云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GAAS

GAAS: 作品数：2437被引量：2148H指数：12; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：牛智川杨瑞霞李拂晓夏冠群陆卫更多>>; 相关机构：中国科学院南京电子器件研究所中国电子科技集团第十三研究所长春理工大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>

High carrier collection efficiency in graphene/GaAs heterojunction photodetectors: 《Journal of Semiconductors》2025年第4期81-87,共7页Baorui Fang Ye Tian Zongmin Ma; supported by the National Natural Science Foundation of China(62375279);Suzhou Industrial Science and Technology Program(SYG202340,SJC2023004);Distinguished Young Scholar Fund of Natural Science Foundation of Jiangsu Province(BK20240125).; In the rapidly evolving field of modern technology,near-infrared(NIR)photodetectors are extremely crucial for efficient and reliable optical communications.The graphene/GaAs Schottky junction photodetector leverages g...; 关键词：GRAPHENE GAAS Schottky junction interdigitated electrode

19~21 GHz GaAs高线性功率放大器MMIC: 《电子技术应用》2025年第4期72-78,共7页刘晓禹韩程浩阮文武郭润楠刘伶许鑫东侯泽文庄园余旭明陶洪琪; 基于0.15μm GaAs高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺研制了一款19~21 GHz的高线性功率放大器单片微波集成电路。高峰均比信号传输场景中,功率放大器的效率和线性度对射频前端性能具有关键影响。该放大器在功放栅极级联冷模线性化电路,以补...; 关键词：自适应稳压偏置冷模高线性砷化镓

晶圆键合GaAs/InGaAs双结太阳电池: 《半导体技术》2025年第4期365-371,共7页蒋卓宇李娟孔祥力代盼孙强健; 中国长江电力股份有限公司、三峡电能有限公司科研项目(Z152302052/Z612302016)。; 为了避免直接外延生长引起晶格失配问题,利用晶圆键合技术开发了GaAs/InGaAs双结太阳电池。采用金属固态源分子束外延(MBE)生长方法,在GaAs衬底上生长GaAs顶电池,在InP衬底上生长InGaAs底电池。通过晶圆键合技术将这些子电池键合在一起...; 关键词：分子束外延(MBE) INGAAS GAAS 晶圆键合双结太阳电池

卫星互联网用Ka波段开关功率芯片: 《微纳电子技术》2025年第3期53-59,共7页曲韩宾崔朝探芦雪王宇行杜鹏搏; 基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一种高集成、高效率、小尺寸的Ka波段单通道多功能芯片。芯片内部集成单刀双掷开关和功率放大器单元。开关单元采用1/4波长线并联一指开关管结构,以降低插入损耗;功率放大器采用...; 关键词：GAAS 多功能芯片高集成高效率级联设计

激光无线传能系统光电池阵列排布研究: 《激光与红外》2025年第3期420-424,共5页孟祥翔刘雨辉邱明杰徐新瑞; 为提高激光无线传能系统接收端的光电转换效率、对比验证接收端不同优化设计方法的优劣,开展了光电阵列不同排布方式的实验研究。分别研制了单一串联排布、顺次串并排布、依据照度分布的串并排布三种光电池阵列,并开展了实验研究。在高...; 关键词：激光无线能量传输光电池阵列排布光伏接收器 GaAs光电池光电池效率

GaAs纳米线光电探测器的制备及去除表面氧化后的性能分析: 《中国高新科技》2025年第4期28-29,32,共3页李先帅林逢源; 国家自然科学基金(12074045,62027820);吉林省自然科学基金项目(20210101408JC,20230101352JC)。; 表面氧化是指在材料表面形成的氧化物薄层,会导致光电器件的性能下降。分析了氯化氢(HCl)溶液对单GaAs纳米线光电探测器的去除表面氧化的作用。采用微纳加工制备出单GaAs纳米线光电探测器,通过HCl溶液对其进行浸泡处理10min,评估单个GaA...; 关键词：表面氧化氯化氢溶液 GaAs纳米线光电探测器

Femtosecond laser modulated into Bessel beam by spatial light modulator for Fresnel zone plate processing: 《Journal of Central South University》2025年第2期469-482,共14页DUAN Lian ZHOU Fang KONG De-jian ZHANG Fan SUN Xiao-yan DUAN Ji-an; Projects(51875584,51875585,51975590)supported by the National Natural Science Foundation of China。; Femtosecond laser processing is an important machining method for micro-optical components such as Fresnel zone plate(FZP).However,the low processing efficiency of the femtosecond laser restricts its application.Here,...; 关键词：femtosend laser Fresnel zone plate spatial light modulator Bessel beam GAAS

复合衬底薄膜砷化镓太阳电池技术研究: 《微纳电子技术》2025年第1期48-54,共7页郭哲俊施祥蕾周丽华张占飞钱勇吴敏李彬王波孙利杰王训春; 航天八院青年科研基金(KJW-JT-QNKYJJ-2023-12)。; 针对薄膜砷化镓(GaAs)太阳电池,提出了一种复合衬底结构及其一体化制备方法。采用微加工方法使该薄膜砷化镓太阳电池的复合式柔性衬底的厚度降低至15μm,薄膜GaAs太阳电池整体面密度低至95 g/m^(2),光刻形成的金属微孔使砷化镓与衬底背...; 关键词：薄膜太阳电池复合衬底砷化镓(GaAs) 柔性薄膜电池面密度

浅谈三代半导体材料的应用现状及前景展望: 《中国集成电路》2025年第1期34-39,共6页廖师师谢邱虹蒋琦; 四川大学锦江学院青年教师科研基金项目(QNJJ-2024-B02)。; 硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)分别作为第一代、第二代、第三代半导体典型材料之一,在各自的应用领域都发挥着重要作用,成为现代科技支柱的一部分。本文分别从材料物理特性、器件结构及工艺制造、未来挑战三个方面对Si、GaAs、GaN...; 关键词：SI GAAS GAN 半导体器件结构工艺制造

Femtosecond mode-locking and soliton molecule generation based on a GaAs saturable absorber: 《Chinese Physics B》2025年第1期344-349,共6页Chen-Yan Zhang Xin-He Dou Zhen Chen Jing-Han Zhao Wei Sun Ze-Yu Fan Tao Zhang Hao Teng Zhi-Guo Lv; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.12164030);Young Science and Technology Talents of Inner Mongolia,China(Grant No.NJYT22101);the Central Government Guides Local Science,the Technology Development Fund Projects(Grant No.2023ZY0005);the Science and Technology Plan Projects of Inner Mongolia Autonomous Region of China(Grant No.2023KYPT0012)。; In the last few years,research on advanced ultrafast photonic devices has attracted great interest from laser physicists.As a semiconductor material with excellent nonlinear saturation absorption characteristics,Ga As...; 关键词：GAAS saturable absorber MODE-LOCKING soliton molecule

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