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INGAAS: 作品数：496被引量：723H指数：12; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：李雪龚海梅唐恒敬张永刚顾溢更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学院大学中国科学院研究生院山东大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目更多>>

晶圆键合GaAs/InGaAs双结太阳电池: 《半导体技术》2025年第4期365-371,共7页蒋卓宇李娟孔祥力代盼孙强健; 中国长江电力股份有限公司、三峡电能有限公司科研项目(Z152302052/Z612302016)。; 为了避免直接外延生长引起晶格失配问题,利用晶圆键合技术开发了GaAs/InGaAs双结太阳电池。采用金属固态源分子束外延(MBE)生长方法,在GaAs衬底上生长GaAs顶电池,在InP衬底上生长InGaAs底电池。通过晶圆键合技术将这些子电池键合在一起...; 关键词：分子束外延(MBE) INGAAS GAAS 晶圆键合双结太阳电池

Highly-efficient(>70%)and Wide-spectral(400-1700 nm)sub-micron-thick InGaAs photodiodes for future high-resolution image sensors: 《Light(Science & Applications)》2024年第12期3224-3235,共12页Dae-Myeong Geum Jinha Lim Junho Jang Seungyeop Ahn SeongKwang Kim Joonsup Shim Bong Ho Kim Juhyuk Park Woo Jin Baek Jaeyong Jeong SangHyeon Kim; supported by National Research Foundation of Korea(NRF)(2020M3H4A3081735,2022M3F3A2A01065057);support from Basic Science Research Program through the National Research Foundation of Korea(NRF)funded by the Ministry of Education(RS202300246113);in part by Korea Basic Science Institute(National research Facilities and Equipment Center)grant funded by the Ministry of Education(grant No.2023R1A6C103A035).; This paper demonstrates the novel approach of sub-micron-thick InGaAs broadband photodetectors(PDs)designed for high-resolution imaging from the visible to short-wavelength infrared(SWIR)spectrum.Conventional approach...; 关键词：THICK RESOLUTION image

2 nm GaAs插入层对905 nm波段InGaAs多量子阱发光的影响: 《发光学报》2024年第12期2011-2020,共10页甘露露王海珠张崇赵书存王祯胜王登魁马晓辉; 重庆自然科学基金(cstc2021jcyjmsxmX1060,CSTB2022NSCQ-MSX0401);吉林省科技发展计划(20210101473JC)。; 为探明GaAs插入层对905 nm波段InGaAs多量子阱材料发光性能的影响问题,基于InGaAs/InAlGaAs和InGaAs/AlGaAs两种量子阱材料,利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,制备了905 nm波段的InGaAs多量子阱材料。通过AFM和XRD测试发现,G...; 关键词：多量子阱 GaAs插入层局域态金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)

InP/InGaAsP/InGaAs场助近红外光电阴极理论建模和特性分析: 《半导体技术》2024年第9期806-812,817,共8页李想邓伟婷邓文娟彭新村周书民邹继军; 国家自然科学基金(61961001,11875012,62061001);江西省自然科学基金(20181BAB202026);江西省技术创新引导类项目(科技合作专项)(20212BDH80008);江西省“双千计划”项目(jxsq2019201053)。; 场助光电阴极可以有效提高长波阈值处的外量子效率,在近红外波段中有着较为广泛的应用。设计了pn结型n-InP/p-InGaAsP/p-InGaAs场助光电阴极,通过电流连续性方程建立其电子发射模型,在该模型基础上调整各层参数进行仿真,获得电子发射电...; 关键词：光电阴极场助 INGAASP 近红外外量子效率

基于不同衬底角度的GaInP/GaAs/InGaAs倒置三结太阳电池性能研究: 《光源与照明》2024年第8期37-39,共3页朱鸿根; 带隙组合为1.9/1.42/1.0 eV的三结GaAs太阳电池具有很好的电流匹配,AM0光谱下理论效率可达38%。由于不同衬底角度生长倒置三结的性能研究报道较少,文章分别采用6°和15°偏向角生长GaInP/GaAs/InGaAs倒置三结太阳电池进行研究,并研究其...; 关键词：衬底角度倒置生长三结GaAs太阳电池晶格失配

