云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- ALGAN/GAN

ALGAN/GAN: 作品数：537被引量：542H指数：8; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：郝跃马晓华冯倩王冲张进成更多>>; 相关机构：西安电子科技大学中国科学院电子科技大学中国科学院微电子研究所更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>

栅极几何结构对MIS栅结构常关p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs性能的影响: 《沈阳理工大学学报》2025年第1期72-77,共6页都继瑶; 辽宁省教育厅高等学校基本科研项目(JYTQN2023044);辽宁省属本科高校基本科研业务费专项资金资助项目。; 高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)具有高速开关和极高击穿电场等特性,在功率器件领域应用广泛。为提高HEMT器件性能,通过实验研究了栅极几何结构对具有金属/绝缘体/半导体(MIS)栅极结构的常关型p-GaN/AlGa...; 关键词：p-GaN/AlGaN/GaN异质结 AlN介质层常关型器件金属/绝缘体/半导体栅极非覆盖区

AlGaN/GaN HEMT器件有效栅长和栅宽提取: 《大连理工大学学报》2025年第1期105-110,共6页吴淇暄张贺秋朱江宁思源代晓王子坤梁红伟; 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042,DUT19RC(3)074,DUT19LK45);大连市科技创新基金资助项目(2023JJ12GX013)。; 有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了...; 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管器件参数有效栅长有效栅宽

表面电荷密度及介电常数对AlGaN/GaN异质结中二维电子气性质的影响: 《四川大学学报（自然科学版）》2024年第6期178-184,共7页王庆武于白茹郭华忠; 国家重点研发计划(2022YFF0608302);四川大学理科特色方向培育计划项目(2020SCUNL209)。; 通过在Al_(x)Ga_(1-x)N层引入离化电荷面密度,结合自发极化和压电极化引起的极化电荷面密度,利用变分法计算二维电子气面密度随Al组分和Al_(x)Ga_(1-x)N厚度的变化关系.研究了相对介电常数对电子气密度的影响,并与实验数据进行了比较....; 关键词：ALGAN/GAN异质结二维电子气离化态变分法

Investigation into epitaxial growth optimization of a novel AlGaN/GaN HEMT structure for application in UV photodetectors: 《Science China Materials》2024年第9期2828-2837,共10页Zhiyuan Liu Wanglong Wu Xiong Yang Menglong Zhang Lixiang Han Jianpeng Lei Quansheng Zheng Nengjie Huo Xiaozhou Wang Jingbo Li; supported by the National Natural Science Foundation of China(11904108);Guangdong Basic and Applied Basic Research Foundation(2020B1515020032);"The pearl River Talent Recruitment Program"(2019ZT08X639)。; In this work,a novel ultraviolet(UV)photodetector(PD)based on AlGaN/u-GaN/p-GaN/u-GaN heterojunction high electron mobility transistor(HEMT)has been developed.This HEMT epilayer is grown using the metal-organic chemic...; 关键词：AlGaN/GaN-based HEMT epitaxial growth by MOCVD p-GaN/u-GaN junction UV photodetector

Effects of 1 MeV electron radiation on the AlGaN/GaN high electron mobility transistors: 《Journal of Semiconductors》2024年第9期70-75,共6页Shijie Pan Shiwei Feng Xuan Li Zixuan Feng Xiaozhuang Lu Kun Bai Yamin Zhang; supported by the Key Program of the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 62334002);the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 62174008)。; In this study, the effects of 1 MeV electron radiation on the D-mode GaN-based high electron mobility transistors(HEMTs) were investigated after different radiation doses. The changes in electrical properties of the d...; 关键词：AlGaN/GaN HEMT electron radiation performance degradation device damage

