云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- FINFET

FINFET: 作品数：239被引量：140H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：朱慧珑尹海洲许淼梁擎擎胡建平更多>>; 相关机构：中国科学院微电子研究所中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海华力集成电路制造有限公司国际商业机器公司更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项国家高技术研究发展计划更多>>

Research on process-induced effect in 14-nm FinFET gate formation and digital unit optimization design: 《Journal of Semiconductors》2024年第12期88-93,共6页Yafen Yang Hang Xu Tianyang Feng Jianbin Guo David Wei Zhang; supported by the National Natural Science Foundation of China (623B2028).; The advanced fin-shaped field-effect transistor(FinFET)technology offers higher integration density and stronger channel control capabilities,however,more complex process effects are also introduced which have signifi...; 关键词：FINFET TCAD process-induced effect digital unit optimization design

Virtuoso iQuantus Insight及Quantus Insight流程在FINFET先进工艺项目中加速后仿迭代的应用: 《电子技术应用》2024年第8期26-31,共6页李祉怡孙航丁学伟张慧丽曾义; 随着工艺演进,尺寸进一步缩小带来了更多寄生通路和更大的寄生电阻,后仿结果和前仿相去甚远。如何快速缩小前后仿之间的差距成为重要课题。传统设计中只能通过Quantus Extracted View相对直观地对寄生进行分析,无法更详细地进行分析,这...; 关键词：Virtuoso iQuantus Insight Quantus Insight 后仿网表分析寄生假设快速迭代

FinFET/GAAFET/CFET纳电子学的研究进展: 《电子与封装》2024年第8期76-97,共22页赵正平; 集成电路延续摩尔定律的发展正在从鳍栅场效应晶体管(FinFET)纳电子学时代向原子水平上的埃(?魡)时代转变。综述了该转变阶段的三大创新发展热点,FinFET、环栅场效应晶体管(GAAFET)和互补场效应晶体管(CFET)纳电子学的发展历程和最新进...; 关键词：FINFET GAAFET CFET 器件模型工艺电路设计 3D集成智能移动终端

基于X射线晶圆在线辐照实验的16 nm n-FinFETs总剂量效应模型研究: 《现代应用物理》2024年第4期116-123,共8页魏雪雯郑齐文崔江维李豫东郭旗; 新疆维吾尔自治区重点研发计划资助项目(2023B01008)。; 建立了基于X射线晶圆在线辐照实验的16 nm FinFET总剂量效应模型,并对模型的有效性进行了验证。将辐照后器件等效为一个主晶体管与辐射导致的若干寄生晶体管并联,通过改变寄生晶体管的参数对辐照中的物理机制进行了模拟。对不同鳍片数...; 关键词：FINFET 总剂量效应 SPICE模型辐射损伤器件可靠性

Performance improvements in complementary metal oxide semiconductor devices and circuits based on fin field-effect transistors using 3-nm ferroelectric Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2): 《Rare Metals》2024年第7期3242-3249,共8页Zhao-Hao Zhang Yan-Na Luo Gao-Bo Xu Jia-Xin Yao Zhen-Hua Wu Hong-Bin Zhao Qing-Zhu Zhang Hua-Xiang Yin Jun Luo Wen-Wu Wang Hai-Ling Tu; financially supported by the Science and Technology Program of Beijing Municipal Science and Technology Commission (No.Z201100006820084);the National Natural Science Foundation of China (Nos.92064003,91964202 and 61904194);the Youth Innovation Promotion Association,Chinese Academy of Sciences under grant (Nos.2023130 and Y9YQ01R004)。; In this work,a conventional HfO_(2) gate dielectric layer is replaced with a 3-nm ferroelectric(Fe) HZO layer in the gate stacks of advanced fin field-effect transistors(FinFETs).Fe-induced characteristics,e.g.,negati...; 关键词：FINFET FERROELECTRIC Hafnium zirconium oxide Subthreshold swing Low power

未知工艺角下时序违反的机器学习预测: 《计算机工程与科学》2024年第3期395-399,共5页黄鹏程冯超超马驰远; 国家自然科学基金(61902408);湖南省自然科学基金(2023JJ30637);湖南省科技创新计划(2023RC3014);青年科技人才支持计划(ZD0102088845)。; 集成电路设计复杂性的增长以及工艺尺寸的持续缩减给静态时序分析以及设计周期带来了新的严峻挑战。为了提升静态时序分析效率、缩短设计周期,充分考虑FinFET工艺特性以及静态时序分析原理,提出了未知工艺角下时序违反的机器学习预测方...; 关键词：机器学习工艺角静态时序分析 FINFET

金属功函数波动效应快速预测方法及验证: 《固体电子学研究与进展》2024年第1期65-71,共7页李怡宁杨兰兰屠彦; 江苏省重点研发计划项目(BE2022058-3)。; 金属功函数波动作为器件制造过程中的主要工艺波动源之一,其波动变化对器件电学特性有极大的影响。本文提出一种简便、快速预测半导体场效应管金属功函数波动效应的方法,并将其与商业软件中计算功函数波动的统计阻抗场法进行对比分析。...; 关键词：FINFET 功函数波动效应电学特性仿真统计阻抗场法

Performance optimization of tri-gate junctionless FinFET using channel stack engineering for digital and analog/RF design: 《Journal of Semiconductors》2023年第11期89-100,共12页Devenderpal Singh Shalini Chaudhary Basudha Dewan Menka Yadav; This manuscript explores the behavior of a junctionless tri-gate FinFET at the nano-scale region using SiGe material for the channel.For the analysis,three different channel structures are used:(a)tri-layer stack chan...; 关键词：short channel effects(SCEs) junctionless FinFET analog and RF parameters SIGE

基于16 nm FinFET工艺FPGA的低功耗PCIe Gen3性能研究: 《电子与封装》2023年第11期54-61,共8页季振凯杨茂林于治; 大数据时代对高速总线的高带宽、低延时及高灵活性有更苛刻的要求,高速串行总线(PCIe)与FPGA的集成能够满足新兴领域的需求,但需要对其在高温和低温下的性能稳定性及低功耗性进行探究。以16 nm FinFET工艺SRAM型FPGA为对象,搭建针对低功...; 关键词：FINFET SRAM型FPGA PCIe Gen3 低功耗

基于14 nm FinFET工艺的高速串行收发器IP核设计与实现被引量：1: 《科技与创新》2023年第21期1-5,共5页唐重林; 基于SMIC(中芯国际)14 nm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)工艺,设计实现了速率最高可达28 Gb/s的串行收发器IP核(Intellectual Property core,一种具有知识产权的特定电路功能模组)。为了能够处...; 关键词：高速串行收发器均衡 IP核

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