SIC

作品数：6298被引量：13004H指数：28
导出分析报告
相关领域：一般工业技术化学工程更多>>
相关作者：张玉明张义门杨延清王晓刚姚忠凯更多>>
相关机构：哈尔滨工业大学中国科学院西安电子科技大学西北工业大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
六方Al_(4)SiC_(4)弹性性质、电子结构和光学性质的第一性原理计算
《原子与分子物理学报》2025年第3期166-172,共7页刘运芳 张飞跃 冯嘉怡 李文广 刘正堂 
广西科技基地和人才专项项目(桂科AD19110122);广西高校中青年教师科研基础能力提升项目(2019KY0376)。
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法系统地研究了Al_(4)SiC_(4)的晶体结构、弹性常数、电子结构和光学性质,并对结果进行了理论分析.计算得到的晶格常数和弹性常数均与实验值及其它计算值相符,并说明了六方Al_(4)SiC_(4)的...
关键词：Al_(4)SiC_(4) 电子结构 光学性质 第一性原理 
SiC_(p)/Al复合材料纳米混粉电火花-电解复合加工特性研究
《电加工与模具》2025年第S1期66-74,共9页刘庆玉 沙瑞 王亚青 陈珂 王侃 
山东省自然科学基金项目(ZR2022ME081);工业流体节能与污染控制教育部重点实验室开放基金项目(2022-JXGCKFKT-YB-07);高等学校学科创新引智计划项目(D21017)。
为实现金属基复合材料的高效加工,以SiC_(p)/Al为工件,采用混入活性剂纳米颗粒的低浓度盐溶液作为工作液,开展纳米颗粒混粉电火花-电解复合加工小孔实验,调整了工作液配比和电加工参数值,研究了电参数如峰值电流、脉冲宽度、脉冲间隔以...
关键词：纳米混粉 电火花-电解复合加工 SiC_(p)/Al复合材料 小孔加工 加工特性 
钎焊温度对SiC陶瓷低温接头组织和性能的影响
《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》2025年第5期510-519,共10页杨振文 吴钰洁 雍臻 王颖 
国家自然科学基金资助项目(52175357,52222511).
针对新一代核领域事故容错材料SiC燃料元件包壳的焊接需求,采用低温AgCuInTi钎料成功钎焊连接了SiC陶瓷与Kovar合金,通过优化钎焊工艺参数获得了组织性能最优的SiC/Kovar接头,并对接头的连接机理进行了分析,建立了界面组织-力学性能-断...
关键词：SIC Kovar 活性钎焊 界面组织 力学性能 
锗硅异质结双极型晶体管的历史发展及其在高温电子中的应用
《集成电路与嵌入式系统》2025年第5期8-15,共8页官宇龙 常晓阳 王新河 
国家自然科学基金(No.62174010);北京市科技新星计划国家重点研发计划青年科学家(2022YFA1405900)。
近年来,锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT)不仅在高频性能上取得了显著成就,而且在高温电子器件的应用中也展现了独特的优势。本文阐述了SiGe HBT的发展历程及其在高温环境(100~300℃)中的应用潜力。目前最高性能的SiGe HBT的特征频率达...
关键词：高温电子 锗硅异质结双极型晶体管 双极型互补式金属氧化物半导体 SIC GAN 
基于瞬态漏源电流变化的SiC MOSFET陷阱表征
《半导体技术》2025年第5期459-467,共9页高博文 杜颖晨 张亚民 
国家自然科学基金重点项目(62334002);国家自然科学基金面上项目(62074009);北京市自然科学基金-小米创新联合基金(L233023)。
SiC MOSFET栅极氧化物附近存在的陷阱缺陷造成其在高温高压场景下出现许多可靠性问题。提出了完整的基于瞬态电流法的陷阱表征方案,结合贝叶斯迭代反卷积算法实现对陷阱位置、时间常数和激活能的表征。基于自建陷阱测试平台在栅极和漏...
关键词：SiC MOSFET 陷阱表征 瞬态电流法 时间常数谱 贝叶斯迭代反卷积 
基于SICAS模型的都安非遗藤编产业发展模式研究
《中国集体经济》2025年第13期157-160,共4页谢茜 
2023年广西哲学社会科学研究课题“广西中小企业双元创新的演化过程、影响因素与效果评估研究”(项目编号:23FGL035)。
随着社会化进程的发展,作为自治区级非物质遗产的都安藤编产业面临发展困境。基于SICAS模型,从消费者行为分析的角度出发,将理论研究和实践相结合,运用文献调查法、田野调查法、访谈法,深入都安对非遗藤编产业的现状及发展进行调研,探...
关键词：SICAS模型 非遗藤编 商业模式 
集成低势垒二极管的1.2 kV SiC MOSFET器件功耗
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期309-316,共8页孙佳萌 付浩 魏家行 刘斯扬 孙伟锋 
国家自然科学基金资助项目(62004037)。
针对SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在功率模块续流过程中引起的高续流损耗问题,提出集成低势垒二极管的SiC MOSFET(LBD-MOS)结构。对LBD-MOS和传统的SiC MOSFET(CON-MOS)在相同面积下的总功耗进行研究,仿真结果表明,LBD-MO...
关键词：SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 集成低势垒二极管 导通功耗 续流功耗 开关功耗 反向恢复功耗 
国产6英寸SiC基GaN HEMT研制
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期322-330,共9页孔欣 汪昌思 
近年来,国产6英寸SiC基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)研制取得明显进展。本文研究了多层介质应力调制技术和高一致性背孔刻蚀技术,并应用于6英寸工艺整合。在48 V工作时,0.5μm工艺在3.5 GHz输出功率密度达8.6 W/mm,功率增益达15 ...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 6英寸 国产衬底 国产外延 工艺技术 良率 
基于SiC DSRD纳秒级高压脉冲产生电路关键参数研究
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期331-339,共9页杨早 陈万军 陈资文 
介绍了一种基于漂移阶跃恢复二极管(DSRD)的纳秒级高压脉冲产生电路的工作原理,对该电路进行建模,并根据模型讨论了影响脉冲输出特性的关键电路参数。实验中采用本实验室研制的高压碳化硅(SiC)DSRD器件在50Ω的标准负载上得到了峰值为2....
关键词：漂移阶跃恢复二极管 电路参数 脉冲电路 纳秒级 碳化硅 
高铁列车地板型腔颗粒阻尼隔热防护分析及优化
《合成纤维》2025年第4期54-61,共8页罗元易 白兆阳 肖望强 蔡志钦 
以车体地板型材为研究对象,以保护型腔内颗粒阻尼材料不受损害为目的,结合车体焊接工艺,研究了车体型材焊接过程中型材温度场的分布规律,探究了SiC气凝胶在不同工况下的隔热能力,对比了SiC气凝胶和SiO2纤维隔热毡的隔热差异。进一步对...
关键词：SiC气凝胶 高铁型材 热防护 颗粒阻尼 
全选清除导出
共625页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部