)薄膜形成多层抗蚀剂来减小邻近效应,同时将SiO_(2)薄膜...
关键词：光栅 电子束光刻 邻近效应 干法刻蚀 长草现象 
上海光机所在激光抛光熔石英元件方面取得新进展
《润滑与密封》2021年第1期116-116,共1页
近期,中国科学院上海光学精密机械研究所精密光学制造与检测中心研究团队结合化学深刻蚀和激光抛光对精磨后的熔石英玻璃进行加工,获得了具有超光滑表面和高激光损伤阈值的熔石英元件。相关研究成果发表于Optics Letters。
关键词：激光抛光 上海光机所 激光损伤阈值 检测中心 深刻蚀 精密光学 中国科学院 熔石英玻璃 
新型5×5分束达曼光栅的设计与制作被引量：3
《微纳电子技术》2018年第9期677-682,共6页周丽 钟青 李劲劲 邢海斌 王雪深 周哲海 王晓玲 
国家自然科学基金资助项目(61475021);中国计量科学研究院探索性创新项目(31AKYCX170217);北京信息科技大学勤信学者支持计划资助项目(QXTCP-A201701);北京信息科技大学2017—2018年度“实培计划”资助项目
基于理论设计了一种面内旋转对称的新型5×5分束达曼光栅,研究并优化了光栅制作中曝光、显影及深刻蚀等关键工艺参数。采用接触式曝光和感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术,在石英基底上制作出达曼光栅结构。实验中通过优化石英基底上接...
关键词：达曼光栅 二元光学 光刻 邻近效应 深刻蚀 
刻蚀深度对GaN基微尺寸LED芯片RC特性的影响被引量：4
《发光学报》2018年第9期1297-1304,共8页杨倬波 黄华茂 施伟 王洪 
广东省应用型科技研发专项资金(2015B010127013;2016B010123004);广东省科技计划(2014B010119002;2017B010112003;2016A010103011;2017A050501006);广州市科技计划(201504291502518;201604046021;2016100100 38);中央高校基本科研业务费专项资金(2017PY019;2015ZM131)资助项目~~
隔离槽的制作是实现阵列芯片单元独立的有效方法。本文采用感应耦合等离子体干法刻蚀(ICP)和具有高刻蚀比的Si O2与光刻胶混合掩膜在Ga N基微尺寸LED上制备了3种深度的隔离槽和6种不同的芯片尺寸结构。通过电致发光(EL)和电容计表征不...
关键词：深刻蚀隔离槽 微尺寸LED芯片 电容 RC常数 
微剪切应力传感器的加工工艺
《强激光与粒子束》2017年第10期102-106,共5页袁明权 雷强 王雄 
国家自然科学基金项目(61574131);西南科技大学特殊环境机器人技术四川省重点实验室开放基金项目(14ZXTK01);西南科技大学研究生创新基金项目(16YCX103)
提出了一种感测单元不直接接触流场的微剪切应力传感器结构,详细阐述了其感测单元MEMS制作工艺。采用热氧化硅掩膜方法解决了硅深刻蚀的选择比问题;优化后的硅深刻蚀工艺参数:刻蚀功率1600W、低频(LF)功率100W,SF6流量360cm3/min,C4F8流...
关键词：高超声速飞行器 微剪切应力传感器 硅深刻蚀 喷淋腐蚀 
全选清除导出
共7页<1234567>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部