GAN

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二维GaN中带电缺陷性质的第一性原理研究
《原子与分子物理学报》2025年第4期147-155,共9页罗子江 毛淇 陈志涛 李改 刘雪飞 王继红 
国家自然科学基金(11664005,62065003);顺德职业技术学院博士科研启动项目(KYQD019);广东省哲学社会科学规划项目(GD23XXW26);广东省教育厅普通高校科研项目重点领域专项(2023ZDZX1092)。
带电缺陷形成能与电荷转移能级对探索材料中n-type或p-type掺杂具有重要指导意义.基于第一性原理方法,本文结合二维带电缺陷校正理论,将半局域泛函电荷转移能级有效转换到杂化泛函精度,对六方二维氮化镓(Hexagonal gallium nitride,h-_(...
关键词：二维GaN 第一性原理 带电缺陷 理论计算 
基于VGG19-SSGAN的加热炉内钢坯定位算法研究
《沈阳工程学院学报(自然科学版)》2025年第2期63-67,83,共6页张悦 张昊宇 张娜 
辽宁省教育厅项目(LJKMZ20221719)。
针对加热炉出钢过程中准确定位钢坯位置难的问题,提出一种VGG19-SSGAN的钢坯定位算法。首先,应用VGG19网络对钢坯在炉内图像数据进行特征提取,并将提取后的特征保存,用于后续网络的输入;其次,将提取的特征应用半监督GAN的图像识别网络...
关键词：加热炉 钢坯定位 半监督GAN 图像特征提取 
基于衬底台阶调控技术的高质量GaN生长
《半导体技术》2025年第5期481-487,共7页高楠 房玉龙 王波 张志荣 尹甲运 韩颖 刘超 
GaN晶体质量提升对材料及器件性能优化至关重要。通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在SiC衬底上对GaN晶体质量进行了实验研究。对比了高温H,刻蚀与高温HCl刻蚀对衬底台阶的影响,并对后续生长的AIN和GaN晶体质量进行了表征,发现增加衬...
关键词：金属有机物化学气相沉积(MOCVD) GAN 衬底台阶 高温刻蚀 半高宽(FWHM) 
基于GAN网络的孔洞填充方法
《工程勘察》2025年第5期48-54,共7页杨通 牛磊 
国家自然科学基金项目(42171401,41771433);甘肃省自然科学基金(20JR10RA247)。
点云是一种广泛应用于三维场景表示和处理的数据结构。然而,在真实世界中获取完整且准确的点云数据仍具有挑战性。因此,点云填充技术得到广泛研究,旨在通过生成缺失的点云数据来提升点云的完整性。本文提出一种基于生成对抗网络(GAN)的...
关键词：生成对抗网络 点云分割 孔洞填充 
基于GAN的GPS坐标时间序列降噪
《大地测量与地球动力学》2025年第5期506-511,共6页周新宇 陈刚 边家文 
国家自然科学基金(42274012)。
将生成对抗网络(generative adversarial networks, GAN)应用于GPS坐标时间序列的降噪处理中,通过生成器生成时间序列数据,并利用判别器对生成数据与干净的时间序列数据进行区分。在训练过程中,不断迭代优化生成器,直至判别器无法区分...
关键词：GPS坐标时间序列 深度学习 GAN 信号降噪 
锗硅异质结双极型晶体管的历史发展及其在高温电子中的应用
《集成电路与嵌入式系统》2025年第5期8-15,共8页官宇龙 常晓阳 王新河 
国家自然科学基金(No.62174010);北京市科技新星计划国家重点研发计划青年科学家(2022YFA1405900)。
近年来,锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT)不仅在高频性能上取得了显著成就,而且在高温电子器件的应用中也展现了独特的优势。本文阐述了SiGe HBT的发展历程及其在高温环境(100~300℃)中的应用潜力。目前最高性能的SiGe HBT的特征频率达...
关键词：高温电子 锗硅异质结双极型晶体管 双极型互补式金属氧化物半导体 SIC GAN 
基于可逆神经网络的黑盒GAN生成人脸反取证方法
《信息安全研究》2025年第5期394-401,共8页陈北京 冯逸凡 李玉茹 
国家自然科学基金项目(62072251)。
生成对抗网络(generative adversarial network, GAN)生成的人脸取证模型用于区分真实人脸和GAN生成人脸.但由于其易受对抗攻击影响,GAN生成人脸反取证技术应运而生.然而,现有反取证方法依赖白盒代理模型,迁移性不足.因此,提出了一种基...
关键词：对抗攻击 可逆神经网络 GAN生成人脸 反取证 黑盒 
基于NiO/GaN核壳纳米柱阵列异质结的高性能自供电紫外光电探测器
《半导体技术》2025年第5期443-448,共6页唐鑫 柳志成 江弘胜 李国强 
国家重点研发计划(2022YFB3604500,2022YFB3604501)。
针对紫外光电探测器在自供电模式下光探测性能差的难题,提出了一种基于NiO/GaN核壳结构的纳米柱阵列异质结的自供电紫外光电探测器。采用分子束外延(MBE)法制备了分立、均匀的GaN纳米柱阵列,在此基础上通过简单的高温热氧化法合成了均匀...
关键词：NiO/GaN 紫外光电探测器 纳米柱阵列异质结 分子束外延(MBE) 高温热氧化法 自供电光探测 
室温晶圆键合的金刚石基GaN HEMT制备与性能
《半导体技术》2025年第5期468-472,共5页张栋曜 周幸叶 郭红雨 余浩 吕元杰 冯志红 
国家重点研发计划项目(2022YFB3404304)。
GaN作为第三代宽禁带半导体材料,具有较大的自发极化系数和压电系数,可承受高功率密度,适用于高频、高温、大功率器件。随着GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)向小型化、大功率发展,散热问题已成为制约GaN功率器件性能提升的重要因素。高热导...
关键词：GAN 金刚石 微波功率 结温 散热能力 
DEVAE-GAN:多级认知工作负荷水平fNIRS数据生成模型
《电子科技》2025年第4期31-38,58,共9页陈利 马壮 尹钟 
国家自然科学基金(61703277);上海青年科技英才扬帆计划(17YF1427000)。
深度学习方法在fNIRS(functional Near-Infrared Spectroscopy)的应用已成为脑机接口领域的研究热点,但较少的可用数据限制了深度学习模型的性能。文中基于DEVAE-GAN(Dual-Encoder-Variational Autoencoder-Generative Adversarial Netw...
关键词：FNIRS DEVAE-GAN 数据生成 心理负荷任务 深度学习 生成模型 脑机接口 深度神经网络 
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