Deep level transient spectroscopy:Tracing interface and bulk trap‐induced degradation in AlGaN/GaN‐heterostructure based devices: 《Information & Functional Materials》2024年第3期282-303,共22页Kexin Deng Sen Huang Xinhua Wang Yixu Yao Yang Yang Li Yu Yaoyao Pei Jiayi An Qimeng Jiang Xinyu Liu Song Yang Kevin J.Chen; National Key Research and Development Program of China,Grant/Award Number:2022YFB3604400;CAS‐Croucher Funding Scheme,Grant/Award Number:CAS22801;Beijing Municipal Science and Technology Commission,Grant/Award Numbers:Z201100008420009,Z211100007921018;University of CAS;Youth Innovation Promotion Association of the Chinese Academy of Sciences;National Natural Science Foundation of China,Grant/Award Numbers:62004213,62074161,62304252,62334012,U20A20208;IMECAS‐HKUST‐Joint Laboratory of Microelectronics。; The exceptional physical properties of gallium nitride(GaN)position GaNbased power devices as leading candidates for next‐generation high‐efficiency smart power conversion systems.However,GaN's multi‐component natu...; 关键词：deep level transient spectroscopy defects device reliability gallium nitride devices

微波GaN器件温度效应建模: 《物理学报》2024年第17期240-247,共8页王帅葛晨徐祖银成爱强陈敦军; 国家重点研发计划(批准号:2022YFF0707800,2022YFF0707801);江苏省重点研发计划产业前瞻与关键核心技术(批准号:BE2022070,BE2022070-2)资助的课题.; 通过对GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在不同温度下直流特性变化的现象与机理分析,本文基于EEHEMT等效电路模型,针对GaN HEMT漏源电流I_(ds)提出了一种温度效应模型.该模型考虑到温度对GaN HEMT阈值电压、膝点电压、饱和电流等方面的影响...; 关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管模型直流特性

GaN基异质结霍尔传感器封装测试与输出特性: 《电子学报》2024年第8期2737-2745,共9页马凯鸣代建勋张卉丁喃喃孙楠孙仲豪刘艳红 Yung C Liang 黄火林; 国家自然科学基金(No.61971090,No.62101093);辽宁省应用基础研究计划(No.2022JH2/101300259);大连市科技创新基金(No.2022JJ12GX011)。; 霍尔传感器作为磁传感领域最常用的传感器类型,在工业生产、汽车电子、航空航天以及生物医学等方面均有广泛应用.本文利用宽禁带氮化镓(GaN)半导体耐高温、高迁移率等优点,采用标准半导体芯片制造工艺研制出AlGaN/GaN异质结结构霍尔传感...; 关键词：ALGAN/GAN异质结霍尔传感器封装金丝键合高温稳定性

AlGaN/GaN异质结HEMT电学特性仿真研究被引量：1: 《现代电子技术》2024年第16期23-27,共5页李尧张栩莹王爱玲牛瑞霞王奋强蓝俊张鹏杰刘良朋吴回州; 国家自然科学基金项目(61905102);国家自然科学基金项目(62264008);兰州市青年科技人才创新项目(2023-QNQ-119);甘肃省高校青年博士支持项目(2024QB-050);开放课题(甘财教[2023]36号-集成电路产业研究院)。; GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)作为宽禁带功率半导体器件的代表,在电子电路的应用方面有巨大的潜力。GaN HEMT因其高击穿电压、高电子迁移率等优异性能,适用于各种高频、高功率器件,并被广泛应用于雷达和航空航天等领域。文中利用Silva...; 关键词：ALGAN/GAN异质结 HEMT 二维电子气转移特性输出特性频率特性热特性

一款基于非线性模型设计的高性能GaN功率放大载片: 《固体电子学研究与进展》2024年第4期277-283,共7页景少红徐祖银李飞成爱强梁宸玮; 国家重点研发计划项目(2022YFF0707800,2022YFF0707801);江苏省重点研发计划产业前瞻与关键核心技术项目(BE2022070,BE2022070-2)。; 采用南京电子器件研究所研制的0.35μm栅长、60 V高压AlGaN/GaN HEMT工艺,利用可缩放大信号模型仿真设计了一款工作在S波段的高性能功率放大载片。该功率放大载片由单个总栅宽为36.4 mm的GaN管芯采用混合集成内匹配方案设计而成,漏极工...; 关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管非线性模型功率放大载片

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