直流特性

作品数：105被引量：101H指数：4
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短沟道效应出现时InAlN/GaN HEMTs的内部电子分布
《科技风》2025年第11期43-46,共4页韩铁成 彭晓灿 
北华航天工业学院博士基金(BKY-2021-16)。
凭借二维器件仿真,从器件内部电子分布角度,直观且系统地展示了InAlN/GaN高电子迁移率晶体管直流特性上短沟道效应的发生。结果显示栅长(L_(G))缩短会减小栅极对栅下的电导率调控范围,同时由V_(DS)产生的源漏电场(E_(DS))一定程度上会...
关键词：InAlN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMTs) 短沟道效应 直流特性 仿真 
微波GaN器件温度效应建模
《物理学报》2024年第17期240-247,共8页王帅 葛晨 徐祖银 成爱强 陈敦军 
国家重点研发计划(批准号:2022YFF0707800,2022YFF0707801);江苏省重点研发计划产业前瞻与关键核心技术(批准号:BE2022070,BE2022070-2)资助的课题.
通过对GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在不同温度下直流特性变化的现象与机理分析,本文基于EEHEMT等效电路模型,针对GaN HEMT漏源电流I_(ds)提出了一种温度效应模型.该模型考虑到温度对GaN HEMT阈值电压、膝点电压、饱和电流等方面的影响...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 模型 直流特性 
基于BSIM⁃CMG紧凑模型的NSFET直流特性建模被引量：1
《半导体技术》2024年第5期442-448,共7页陈光前 王悦杨 唐敏 刘伟景 
国家自然科学基金(62174055)。
随着半导体制造工艺技术的发展,纳米片场效应晶体管(NSFET)成为下一代集成电路的核心器件,建立能准确描述NSFET特性的SPICE模型对提高基于NSFET的集成电路设计的成功率和缩短先进工艺的开发周期至关重要。结合Sentaurus TCAD仿真与伯克...
关键词：纳米片场效应晶体管(NSFET) TCAD 伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM⁃CMG)紧凑模型 直流特性 参数提取 
爆炸箔1A1min及最大不损坏电流试验方法研究
《火工品》2023年第6期27-32,共6页韩克华 艾沛延 褚恩义 吴琴钟 杨康 郭凯 高迪 金丽 
国家“十四五”技术基础项目(BZKY-2021-013)。
针对爆炸箔起爆器抗直流电流能力和意外受到射频敏感特性的相关问题,建立了爆炸箔1A1min及最大不损坏电流试验方法,开展了不同基底结构的爆炸箔1A1min不损坏电流以及最大不损坏电流试验验证。试验结果表明:采用本试验方法可以有效地测...
关键词：爆炸箔起爆器 爆炸箔 1A1min不损坏电流 最大不损坏电流 直流特性 
^(60)Co γ射线对增强型GaN HEMT直流特性的影响被引量：1
《电子与封装》2022年第7期44-48,共5页邱一武 吴伟林 颜元凯 周昕杰 黄伟 
利用^(60)Coγ射线对P型栅增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)开展零偏置状态下总剂量辐射试验及常温退火试验,测试GaN HEMT直流特性参数对总剂量效应(TID)的响应规律。试验结果表明,γ射线辐照后器件阈值电压、跨导峰值和饱和...
关键词：增强型GaN HEMT ^(60)Coγ射线辐照 直流特性测试 退火测试 
栅结构缺陷对GaN HEMT器件性能影响的研究
《固体电子学研究与进展》2022年第3期234-238,共5页邵国键 陈正廉 林罡 俞勇 沈杰 陈韬 刘柱 
GaN HEMT器件在使用中会发生突发烧毁的现象,这种失效与缺陷是正相关的,其中一种已知的缺陷为栅结构缺陷。通过直流特性测试、器件热分布、微区分析讨论了栅结构缺陷对器件性能的影响。势垒特性、击穿特性均无法表征出栅结构异常的器件...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 栅结构缺陷 直流特性 转移特性 热分布 微区分析 
InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP双异质结双极型晶体管的仿真与分析
《低温物理学报》2022年第2期157-164,共8页朱新宇 陈茜 
贵州省基础研究计划项目(批准号:黔科合基础-ZK[2022]一般042);贵州大学智能制造产教融合创新平台及研究生联合培养基地(批准号:2020-520000-83-01-324061);国家自然科学基金项目(批准号:61264004)资助的课题.
运用Silvaco-TCAD软件构建了InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP双异质结双极型晶体管模型,研究了掺杂浓度、厚度以及温度对器件特性的影响.结果表明:双异质结双极型晶体管DHBT的开启电压能达到约0.4V,当浓度达到4×10^(19) cm^(-3)的时候,...
关键词：双异质结双极型晶体管 直流特性 电流增益 截止频率 
基于交直流特性的变压器有载分接开关测试装置开发
《电工技术》2022年第4期129-130,133,共3页石瑶 周闯 徐兆丹 覃智贤 伍任能 范宇宁 孙全才 
结合直流测试及交流测试技术,开发了基于交直流特性的变压器有载分接开关测试装置。通过测试电压及电流波形,计算开关切换过程中的过渡时间、过渡电阻、三相开断不同步时间等参数,并与标准波形、设计要求比较,从而判断出有载分接开关的...
关键词：有载分接开关 直流特性 交流特性 测试装置 检修 
基于Neuro-SM的新型HBT晶体管直流特性建模
《天津工业大学学报》2021年第6期66-70,共5页闫淑霞 张爽 
天津市自然科学基金项目(19JCQNJC03300);天津市教委科研项目(2017KJ088)。
为在不降低建模设计要求的条件下改进建模方法,提高建模精度,对神经网络空间映射(neuro-space mapping,Neuro-SM)直流特性建模方法进行优化,提出了一种适用于异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)的新型Neuro-SM...
关键词：Neuro-SM 输出映射神经网络 HBT晶体管 直流特性 建模 
能量弛豫时间对氮化镓IMPATT二极管直流特性的影响
《潍坊学院学报》2021年第2期30-32,36,共4页张向东 苑龙军 
电子的能量弛豫时间受半导体材料中各种散射机制的影响,高场下能量弛豫时间不仅是电场强度的函数,也是载流子温度的函数,该参数严重影响碰撞电离雪崩渡越时间二极管的电学特性。本文利用流体动力学模型研究了不同的能量弛豫时间对氮化...
关键词：氮化镓 IMPATT 能量弛豫时间 
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