INGAN/GAN多量子阱

作品数：52被引量：101H指数：5
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相关作者：李国强杨为家王文樑林云昊刘作莲更多>>
相关机构：华南理工大学北京大学中国科学院山东大学更多>>
相关期刊：《中国陶瓷》《激光与光电子学进展》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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硅基InGaN/GaN多量子阱微盘器件的发光、探测和数据传输被引量：1
《发光学报》2024年第6期978-985,共8页秦飞飞 卢雪瑶 王潇璇 吴佳启 曹越 张蕾 樊学峰 朱刚毅 王永进 
江苏省自然科学青年基金(BK20210593);国家自然科学基金青年基金(62204127)。
光源和探测器的集成可有效促进轻量化和小型化光电系统的发展,InGaN/GaN多量子阱器件中发光与探测共存现象为收发一体芯片的设计提供了可能。本文采用标准半导体工艺制备了硅片上集成的圆盘形InGaN/GaN多量子阱阵列器件,并对其发光、探...
关键词：硅基InGaN/GaN 多量子阱器件 发光与探测 半双工通信 
通过诱导载流子的V坑传输提升GaN基绿光LED的空穴注入效率
《发光学报》2024年第5期800-808,共9页张东皓 杨东锴 徐畅 刘信佑 包立君 
国家自然科学基金(62071405)。
为了提升GaN基多量子阱LED的空穴注入效率,设计了具有不同最后势垒层结构的GaN基多量子阱外延结构,并将其制备为绿光mini-LED发光芯片,利用低温电致发光光谱、电流电压特性测试对其载流子传输机制进行了研究。结果表明,在采用AlGaN或GaN...
关键词：发光二极管 最后势垒层 空穴注入 INGAN/GAN多量子阱 V坑 
超晶格插入层对InGaN/GaN多量子阱的应变调制作用
《物理学报》2024年第7期292-299,共8页曹文彧 张雅婷 魏彦锋 朱丽娟 徐可 颜家圣 周书星 胡晓东 
湖北省教育厅科研计划(批准号:Q20222607);襄阳市基础研究科技计划(批准号:2022ABH006045);电子制造与封装集成湖北省重点实验室(武汉大学)开放基金(批准号:EMPI2023009);湖北文理学院教学研究项目(批准号:JY2023017);湖北文理学院博士科研启动基金(批准号:2020170367)资助的课题。
在InGaN/GaN异质结构量子阱内存在巨大的压电极化场,这严重地削弱了量子阱的发光效率.为了减弱量子阱内的压电极化场,通常引入应变调制插入层提升器件的发光性能.为了研究InGaN/GaN超晶格的应变调制效果和机理,实验设计制备了具有n型InG...
关键词：GAN 多量子阱 超晶格 应变调制 
面向可见光通信的硅基InGaN/GaN多量子阱多口分路器光子集成芯片
《电子与信息学报》2022年第8期2649-2658,共10页李欣 王徐 李芸 沙源清 蒋成伟 王永进 
中国博士后基金(2018M640508);南京邮电大学1311人才计划(1311);南京邮电大学宽带无线通信与传感网技术教育部重点实验室开放研究基金(JZNY202109)。
为研究面向可见光通信的多功能光子集成芯片,实现可见光信号发射、探测、传输和功率分配的一体化的复合功能,该文提出一种基于硅基InGaN/GaN多量子阱材料的微型发光二极管(LED)多口分路器结构的光子集成芯片,对集成芯片进行了形貌、光...
关键词：光子集成芯片 可见光通信 氮化镓 发光二极管 多口分路器 
面向可见光通信的硅基InGaN/GaN多量子阱波导定向耦合器光子集成芯片被引量：3
《电子与信息学报》2022年第8期2695-2702,共8页李欣 李芸 王徐 沙源清 蒋成伟 王永进 
中国博士后基金(2018M640508);南京邮电大学1311人才计划;南京邮电大学宽带无线通信与传感网技术教育部重点实验室开放研究基金。
利用可见光信号作为新型信息载体的光通信技术近些年来得到长足发展,为了开发新一代光子集成芯片作为可见光通信网络的终端器件,满足可见光信号发射、接收、传输与处理的复合需求,该文基于硅基InGaN/GaN多量子阱材料,设计了一种集成可...
