多量子阱

作品数：575被引量：579H指数：10
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AlGaAs插入结构对InAlGaAs/AlGaAs多量子阱发光特性的影响
《发光学报》2025年第4期683-690,共8页赵书存 王海珠 王登魁 甘露露 王祯胜 吕明辉 马晓辉 
重庆市自然科学基金(cstc2021jcyjmsxmX1060,CSTB2022NSCQ-MSX0401)。
InAlGaAs/AlGaAs多量子阱(MQWs)因其较宽的光谱范围,在近红外及可见光区域受到越来越多的关注,并已经成为新兴的研究热点。本研究采用MOCVD生长技术制备InAlGaAs/AlGaAs多量子阱材料,依据选取插入层(ISL)材料时需要考虑的主要因素及理...
关键词：InAlGaAs多量子阱 插入层 金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD) 
基于动态复合寿命的LED多量子阱载流子分布计算
《电子元件与材料》2025年第1期24-32,共9页冯晓雨 肖秧 房永恒 田海涛 刘宏伟 张东炎 
天津市科技局资助项目(23YDTPJC00370);天津市光电检测技术与系统重点实验室资助项目(2023LOTDS003);天津市普通高等学校本科教学改革与质量建设研究计划(B231005812)。
为了得到多量子阱(MQWs)发光二极管(LED)在正向偏压下更精确的载流子寿命和浓度分布,研究了在动态复合寿命条件下LED的MQWs载流子复合特性和分布特性。研究工作中,使用金属有机气相沉积(MOCVD)设备生长了AlGaInP/GaInP MQWs LED材料并...
关键词：发光二极管 多量子阱 载流子寿命 AlGaInP/GaInP 
应变补偿BGaN/AlGaN超晶格深紫外LED空穴浓度
《固体电子学研究与进展》2024年第6期603-610,共8页董明慧 张燕 栾加航 申世英 
山东省教育厅高校“青创科技支持计划”资助项目(2023KJ294)。
高Al组份AlGaN薄膜中的Mg受主活化能较大、空穴浓度较低,制约了AlGaN基深紫外发光二极管(Light-emitting diode,LED)的辐射复合效率。为了提高AlGaN的空穴浓度,构筑了BGa N/AlGaN超晶格对空穴浓度进行补偿。由于应变产生了极化电场、能...
关键词：BGaN/AlGaN 超晶格 应变补偿 多量子阱 空穴浓度 发光二极管 
2 nm GaAs插入层对905 nm波段InGaAs多量子阱发光的影响
《发光学报》2024年第12期2011-2020,共10页甘露露 王海珠 张崇 赵书存 王祯胜 王登魁 马晓辉 
重庆自然科学基金(cstc2021jcyjmsxmX1060,CSTB2022NSCQ-MSX0401);吉林省科技发展计划(20210101473JC)。
为探明GaAs插入层对905 nm波段InGaAs多量子阱材料发光性能的影响问题,基于InGaAs/InAlGaAs和InGaAs/AlGaAs两种量子阱材料,利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,制备了905 nm波段的InGaAs多量子阱材料。通过AFM和XRD测试发现,G...
关键词：多量子阱 GaAs插入层 局域态 金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD) 
多量子阱钙钛矿半导体合成及光伏性能表征的综合实验设计被引量：2
《大学物理实验》2024年第5期27-33,共7页武光宝 夏俊民 陈润锋 
国家自然科学基金(62304110);江苏省基础研究计划自然科学基金(BK20230358);江苏省高等学校基础科学(自然科学)研究面上项目(23KJB510013);南京邮电大学引进人才自然科学研究启动基金(NY222109)。
随着全球能源需求的持续增长和环境保护意识的加强,开发和利用可再生能源成为了当务之急。在这一背景下,钙钛矿光伏电池以其高效率和低成本的特性受到了广泛研究。本文介绍了一个综合物理实验,即多量子阱钙钛矿的合成及其光伏性能的表...
关键词：多量子阱钙钛矿 光伏效应 光电性质 综合物理实验 
1.74μm大应变InGaAs/InGaAsP半导体锁模激光器
《红外与激光工程》2024年第6期90-97,共8页段阳 林中晞 苏辉 
国家重点研发计划项目(2023YFB2804803);中国科学院海西研究院自主部署项目(CXZX-2022-GH09);闽都创新实验室自主部署项目(2021ZR114)。
针对光频梳、医学光声成像及痕量气体探测等应用需要,研制了一种InP基碰撞锁模半导体激光器,可在1.74μm波段实现重复频率为19.3GHz的高效锁模,其射频(RF)谱半高全宽(FWHM)约14kHz。在可饱和吸收区未加偏压时,激光器的阈值电流为83mA,...
关键词：半导体激光器 碰撞锁模 InP基材料 InGaAs/InGaAsP多量子阱 
4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响
《发光学报》2024年第6期894-904,共11页张睿洁 郭亚楠 吴涵 刘志彬 闫建昌 李晋闽 王军喜 
国家重点研发计划(2022YFB3605104);国家自然科学基金(62274163,62022080,62135013,62234001,62250071);北京市科技新星计划(20230484466);中国科学院青年创新促进会(2022000028,2023123)。
SiC衬底是制备高性能AlGaN基深紫外激光器的良好候选衬底。采用金属有机化学气相沉积方法在4H-SiC衬底上生长了深紫外AlGaN/AlN多量子阱结构(MQWs),系统研讨了MQWs生长参数对深紫外激光结构自发辐射和受激辐射特性的影响规律。综合分析M...
关键词：ALGAN SIC 光泵浦激光器 Ⅴ/Ⅲ比 生长温度 
硅基InGaN/GaN多量子阱微盘器件的发光、探测和数据传输被引量：1
《发光学报》2024年第6期978-985,共8页秦飞飞 卢雪瑶 王潇璇 吴佳启 曹越 张蕾 樊学峰 朱刚毅 王永进 
江苏省自然科学青年基金(BK20210593);国家自然科学基金青年基金(62204127)。
光源和探测器的集成可有效促进轻量化和小型化光电系统的发展,InGaN/GaN多量子阱器件中发光与探测共存现象为收发一体芯片的设计提供了可能。本文采用标准半导体工艺制备了硅片上集成的圆盘形InGaN/GaN多量子阱阵列器件,并对其发光、探...
关键词：硅基InGaN/GaN 多量子阱器件 发光与探测 半双工通信 
利用等效电路分析提高1550nm脉冲半导体激光发射模块性能
《激光与光电子学进展》2024年第9期350-358,共9页李莉 李林 应家驹 李刚 王元铂 
为适应人眼安全激光主动探测应用对探测激光高功率、窄脉宽的要求,提出了一种利用等效电路模型分析提高1550nm脉冲半导体激光发射模块性能的方法。基于特定激光器参数建立对应的等效电路模型,并将模型引入发射模块脉冲驱动电路,通过仿...
关键词：激光主动探测 1550nm多量子阱激光器 等效电路 高功率 窄脉冲宽度 
通过诱导载流子的V坑传输提升GaN基绿光LED的空穴注入效率
《发光学报》2024年第5期800-808,共9页张东皓 杨东锴 徐畅 刘信佑 包立君 
国家自然科学基金(62071405)。
为了提升GaN基多量子阱LED的空穴注入效率,设计了具有不同最后势垒层结构的GaN基多量子阱外延结构,并将其制备为绿光mini-LED发光芯片,利用低温电致发光光谱、电流电压特性测试对其载流子传输机制进行了研究。结果表明,在采用AlGaN或GaN...
关键词：发光二极管 最后势垒层 空穴注入 INGAN/GAN多量子阱 V坑 
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