InGaAs阱簇复合纳米结构的能带填充规律被引量：1: 《光学学报》2024年第13期199-205,共7页王茹葛兴盛泓瑜杨舒婷王新宇许世航曾蕙明于庆南; “锡山英才计划”高校创新领军人才项目(2023xsyc002);江苏省高等学校基础科学(自然科学)研究项目(22KJB140016);江苏省双创博士项目(JSSCBS20210870,JSSCBS20210868);南京信息工程大学滨江学院人才启动经费(550221009,550221036);无锡学院大学生创新创业训练计划项目(202313982009Z)。; 为了探究InGaAs阱簇复合(WCC)纳米结构的能带填充规律和波长调谐能力,通过收集实验样品两侧辐射的光致发光(PL)光谱,结合材料增益和电子-空穴的准费米能级,分析WCC结构在不同非平衡载流子注入水平(9.0×10^(17)~9.6×10^(17)cm^(-3))下...; 关键词：材料阱簇复合纳米结构能带填充水平准费米能级波长调谐能力

高性能512×2元线列InGaAs短波红外探测器: 《红外技术》2024年第7期826-830,共5页朱琴范明国宋欣波齐浩泽方莉媛管涛龚晓霞; 针对色选行业对高均匀性、低暗电流、低盲元率的线列InGaAs短波红外探测器的迫切需求,本文基于MOCVD生长的n-i-n型InP/InGaAs/InP外延材料,采用扩散、钝化膜制备、电极生长等工艺,制备了512×2元线列InGaAs短波红外探测器。通过优化器...; 关键词：INGAAS 钝化暗电流倒装互联

用于InGaAs单光子探测器的微透镜阵列及表征: 《光学精密工程》2024年第11期1667-1675,共9页张晨阳莫德锋徐红艳马英杰顾溢李雪苏文献; 国家重点研发计划资助项目(No.2023YFB3209604);国家自然科学基金资助项目(No.62075229,No.62175250);上海市科技重大项目(No.2019SZZX01)。; 微透镜与探测器芯片的集成应用可以提高探测器的光能利用效率,从而提高探测器的灵敏度。针对两种InP基InGaAs单光子红外探测器,分别设计了材料为磷化镓和硅的两种方形孔径微透镜阵列。介绍了微透镜阵列结构参数的设计流程并分析了每个...; 关键词：微透镜阵列光探测器光能利用率矩形孔径

p型InGaAs薄层半导体欧姆接触特性分析: 《微纳电子技术》2024年第6期62-67,共6页宋红伟宋洁晶秦龙; 从电流在金属和半导体界面的拥堵效应出发,依据圆形传输线模型(CTLM)推导出适用于金属和薄层半导体间欧姆接触电阻率的表达式。利用四探针电阻测量法、高导电性下小电流密度测试法以及对薄膜电阻和传输线长度采用非线性拟合的方法获得...; 关键词：欧姆接触特性薄层半导体掺杂浓度合金温度

InGaAs单光子探测器封装技术进展: 《激光与光电子学进展》2024年第9期102-111,共10页张晨阳莫德锋徐红艳马英杰李雪苏文献; 国家自然科学基金(62075229,62175250);上海市科技重大项目(2019SZZX01)。; InGaAs单光子探测器已被广泛应用于激光三维成像、长距离高速数字通信、自由空间光通信和量子通信等。针对单元、线列和小面阵器件,已发展出同轴封装、蝶形封装、插针网格阵列封装等多种封装形式。探讨了温度对InGaAs单光子器件性能的...; 关键词：雪崩光电二极管 INGAAS 单光子探测器封装

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