张亚民

作品数：13被引量：20H指数：2
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供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：热阻瞬态时间常数半导体器件肖特基结更多>>
发文领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术电气工程更多>>
发文期刊：《微电子学》《半导体技术》《电工技术学报》《激光与红外》更多>>
所获基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金博士研究生创新基金国家教育部博士点基金更多>>
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“半导体物理学”课程思政教育与教学建设探索
《教育教学论坛》2024年第38期121-124,共4页周丽星 张亚民 冯士维 朱慧 
2022年度北京工业大学教育教学研究课题(ER2022SZB01)。
思政教育是课程教学中非常重要的环节,进行相应的课程改革建设并将思政元素融入课程,实现智育与德育的交互发展,深入贯彻落实习近平总书记在全国高校思想政治工作会议上的重要讲话精神,实现各类课程与思想政治理论课同向同行。“半导体...
关键词：半导体物理学 课程建设 思政育人 
漏源电压对SiC MOSFET阈值电压准确测量影响的研究被引量：1
《电源学报》2024年第3期258-263,共6页姚博均 郭春生 崔绍雄 李嘉芃 张亚民 
相较于Si器件,SiC MOSFET近界面氧化物陷阱区域更广,界面态陷阱密度高出2个数量级,大量陷阱不断俘获或释放电荷,导致阈值电压(Vth)随时间波动较大,因而Vth的准确重复测量成为难题。标准中阈值电压测量采用预处理的方法,保证每次测量时...
关键词：阈值电压 重复性 碳化硅MOSFET 栅极结构 
基于自建测试平台的GaN基HEMT器件陷阱表征
《微纳电子与智能制造》2024年第1期38-45,共8页杜颖晨 温茜 冯士维 张亚民 
国家自然科学基金资助项目(62074009、62334002);北京市自然科学基金资助项目(L233023)资助
陷阱效应是影响GaN基HEMT器件性能的主要因素之一。为了提高陷阱表征的精度和时间分辨率,采用瞬态电压法并搭建了专用的测试平台对陷阱进行表征,抑制了电压漂移现象,将时间分辨率从毫秒级提升至微秒级,扩大了陷阱的表征范围,同时基于贝...
关键词：GAN基HEMT 陷阱表征 瞬态电压法 时间常数谱 贝叶斯迭代 自建测试平台 
面向高校工科专业的双语教学研究与实践——以《电子材料与器件》课程为例
《齐齐哈尔高等师范专科学校学报》2023年第5期132-134,共3页朱慧 郭春生 张亚民 周丽星 刘博 张蒙 冯士维 
双语教学是我国高等教育改革的重点内容之一,是培养具有国际化视野高水平层次人才的重要途径,随着经济全球化的发展,双语教学的重要性日益彰显。本文以《电子材料与器件》双语课程为例,分析了高校工科专业双语教学中需要特别关注的几个...
关键词：双语教学 电子材料与器件 教学质量 
基于峰值谱技术的GaN基微波功率器件陷阱表征方法
《半导体技术》2022年第4期274-280,共7页张娇 张亚民 冯士维 
国家自然科学基金资助项目(61804006,62074009);北京市自然科学基金资助项目(4192012);北京市教委科技计划一般项目(KM202010005033)。
GaN基微波功率器件在高电场影响下产生了界面缺陷和陷阱效应,加剧了器件有源区材料的损伤,是造成其在高频、大功率应用下电学参数退化的重要因素。提出了一种基于贝叶斯迭代的时间常数谱的提取方法,通过采集器件漏源电流瞬态响应曲线,...
关键词：GAN基HEMT 陷阱表征 瞬态电流法 时间常数谱 贝叶斯迭代 
瞬态时间常数谱值化分析技术及在GaN基HEMT中的应用被引量：3
《微纳电子与智能制造》2019年第1期88-95,共8页冯士维 郑翔 张亚民 李轩 
国基金:宽带隙功率微波器件陷阱与缺陷原位表征技术及相关退化机理研究(10043001201704)项目资助.
GaN HEMT作为功率、射频器件,是5G通信中核心关键器件。然而,目前其应用可靠性方面仍受到陷阱效应和自热效应的制约。提出了瞬态时间常数谱峰值谱技术的表征技术,有效并定量获取GaN基器件中存在的陷阱及温升构成,主要包括应用瞬态电流...
关键词：时间常数谱 结构函数法 陷阱效应 热阻构成 
大功率肖特基SiC二极管热特性研究
《微电子学》2016年第6期830-833,共4页易熠 冯士维 张亚民 
国家自然科学基金资助项目(61376077;61201046;61204081);北京市自然科学基金资助项目(4132022;4122005);广东省战略性新兴产业资助项目(2012A080304003)
基于小电流下肖特基结正向压降的温度特性,建立了温升测量系统。利用该系统对肖特基SiC二极管的瞬态温升进行了测量,结果显示瞬态温升曲线呈阶梯状变化。利用结构函数的方法对瞬态温升曲线进行处理,分析了肖特基SiC二极管在热流传输路...
关键词：温度特性 大功率 肖特基SiC二极管 热阻 
150W LED驱动电源高温开关可靠性研究
《照明工程学报》2016年第3期79-81,130,共4页闫鑫 冯士维 张亚民 岳元 孟庆辉 石磊 李睿 
针对电解电容在LED驱动电源失效率高的问题,设计了LED驱动电源高温开关实验。LED驱动电源主要包括EMC滤波、PFC转换、PWM控制和DC/DC变换模块,其中最薄弱的环节是DC/DC变换模块中的滤波电解电容。电解电容在长期的工作中电解液会损耗,...
关键词：LED驱动电源 可靠性 电解电容 电容量 
动态应力对AlGaN/GaN HEMT性能的影响被引量：1
《半导体技术》2015年第8期626-630,共5页刘琨 朱慧 冯士维 石磊 张亚民 郭春生 
国家自然科学基金(61201046;61376077);北京市自然科学基金资助项目(4122005;4132022;2132023);高等学校博士学科点专项科研基金。资助项目(20121103120019);北京工业大学博士生创新基金资助项目(YB201404)
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在实际应用过程中经常受到由于振动、热胀冷缩等原因引起的动态应力。为了研究动态应力对器件性能带来的影响,利用自主设计的应力机械装置对AlGaN/GaN HEMT芯片持续施加峰值大小为150 MPa,频率为3...
关键词：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 交变应力 电学特性 KINK效应 缺陷 
开态应力下电压和电流对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的退化作用研究
《物理学报》2015年第12期367-371,共5页石磊 冯士维 石帮兵 闫鑫 张亚民 
国家自然科学基金(批准号:61376077);北京市自然科学基金(批准号:4132022;2132023)资助的课题~~
通过采集等功率的两种不同开态直流应力作用下Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMTs)漏源电流输出特性、源区和漏区大信号寄生电阻、转移特性、阈值电压随应力时间的变化,并使用光发射显微镜观察器件漏电流情况,研究了开态应力下电压...
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 电压 电流 退化 
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