云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 刻蚀损伤

刻蚀损伤: 作品数：20被引量：29H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：冯志红陈珙杨远程黎明黄如更多>>; 相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司中国科学院北京大学更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《深圳信息职业技术学院学报》《红外与激光工程》《激光与红外》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金北京市科技新星计划更多>>

消除硅通孔侧壁刻蚀损伤的方法: 《电子工艺技术》2023年第4期10-12,43,共4页康建波商庆杰王利芹; 国家强基项目(亚毫米波3D集成与系统验证)。; 硅通孔刻蚀是TSV技术的重要工序步骤,采用标准博世(Bosch)工艺刻蚀硅通孔(宽为150μm),发现硅通孔侧壁出现多处刻蚀损伤。通过优化Bosch工艺参数增加沉积保护,消除了硅通孔侧壁刻蚀损伤问题,通孔开口差值,即通孔下开口宽度与通孔上开口...; 关键词：硅通孔刻蚀 TSV技术 Bosch工艺刻蚀损伤硅腔

GaAs基VCSEL干法刻蚀技术研究综述被引量：1: 《红外》2023年第2期24-34,共11页范昊轩张文博李沐泽郝永芹; 国家自然科学基金项目(11474038);吉林省科技发展计划项目(20200401073GX)。; GaAs基垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)自1977年问世以来,凭借阈值电流较低、光束质量很高、可集成到二维阵列、易单模激射等优势被广泛应用于各个领域,但是其尺寸过小而在制造中难以精确控制精度、...; 关键词：GAAS 垂直腔面发射激光器干法刻蚀选择性刻蚀刻蚀损伤

逐层刻蚀工艺在半导体器件制造中的应用: 《电子工业专用设备》2018年第6期10-11,共2页张轶铭刘利坚; 在常规的等离子体刻蚀基础上,介绍了一种基于循环方式的逐层刻蚀方法及进一步改善的方案,可以有效解决常规等离子体刻蚀的深宽比相关效应,提高刻蚀选择比,降低刻蚀粗糙度和损伤。; 关键词：等离子体刻蚀逐层刻蚀刻蚀损伤

反应离子刻蚀损伤对4H-SiC肖特基二极管性能的影响被引量：2: 《半导体技术》2016年第5期384-389,共6页郭立建韩军邢艳辉王凯赵康康于保宁; 国家自然科学基金资助项目(61204011;11204009);北京市自然科学基金资助项目(4142005);北京市教委能力提升资助项目(PXM2014_014204_07_000018); 通过反应离子刻蚀（RIE）系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C肖特基势垒二极管电学性能的影响。研究表明,刻蚀速率和Si C表面形貌都会受到RF功率、压强和刻蚀气体（...; 关键词：反应离子刻蚀(RIE) 碳化硅(SiC) 肖特基二极管刻蚀损伤电流-电压特性

氧化硅干法各向异性刻蚀研究: 《黑龙江科技信息》2014年第24期10-10,共1页同小锦刘青; 氧化硅的干法各向异性刻蚀是芯片制造中的一项关键工艺技术,集成电路的制造发展到ULSI(甚大规模集成电路)阶段,图形密度越来越高,加工线条越来越细,加工精度的要求也越来越严格。; 关键词：芯片制造氧化硅刻蚀各向异性选择比刻蚀损伤

相变材料等离子体刻蚀的研究进展: 《微纳电子技术》2014年第5期315-323,共9页李俊焘刘波宋志棠冯高明朱南飞任佳栋封松林; 国家重点基础研究发展计划资助项目(2010CB934300;2013CBA01900;2011CBA00607;2011CB932804);中国科学院先导类专项资助项目(XDA09020402);国家集成电路重大专项资助项目(2009ZX02023-003);国家自然科学基金资助项目(61076121;61176122;61106001;61261160500;61376006);上海市科委资助项目(12nm0503701;13DZ2295700); 首先综述了相变材料等离子体刻蚀技术的研究进展,然后讨论了影响相变材料等离子体刻蚀的主要工艺参数,如线圈功率、腔体气压、偏压、刻蚀气体及气体比例等,进而解释了工艺参数与刻蚀结果的依赖关系。同时采用多种分析手段,对相变材料在...; 关键词：等离子体刻蚀相变材料相变存储器(PCM) Ge2Sb2Te5 刻蚀损伤刻蚀机理

ICP刻蚀InGaAs的微观损伤机制研究被引量：3: 《红外与激光工程》2013年第8期2186-2189,共4页程吉凤朱耀明唐恒敬李雪邵秀梅李淘; 国家自然科学基金(61007067); 为获得低损伤、稳定性好的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InGaAs探测器台面成型工艺,采用Raman光谱技术和X射线衍射(XRD)技术,初步研究了Cl2/N2气氛刻蚀InGaAs的主要损伤机制,确定以晶格缺陷损伤为主;并采用微波反射光电导衰退(μ-PCD)法对...; 关键词：感应耦合等离子体铟镓砷 RAMAN光谱 XRD 刻蚀损伤

ICP腔室压力对AlGaN表面刻蚀损伤的影响被引量：1: 《半导体光电》2013年第1期79-83,87,共6页周勋田坤赵文伯龙维刚; 对高Al组分AlxGa1-xN(x=50%)进行了ICP刻蚀实验研究,在刻蚀深度相同的前提条件下,对比分析了ICP腔室压力与AlGaN表面损伤之间的相互关系,并讨论了低温热退火对ICP刻蚀损伤的修复作用。XPS测试结果表明,与未经刻蚀的AlGaN表面相比,ICP刻...; 关键词：高Al组分AlGaN ICP刻蚀 XPS 表面损伤低温热退火

集成工艺中湿法刻蚀对锆钛酸铅性能的影响(英文): 《纳米技术与精密工程》2011年第4期357-363,共7页张明明贾泽尹聪王林凯任天令; 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2009AA01Z115);国家科技重大专项资助(2009ZX02023-1-3); 通过将溶胶凝胶法制备的锆钛酸铅(PZT)在非晶态和多晶态进行刻蚀,对比未经刻蚀的PZT性能,研究了集成工艺中湿法刻蚀造成极化和耐久性能退化的机理.PZT的结晶图谱和表面形貌分析发现,湿法刻蚀中产生的非铁电成分由于具有较小的介电常数,...; 关键词：锆钛酸铅湿法刻蚀性能退化尺寸刻蚀损伤

氮化镓晶体刻蚀损伤及其回复方法研究: 《深圳信息职业技术学院学报》2011年第3期6-9,共4页王新中李世国; 国家自然科学基金(60876011);广东省自然科学基金(10451802904006046);广东省科技计划(2010B010800013); 干法刻蚀中高能量等离子体轰击将不可避免地在氮化镓材料表面引起损伤,这些表面损伤可能会严重影响氮化镓(GaN)材料质量和器件的性能。本文研究了干法刻蚀对GaN晶体表面粗糙度、光学特性和电学性能影响,同时分析了刻蚀损伤的回复方法,...; 关键词：氮化镓干法刻蚀回复

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