硅深刻蚀

作品数：9被引量：20H指数：3
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微剪切应力传感器的加工工艺
《强激光与粒子束》2017年第10期102-106,共5页袁明权 雷强 王雄 
国家自然科学基金项目(61574131);西南科技大学特殊环境机器人技术四川省重点实验室开放基金项目(14ZXTK01);西南科技大学研究生创新基金项目(16YCX103)
提出了一种感测单元不直接接触流场的微剪切应力传感器结构,详细阐述了其感测单元MEMS制作工艺。采用热氧化硅掩膜方法解决了硅深刻蚀的选择比问题;优化后的硅深刻蚀工艺参数:刻蚀功率1600W、低频(LF)功率100W,SF6流量360cm3/min,C4F8流...
关键词：高超声速飞行器 微剪切应力传感器 硅深刻蚀 喷淋腐蚀 
ICP硅深刻蚀槽壁垂直度的研究被引量：6
《微纳电子技术》2015年第3期185-190,共6页刘方方 展明浩 许高斌 黄斌 管朋 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2013AA041101)
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是体硅深加工的一项关键技术。介绍了ICP刻蚀技术的相关概念与方法,在对Si(100)进行大量深刻蚀实验的基础上,深入分析刻蚀∕钝化周期、极板功率、SF6/C4F8气体流量和腔室压力等主要工艺参数对刻蚀侧壁垂...
关键词：电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 工艺参数 正交实验 过程优化 刻蚀垂直度 
一种硅深刻蚀中抑制Lag效应的新方法被引量：2
《航空精密制造技术》2010年第3期9-11,共3页张洪海 苑伟政 马志波 
在MEMS器件加工过程中,采用ICP刻蚀不同深宽比的三维结构时,由于Lag效应的影响,使较大尺寸的线条有较快的刻蚀速率,导致刻蚀深度的差异。为了抑制Lag效应,本文以S.L.Lai的三阶段模型为基础,提出一种可以对Lag效应进行补偿的刻蚀模型。
关键词：MEMS Lag效应 刻蚀模型 刻蚀速率 
硅深刻蚀中掩蔽层材料刻蚀选择比的研究被引量：4
《半导体光电》2009年第2期211-214,共4页蔡长龙 马睿 刘卫国 刘欢 周顺 
西安-应用材料创新基金研究项目(XA-AM-200618)
基于硅的高深宽比微细结构是先进微器件的关键结构之一,在其加工工艺中,具有高选择比的掩蔽层材料是该结构实现的重要保证。研究了在感应耦合等离子体刻蚀过程中射频功率和气体流量对不同材料刻蚀性能的影响,获得了在SF6等离子体中Si,Si...
关键词：等离子体刻蚀 掩蔽层材料 刻蚀速率 选择比 
硅深刻蚀中掩蔽层材料的研究被引量：2
《西安工业大学学报》2008年第4期307-312,共6页蔡长龙 马睿 刘卫国 
西安应用材料创新基金(XA-AM-200618)
掩蔽层材料选择比低是硅高深宽比微结构实现的限制之一.为了获得高质量的掩蔽层材料,利用感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,ICP)刻蚀方法,选择SiO2,MgO,Al作为掩蔽层材料,通过研究刻蚀过程中射频功率及气体流量对SiO2,MgO,A...
关键词：ICP刻蚀 掩蔽层材料 刻蚀速率 选择比 
一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究被引量：2
《微纳电子技术》2007年第7期37-39,共3页阮勇 叶双莉 张大成 任天令 刘理天 
提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法。该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2，硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2。由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120∶1-125∶1，因此SiO2层可以抑制在硅-玻璃结构的刻蚀中出现的lag和footing效应，扫...
关键词：微电子机械系统 硅-玻璃阳极键合 硅深刻蚀 刻蚀损伤 
深刻蚀的利器——ICP被引量：1
《集成电路应用》2002年第9期48-51,共4页陈浩 朱桂枫 谢嘉明 陈海明 
等离子刻蚀技术作为一门较新的技术在半导体集成电路MEMS、光通讯技术及传感器制作等领域广泛应用。
关键词：等离子刻蚀技术 ICP 半导体集成电路 光通讯技术 干法刻蚀 工艺控制参数 硅深刻蚀 
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