ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管

作品数：48被引量：81H指数：5
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相关作者：郝跃马晓华张进成王冲郑雪峰更多>>
相关机构：西安电子科技大学中国科学院中国电子科技集团第十三研究所大连理工大学更多>>
相关期刊：《真空科学与技术学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《电子科技》更多>>
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AlGaN/GaN HEMT器件有效栅长和栅宽提取
《大连理工大学学报》2025年第1期105-110,共6页吴淇暄 张贺秋 朱江 宁思源 代晓 王子坤 梁红伟 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042,DUT19RC(3)074,DUT19LK45);大连市科技创新基金资助项目(2023JJ12GX013)。
有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了...
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 器件参数 有效栅长 有效栅宽 
具有高击穿电压和低关断态电流的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
《桂林电子科技大学学报》2024年第2期203-209,共7页马旺 陈永和 刘子玉 杨叶 孙远远 
广西自然科学基金(2018GXNSFAA138025);广西科技计划(AD18281037)。
为了能够完全发挥GaN基器件的优势,提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐压值,通过在传统AlGaN/GaN HEMT的栅极和漏极之间加入一层Al组份为0~0.25线性渐变的AlGaN极化诱导层(PIL),形成Al极化梯度,进而诱导出三维空穴气(3DHG)。3DHG可起到辅助HEM...
关键词：AlGaN/GaN HEMT 线性梯度AlGaN 3维空穴气 击穿电压 
栅场板对AlGaN/GaN HEMT击穿特性的调控
《山西大学学报（自然科学版）》2024年第1期187-193,共7页王进军 徐晨昱 杨嘉伦 刘宇 冯岩 张世奇 
陕西省教育厅科研计划专项项目(18JK0103)。
栅场板对提升AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)击穿电压的物理机理以及相关理论问题缺乏深入的研究。本文通过在传统的AlGaN/GaN HEMT结构中引入栅场板来调控器件内部的电场分布以提高器件的击穿电压,并基于Silvaco TCAD软件对器件进...
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 击穿特性 峰值电场 栅场板 
重离子辐射对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管低频噪声特性的影响被引量：1
《物理学报》2024年第3期209-216,共8页吕玲 邢木涵 薛博瑞 曹艳荣 胡培培 郑雪峰 马晓华 郝跃 
国家自然科学基金重点项目(批准号:12035019,62234013)资助的课题。
采用^(181)Ta^(32+)重离子辐射AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管,获得器件在重离子辐射前后的电学特性和低频噪声特性.重离子辐射导致器件的阈值电压正向漂移、最大饱和电流减小等电学参数的退化.微光显微测试发现辐射后器件热点数量明显增...
关键词：重离子辐射 氮化镓 高电子迁移率晶体管 低频噪声 
栅宽对AlGaN/GaN HEMTs亚阈值摆幅的影响被引量：1
《电子学报》2023年第6期1486-1492,共7页季启政 刘峻 杨铭 马贵蕾 胡小锋 刘尚合 
国家自然科学基金(No.61904007)。
制备了不同栅极宽度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管,通过测量各器件电容-电压曲线和转移特性曲线,得到了栅沟道载流子输运特性以及亚阈值摆幅,结果显示当栅极宽度从10μm增加到50μm时,亚阈值摆幅下降了40.3%.定性且定量地分析了亚阈值...
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 亚阈值摆幅 极化 散射 
AlGaN/GaN HEMTs器件中子辐照效应实验和数值模拟研究被引量：1
《现代应用物理》2023年第1期164-172,199,共10页陈泉佑 赵景涛 朱小锋 许献国 熊涔 赵洪超 
国家自然科学基金资助项目(11705172;61701461)。
以定制硅(Si)、蓝宝石(Al2O3)和碳化硅(SiC)衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)为研究对象,在CFBR-II(China Fast Burst Reactor-II)快中子脉冲堆开展了中子辐照注量范围为10^(13)~10^(15) c...
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 中子辐照 实验 数值模拟 陷阱 
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极电容模型被引量：2
《物理学报》2021年第21期274-280,共7页刘乃漳 姚若河 耿魁伟 
国家重点研发计划(批准号:2018YFB1802100);广东省重点领域研发计划(批准号:2019B010143003)资助的课题。
Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管的栅极电容由本征电容和边缘电容组成.边缘电容分为外部边缘电容和内部边缘电容,内部边缘电容相比外部边缘电容对器件的开关转换特性更为敏感.本文基于内部边缘电容的形成机理,推导了内部边缘电容C_(ifs...
关键词：高电子迁移率晶体管 内部边缘电容 栅极电容 模型 
Pd/Pt修饰的AlGaN/GaN HEMT器件氢传感特性研究
《大连理工大学学报》2021年第5期531-536,共6页杨勇强 张贺秋 薛东阳 梁红伟 夏晓川 徐瑞良 梁永凤 韩永坤 陈帅昊 
国家自然科学基金资助项目(11975257,11675198,12075045,11875097,61574026,61774072);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042,DUT19RC(3)074,DUT19LK45);大连市科技创新基金资助项目(2018J12GX060).
制备了Pd/Pt修饰的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件.对器件的氢传感特性测试表明,Pd/Pt合金修饰的器件的氢响应和响应(恢复)速率要优于Pd和Pt单独修饰的器件,Pd和Pt质量比为2 mg∶1 mg的氢传感器具有最佳的氢传感性能.对吸附平...
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 Pd/Pt合金 氢传感器 氢吸附 
具有均匀凹槽势垒结构的横向AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
《桂林电子科技大学学报》2021年第4期266-272,共7页田雨 陈永和 代一丹 刘子玉 马旺 
国家自然科学基金(6216030144);广西自然科学基金(2018GXNSFAA138025);桂林电子科技大学研究生教育创新计划(桂科AD18281037)。
为了改善传统AlGaN/GaN HEMT器件的表面电场、温度分布,提升器件击穿电压和稳定性,提出了一种具有均匀凹槽势垒(UGB)的新型AlGaN/GaN HEMT器件结构。UGB-AlGaN/GaN HEMT结构通过在栅电极和漏电极之间引入均匀分布的凹槽AlGaN势垒,降低了...
关键词：ALGAN/GAN 凹槽势垒 电场 击穿 
一种具有N埋层的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
《电子科技》2021年第5期61-65,共5页张飞 林茂 毛鸿凯 苏芳文 隋金池 
浙江省杰出青年基金(LR17F040001)。
为了进一步提高GaN HEMT器件的击穿电压,并保持低的导通电阻,文中提出了一种具有N型GaN埋层的AlGaN/GaN HEMT。该埋层通过调整器件的电场分布,降低了高场区的电场峰值,从而降低器件关断时的泄漏电流。该埋层使得栅漏之间的横向沟道电场...
关键词：GaN HEMT 击穿电压 导通电阻 N埋层 电场调制 TCAD仿真 BFOM 2DEG 
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