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TCAD: 作品数：178被引量：188H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：陈善强孙玲玲龚敏张小玲吕长志更多>>; 相关机构：华东师范大学电子科技大学西安电子科技大学中国科学院更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目新世纪高等教育教学改革工程浙江省杰出青年科学基金更多>>

基于BSIM-CMG紧凑模型的不同沟道外壳厚度n型核/壳NSFET的SPICE建模: 《半导体技术》2025年第4期339-344,共6页王悦杨马英杰白永林吴佳颖廉浩哲唐敏刘伟景; 对一种新型的Si/Ge-核/壳纳米片场效应晶体管(NSFET)进行了SPICE建模。使用TCAD仿真获得器件特性数据,结合伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型,完成不同沟道外壳厚度的n型Si/Ge-核/壳NSFET的直流特性建模。通过...; 关键词：核壳结构纳米片场效应晶体管(NSFET) TCAD 伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型 SPICE建模

半导体桥换能元结构设计与制备: 《半导体技术》2025年第4期351-357,共7页刘宇韬左玉晨刘黎刘兆伦; 国家自然科学基金(62405263);驻冀高效重点研发专项(241130181A)。; 换能元作为电火工品的核心部件,直接影响着电火工品的安全性和可靠性。以发火性能最佳的双V形桥形为基础,推导出双V形半导体桥(SCB)换能元电阻的计算公式。通过TCAD工具构建了双V形半导体桥换能元三维结构模型,并对桥区电流密度进行了...; 关键词：电火工品半导体桥(SCB) 换能元 TCAD 电流密度分析

T型栅PMOS器件跨导双峰效应的研究: 《集成电路与嵌入式系统》2025年第3期54-58,共5页彭宏伟赵小寒陈祎纯陈睿凌王青松徐大为; T型栅PMOS器件因其强抗辐照能力、低寄生电容,逐渐成为RFSOI电路中必不可少的器件。而跨导是MOS器件中的一个关键参数,但T型栅PMOS器件的跨导会在栅极电压增大时出现双峰效应,影响电路研制的判断。本文首先结合实测数据和3D TCAD仿真结...; 关键词：T型栅PMOS 跨导双峰效应 SOI TCAD

基于TCAD的阶梯源VDMOSFET单粒子烧毁的研究: 《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》2025年第1期11-18,共8页项君王颖于成浩; 国家自然科学基金重大科研仪器研制项目(62027814)。; 通过二维数值仿真工具给出了加固前后1.7 kV碳化硅(4H-SiC)功率VDMOSFET单粒子烧毁(SEB)的仿真结果。研究结果表明,与传统的五缓冲层的VDMOSFET(FB-VDMOSFET)相比,改进后的VDMOSFET在高线性能量密度(linear energy transfer, LET)值范...; 关键词：单粒子烧毁集成二极管高可靠性线性能量密度

Research on process-induced effect in 14-nm FinFET gate formation and digital unit optimization design: 《Journal of Semiconductors》2024年第12期88-93,共6页Yafen Yang Hang Xu Tianyang Feng Jianbin Guo David Wei Zhang; supported by the National Natural Science Foundation of China (623B2028).; The advanced fin-shaped field-effect transistor(FinFET)technology offers higher integration density and stronger channel control capabilities,however,more complex process effects are also introduced which have signifi...; 关键词：FINFET TCAD process-induced effect digital unit optimization design

基于延迟击穿特性的PIN二极管集约模型: 《强激光与粒子束》2024年第11期151-158,共8页张帅涛张慧博张自成; 延迟击穿特性在实现PIN二极管开关快速导通方面起着至关重要的作用。面对延迟击穿导通时间短导致物理过程分析困难的挑战,设计并验证了一种基于PIN结构的二极管集约模型。首先设计了一个基于PIN结构的二极管仿真模型,通过TCAD软件对该...; 关键词：延迟击穿二极管模型 TCAD 双极载流子扩散 PSPICE

机器学习在集成器件TCAD教学中的应用: 《集成电路应用》2024年第7期64-65,共2页陈静郭宇锋杨可萌; MOS场效应晶体管虚拟制造与虚拟测试实验教学项目(SYS2017SXF03)。; 阐述机器学习技术的优势,分析其在集成器件TCAD技术中的应用特点。针对TCAD技术课程现状,提出基于机器学习的集成器件特征提取、电学性能建模、优化设计技术,以增强TCAD技术应用。; 关键词：机器学习特征提取器件仿真优化设计

偏置电压和温度对22 nm FDSOI器件单粒子瞬态的影响研究: 《集成电路与嵌入式系统》2024年第7期30-36,共7页黄潇枫李臣明王海滨孙永姝王亮郭刚汪学明; 国防科工局抗辐照应用技术创新基金重点项目(KFZC2020010401)。; 针对22 nm FDSOI工艺在辐射环境下的单粒子瞬态问题,基于Sentaurus TCAD仿真工具对22 nm FDSOI NMOS进行建模,仿真研究了22 nm FDSOI NMOS的单粒子瞬态敏感区域,以及不同偏置电压和工作温度对单粒子瞬态的影响机理。仿真结果表明,22 nm ...; 关键词：22 nm FDSOI 单粒子瞬态亚阈值 TCAD

基于BSIM⁃CMG紧凑模型的NSFET直流特性建模被引量：1: 《半导体技术》2024年第5期442-448,共7页陈光前王悦杨唐敏刘伟景; 国家自然科学基金(62174055)。; 随着半导体制造工艺技术的发展,纳米片场效应晶体管(NSFET)成为下一代集成电路的核心器件,建立能准确描述NSFET特性的SPICE模型对提高基于NSFET的集成电路设计的成功率和缩短先进工艺的开发周期至关重要。结合Sentaurus TCAD仿真与伯克...; 关键词：纳米片场效应晶体管(NSFET) TCAD 伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM⁃CMG)紧凑模型直流特性参数提取

具有AlN钝化层的AlGaN/GaN HEMT热性能: 《桂林电子科技大学学报》2024年第2期181-189,共9页程识李琦崔现文叶健管理; 国家自然科学基金(62064003)。; 在现代电力电子和射频应用领域,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)因其卓越的电性能和高功率密度而备受关注。然而,随着这些应用对功率密度的要求日益增长,AlGaN/GaN HEMT器件的热管理问题逐渐凸显,成为限制器件性能进一步提升的关键...; 关键词：GaN HEMT 热特性自热效应 TCAD 晶格温度

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