吕玲

作品数：12被引量：32H指数：4
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发文主题：增强型钙钛矿空穴传输层电极太阳能电池更多>>
发文领域：电子电信电气工程理学金属学及工艺更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《太赫兹科学与电子信息学报》《空间电子技术》《现代职业教育》更多>>
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重离子辐射对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管低频噪声特性的影响被引量：1
《物理学报》2024年第3期209-216,共8页吕玲 邢木涵 薛博瑞 曹艳荣 胡培培 郑雪峰 马晓华 郝跃 
国家自然科学基金重点项目(批准号:12035019,62234013)资助的课题。
采用^(181)Ta^(32+)重离子辐射AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管,获得器件在重离子辐射前后的电学特性和低频噪声特性.重离子辐射导致器件的阈值电压正向漂移、最大饱和电流减小等电学参数的退化.微光显微测试发现辐射后器件热点数量明显增...
关键词：重离子辐射 氮化镓 高电子迁移率晶体管 低频噪声 
SiGe HBT单粒子效应关键影响因素数值仿真
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第9期869-876,共8页张晋新 郭红霞 吕玲 王信 潘霄宇 
国家自然科学基金资助项目(11805270;12005159;61704127)。
针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用半导体三维器件数值仿真工具,建立单粒子效应三维损伤模型,研究SiGe HBT单粒子效应的损伤机理,以及空间极端环境与器件不同工作模式耦合作用下的单粒子效应关键影响因素。分析比较不同条件下离...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 极端环境 数值仿真 
HEMT器件质子辐射效应仿真
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第9期922-926,933,共6页马毛旦 曹艳荣 吕航航 王志恒 任晨 张龙涛 吕玲 郑雪峰 马晓华 
北京智芯微电子科技有限公司实验室开放基金资助项目;国家自然科学基金资助项目(11690042;U1866212;12035019;61727804;11690040)。
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有抗高频、耐高温、大功率、抗辐射等特性,在核反应堆、宇宙探测等辐射环境中具有广阔的应用前景。借助SRIM软件仿真1.8 MeV质子辐射对不同AlGaN势垒层纵向尺寸下的常规耗尽型器件内部产生空位密度...
关键词：GAN材料 HEMT器件 MIS-HEMT器件 质子辐射仿真 
增强型AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件的质子辐照效应被引量：4
《现代应用物理》2021年第2期86-92,共7页吕玲 林正兆 郭红霞 潘霄宇 严肖瑶 
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室专项经费资助项目(SKLIPR1711)。
利用70 keV和140 keV质子辐照增强型AlGaN/GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs),得到了最大饱和电流线密度、阈值电压及栅泄漏电流线密度等关键参数的退化规律,并与常规HEMTs器件的辐照退化行为进行了比较,并通过SRIM计算结果和C-V...
关键词：ALGAN/GAN 增强型 绝缘栅高电子迁移率晶体管 质子辐照 缺陷 界面态 
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件中子位移损伤效应及机理被引量：4
《物理学报》2020年第20期302-309,共8页郝蕊静 郭红霞 潘霄宇 吕玲 雷志锋 李波 钟向丽 欧阳晓平 董世剑 
针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件和异质结构在西安脉冲反应堆上开展了中子位移损伤效应研究,等效1 MeV中子注量为1×1014 n/cm^2.测量了器件在中子辐照前后的直流特性和1/f噪声特性,并对测试结果进行理论分析,结果表明:中子辐照在...
关键词：ALGAN/GAN 中子辐照 位移损伤 1/f噪声 
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电离辐照损伤机理及偏置相关性研究被引量：6
《物理学报》2020年第7期288-296,共9页董世剑 郭红霞 马武英 吕玲 潘霄宇 雷志锋 岳少忠 郝蕊静 琚安安 钟向丽 欧阳晓平 
本文利用 60Co γ射线,针对 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high-electron mobility transistors,HEMT)器件,开展了在不同偏置下器件电离辐照总剂量效应实验研究.采用1/f噪声结合直流电学特性参数对实验结果进行测量分析,分析结果表明,...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 总剂量 1/f低频噪声 
复变函数课程教学模式探讨
《现代职业教育》2019年第25期170-171,共2页吕玲 
西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院教育教学改革研究项目“《场论与复变函数》课程教学模式探讨”(编号:C18090)
复变函数是高等学校工科专业一门重要的数学基础课程,具有高度抽象性,计算复杂性,学习难度较大。结合自身教学实践,分析该课程现状与背景,探讨课程教学改革,将工程专业背景融入课程中,激发学生学习兴趣,在教学实践中取得良好的教学效果。
关键词：复变函数 工科专业 教学模式 
GaN基高电子迁移率晶体管的质子辐照效应研究被引量：2
《空间电子技术》2013年第3期33-38,共6页吕玲 林志宇 张进成 马晓华 郝跃 
文章研究了A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的质子辐照效应。在3MeV质子辐照下,采用三种不同辐照剂量6×10^(14),4×10^(14)和1×10^(15)protons/cm^2。在最高辐照剂量下,漏极饱和电流下降了20%,最大跨导降低了5%。随着剂量增加,阈...
关键词：质子辐照 氮化镓高电子迁移率晶体管 Ga空位 二维电子气 
斜切蓝宝石衬底MOCVD生长GaN薄膜的透射电镜研究被引量：2
《物理学报》2012年第18期343-348,共6页林志宇 张进成 许晟瑞 吕玲 刘子扬 马俊彩 薛晓咏 薛军帅 郝跃 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2011CBA00600);国家科技重大专项(批准号:2008ZX01002-002);国家自然科学基金重大项目(批准号:60890191);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:K50511250002)~~
利用MOCVD技术在斜切角度为0.3°的c面蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用透射电子显微镜对材料的质量和材料内部缺陷进行了分析.研究发现斜切蓝宝石衬底上外延的GaN材料中,位错在距离衬底0.8μm附近大量湮灭,同时位错扎堆出现...
关键词：GaN 斜切衬底 透射电子显微镜.位错 
3MeV质子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的影响被引量：5
《物理学报》2012年第5期390-397,共8页吕玲 张进成 李亮 马晓华 曹艳荣 郝跃 
研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的质子辐照效应.在3 MeV质子辐照下,当辐照剂量达到1×10^(15)protons/cm^2时,漏极饱和电流下降了20%,最大跨导降低了5%.随着剂量增加,阈值电压向正向漂移,栅泄露电流增加.在相同辐照剂量下,1.8...
关键词：质子辐照 ALGAN/GAN HEMT SRIM 空位密度 
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