结温

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室温晶圆键合的金刚石基GaN HEMT制备与性能
《半导体技术》2025年第5期468-472,共5页张栋曜 周幸叶 郭红雨 余浩 吕元杰 冯志红 
国家重点研发计划项目(2022YFB3404304)。
GaN作为第三代宽禁带半导体材料,具有较大的自发极化系数和压电系数,可承受高功率密度,适用于高频、高温、大功率器件。随着GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)向小型化、大功率发展,散热问题已成为制约GaN功率器件性能提升的重要因素。高热导...
关键词：GAN 金刚石 微波功率 结温 散热能力 
用于LED照明产品寿命预测的结温测试
《河北大学学报(自然科学版)》2025年第2期148-156,共9页武德起 于宾 赵南南 李卫庭 楚晓杏 
河南省科技攻关项目(232102210157,252102310005)。
LED照明产品的使用寿命已经达到数万小时,如何加速测试LED照明产品的预测寿命成为当下的研究热点.温度应力法预测LED照明产品的寿命预期接受度高,有望成为理想的加速寿命测试方法,然而,在该方法中与样品预测寿命密切相关的结温测试一直...
关键词：结温 结电压 温度应力 加速寿命测试 温度系数 
故障电压诱发的功率模块温升规律
《半导体技术》2025年第4期407-416,共10页刘玮琳 霍思佳 乐应波 杨程 崔昊杨 
上海市自然科学基金资助项目(23ZR424400)。
故障电压引发的功率畸变诱发绝缘栅双极晶体管(IGBT)结温瞬变,但此过程的普遍规律、关联机制尚未明确,限制了故障电压穿越期变流器中IGBT热管理策略的针对性与有效性。通过模拟多种电压故障场景,探究了故障电压诱发的机网两侧变流器功...
关键词：故障电压穿越 变流器 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 功率畸变 结温 
热界面材料对大功率LED结温的优化研究
《汽车实用技术》2025年第6期82-87,共6页徐胜亮 王占 姜叶洁 晏紫 刘彬彬 卢彪武 
广州汽车集团有限公司和华南理工大学合作项目(X0M-CS-3)。
在造型紧凑、功能多样的汽车车灯大背景下,亮度高、发光面积小的大功率发光二极管(LED)被广泛用于汽车前照灯,但由此也带来散热问题。散热效率会影响LED的结温,从而影响LED的发光效率和工作寿命。热界面材料可以有效地降低热阻,提高大功...
关键词：热界面材料 前照灯 大功率LED 结温 
基于阵列波导光栅的IGBT功率模块结温监测
《电工技术学报》2025年第6期1796-1804,共9页高礼玉 栾洪洲 李天琦 黄欣欣 张锦龙 
国家电网有限公司总部管理科技项目“复杂电磁环境下基于硅光子感知芯片的换流阀多元监测关键技术研究”(5500-2024-40170A-1-1-ZN)资助。
高压、大功率型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是柔性直流输电网实现电能转换的核心组件,而高温是导致工程中IGBT模块的实际运行寿命远低于设计指标的最主要原因,因此实时监测IGBT模块内部温度是提高IGBT模块寿命、保证电网柔性直流输电正常...
关键词：IGBT模块 结温监测 波导布拉格光栅 阵列波导光栅 
基于大电流饱和压降法的结温在线监测电路研究进展
《半导体技术》2025年第3期201-213,共13页陈丰野 邓二平 吴立信 郭祥彬 丁立健 
结温在线监测对功率器件的高可靠性运行至关重要。在众多测量方法中,大电流饱和压降法是目前应用最广泛的在线结温测量方法。以理论推导为基础,阐述了大电流饱和压降法的结温计算原理,并总结了现有温度校准方法及数学模型的构建过程。接...
关键词：结温监测 IGBT模块 导通压降监测 温度校准 高压隔离 
基于传递函数的IGBT模块结温估计及老化监测方法
《天津理工大学学报》2025年第1期36-43,共8页孙谢鹏 杜明星 胡经纬 
天津市技术创新引导专项基金(20YDTPJC00510)。
绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor, IGBT)模块的Cauer模型与可靠性密切相关,因此研究Cauer模型及其参数的提取方法具有重要的实际意义。基于此,以三阶Cauer模型为例,研究了基于底板温度传递函数的热网络模型参数...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 Cauer频域模型 传递函数 结温估计 状态监测 
光伏发电系统IGBT寿命评估研究
《电工电气》2025年第2期32-37,共6页丁泽祥 
厦门大学嘉庚学院校级科研孵化项目(YM2024L06)。
传统绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件可靠性评估常采用过电压、过电流测试或功率循环与热测试法,但这些方法数据获取条件严苛且无法将加速实验数据与实际使用寿命建立联系。提出了一种通过Coffin-Manson-Arrhenius广延指数模型将二者联系...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 结温检测 电热等效模型 功率损耗 寿命预测 
SiC MOSFET结温监测与控制技术综述
《中国电机工程学报》2025年第3期1034-1051,I0019,共19页张擎昊 郑大勇 张品佳 
碳化硅(silicon carbide,SiC)金属-氧化物-半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)性能优越、发展迅猛,在工业界获得广泛应用。其失效与结温息息相关,故SiC MOSFET结温监控技术至关重要,近年来成为...
关键词：碳化硅金属-氧化物-半导体场效应管 温变机理 结温监测 结温控制 器件老化 
基于静态特性优化和非线性电容效应的IGBT行为模型改进
《半导体技术》2024年第12期1061-1071,共11页何婕玉 葛兴来 王惠民 许智亮 龙远斌 
功率器件的快速开关行为是影响变流器电磁干扰程度的主要因素,器件开关暂态过程的准确建模对提高变流器可靠性至关重要。然而,不同栅压下饱和电流差异以及寄生电容的非线性特征显著影响器件行为模型的准确性。为此,提出了一种行为模型...
关键词：结温监测 行为模型 非线性电容 静态特性优化 连续函数模型 
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