关键词：可见光通信 氮化镓 发光二极管 定向耦合器 光子集成 
基于GaN微米阵列结构的单芯片白光LED有源区InGaN/GaN多量子阱结构设计被引量：1
《发光学报》2022年第7期1130-1138,共9页王永嘉 杨旭 李金钗 黄凯 康俊勇 
国家重点研发计划(2021YFB3600101);国家自然科学基金(61874090);福建省自然科学基金(2021J01008);厦门市重大科技项目(3502Z20191016)资助。
通过模拟仿真对双波长堆叠的c面InGaN/GaN多量子阱(MQWs)发光二级管的载流子浓度、自发辐射复合率以及极化电场等进行了研究。结果表明,通过调节双波长堆叠的InGaN多量子阱的阱层和垒层厚度,可调控载流子特别是空穴在量子阱有源区的分布...
关键词：单芯片白光LED 半极性面 INGAN 极化效应 
蓝光激光器结构中InGaN/GaN多量子阱界面效应的精细光致发光光谱研究
《光谱学与光谱分析》2022年第4期1179-1185,共7页王滔 刘建勋 葛啸天 王荣新 孙钱 宁吉强 郑昌成 
国家自然科学基金项目(11974378,11874390);中国科学院战略性先导科技专项(XDB43000000,XDB43020200);中国科学院前沿科学重点研究计划(QYZDB-SSW-JSC014,ZDBS-LY-JSC040);江苏高校“青蓝工程”项目资助。
金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备InGaN/GaN多量子阱结构时,在GaN势垒层生长的N_(2)载气中引入适量H_(2),能够有效改善阱/垒界面质量从而提升发光效率。本工作利用光致发光(PL)光谱技术,对蓝光激光器结构中的InGaN/GaN多量子阱的发...
关键词：INGAN/GAN多量子阱 光致发光光谱 量子限制Stark效应 载流子局域化 载流子复合寿命 
应变调制InGaN/GaN多量子阱的光谱漂移研究被引量：2
《激光与光电子学进展》2020年第15期211-215,共5页曹文彧 王文义 
湖北文理学院教师科研能力培育基金(2017kypy005)。
在InGaN/GaN多量子阱(MQW)中存在较大的压电极化场,由此引起的量子限制斯塔克效应(QCSE)会造成电子空穴的辐射复合率下降。设计生长了具备InGaN应变层的MQW结构以减弱极化场,并进行了变温、变激发强度的光致发光谱实验,结果表明,引入应...
关键词：多量子阱 光致发光 GAN 电致发光 
X射线和重离子辐射对GaN基发光二极管的影响
《微处理机》2019年第6期1-5,共5页王磊 李博 张学文 李彬鸿 罗家俊 刘新宇 袁清习 
针对航天军事核物理等应用环境,研究了白光光谱高能X射线和30MeV Si重离子辐射效应对蓝光InGaN/GaN多量子阱发光二极管的阈值电压、发光功率、发光波长及色坐标的影响,得出二极管阈值电压和发光功率随Si粒子注量的变化规律。对比研究结...
关键词：INGAN/GAN多量子阱 发光二极管 可见光通讯 X射线 重离子 辐射效应 位移损伤 
InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱被引量：3
《发光学报》2019年第7期891-897,共7页杨超普 方文卿 毛清华 杨岚 刘彦峰 李春 阳帆 
国家重点研发计划(2017YFB0403700);国家自然科学基金(61864008);安徽省自然科学面上基金(1808085MF205);陕西省自然科学基础研究计划(2017JQ6011)资助项目~~
利用MOCVD在Al2O3(0001)衬底上制备InGaN/GaNMQW结构蓝光LED外延片。以400mW中心波长405nm半导体激光器作为激发光源,采用自主搭建的100~330K低温PL谱测量装置,以及350~610K高温PL测量装置,测量不同温度下PL谱。通过Gaussian分峰拟合研...
关键词：GAN 多量子阱 发光二极管 外延 光致发光 
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