阈值电压

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Flash开关单元编程及擦除阈值电压回归模型
《半导体技术》2025年第2期154-160,共7页翟培卓 洪根深 王印权 郑若成 谢儒彬 张庆东 
Flash开关单元是实现Flash型现场可编程门阵列(FPGA)的重要配置单元,具有可重构、集成度高、功耗低的优势。采用正交试验设计方法,进行了n型Flash开关单元编程及擦除试验,获取了Sense管和Switch管编程及擦除阈值电压,构建了Sense管编程...
关键词：正交试验 FLASH 开关单元 阈值电压 回归模型 
增强型Si基GaN HEMT的p-GaN栅特性改善研究
《固体电子学研究与进展》2025年第1期16-21,共6页鲍诚 王登贵 任春江 周建军 倪志远 章军云 
五十五所稳定支持资助项目(2310N061);国家自然科学基金资助项目(62104218)。
阈值电压和栅极漏电是评价增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件性能的重要参数。热应力和电应力变化会加剧器件栅极附近的电子隧穿效应,促使热电子与器件缺陷相互作用形成界面态,进而导致栅极漏电增大和阈值电压漂移,长时间工作会引起栅...
关键词：GaN HEMT P-GAN 阈值电压 栅极漏电 热应力 电应力 
基于新型忆阻器的多端输入LIF神经元电路的设计
《微电子学与计算机》2025年第2期86-92,共7页柯善武 金尧耀 蒙嘉豪 吴鑫江 王今朝 叶葱 
国家自然科学基金(62274058);湖北省重点研发计划(2022BAA020);武汉市重点研发计划(2022012202015055,2023010402010612)。
由于传统的互补金属-氧化物-半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)神经元电路与生物学的契合性较差且电路复杂,提出了一种基于忆阻器的多端口输入的泄露-整合-激发(Leaky-Integrate-Fire,LIF)神经元电路。该电路由运...
关键词：忆阻器 LIF神经元电路 多端输入 阈值电压 人工神经网络 
SiC MOSFET关键静态参数测试技术研究及特性分析
《环境技术》2025年第2期53-61,共9页杨振宝 席善斌 董燕楠 褚昆 张欢 张魁 赵海龙 
针对SiC MOSFET在静态特性方面的测试技术难点,设计能够高精度和快速调控的温控装置,实现了测试过程的精确控温;参照标准JEP183A,采用栅极预偏置技术设计了一种阈值电压测量装置,解决了阈值电压不稳定问题。选用国内外不同厂家不同电压...
关键词：SiC MOSFET 静态参数 阈值电压 温控装置 静态参数测试仪 
沟道宽度对载流子迁移率的影响
《电子制作》2025年第1期93-96,共4页柳皓笛 张铁轶 曹成熙 谢涛峰 
为了提高低温多晶硅TFT电学特性的稳定性,分析了载流子迁移率受到器件结构、生产工艺及环境的影响。对在沟道长度相同的TFT器件中,不同沟道宽度对器件电学参数-载流子迁移率的影响进行研究。从器件结构上分析,电学特性的不同主要来源于...
关键词：电学特性 沟道宽度 迁移率 阈值电压 
功率循环下GaN器件栅极可靠性研究
《现代电子技术》2025年第2期41-45,共5页郭世龙 薛炳君 严焱津 汪文涛 
氮化镓(GaN)功率器件长期在高功率密度工况下运行,其栅极可靠性一直是关注的重点,栅极的退化会造成器件误导通以及导通损耗增加等问题。为此,设计一个直流功率循环装置,通过功率循环的方式加速器件老化。同时为了评估栅极可靠性,采用与...
关键词：GAN器件 栅极可靠性 功率循环 阈值电压 栅极电容 加速老化 
高温栅偏和电子辐照对SiC MOSFET阈值电压影响研究
《电源学报》2024年第6期288-294,共7页张子扬 梁琳 尚海 盛轲焱 黄江 
湖北省自然科学基金资助项目(2020CFB806);华中科技大学学术前沿青年团队资助项目(2019QYTD06)。
为研究栅氧化物在不同老化程度下电子辐照对SiC MOSFET可靠性的影响,结合高温栅偏和电子辐照2种实验对SiC MOSFET电学特性进行分析,讨论栅氧化物受到高温和强电场应力后电子辐照对SiC MOSFET阈值电压的影响。为避免封装材料在高温和电...
关键词：SiC MOSFET 高温栅偏 电子辐照 阈值电压 
3300 V平面栅IGBT器件特性仿真研究
《半导体光电》2024年第6期879-886,共8页李文佩 王永顺 张利军 李梦梦 胡瑶 
国家自然科学基金项目(6136606)。
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为一种广泛应用于电子电路领域的功率器件,具有导通电压低、通态电流大、开关速度快和输入阻抗高等优势。文章基于数值模拟软件建立了3 300 V平面栅场截止型绝缘栅双极型晶体管器件(FS-IGBT)的仿真模型,通过...
关键词：击穿电压 阈值电压 导通压降 漂移区掺杂浓度 
考虑阈值电压漂移的SiC MOSFET功率循环寿命修正技术
《半导体技术》2024年第11期1008-1015,共8页顾殿杰 谢露红 邓二平 吴立信 刘昊 黄永章 
国家自然科学基金(52007061)。
在SiC MOSFET的功率循环测试(PCT)中,饱和压降主要表征键合线的老化状态,其值由导通电阻决定。SiC MOSFET的阈值电压漂移会在导通电阻中引入非键合线老化导致的芯片电阻增量,进而影响寿命判断。为了准确判定键合线失效,设计和搭建阈值...
关键词：SiC MOSFET 阈值电压漂移 功率循环测试(PCT) 在线监测 芯片电阻 键合线失效 寿命修正 
燃气管道两种极性排流器服役性能对比
《腐蚀与防护》2024年第11期114-120,共7页李超 任勇 胡学涛 钱铖 台宝灿 于文贤 杨阳 
为缓解地铁直流干扰,城市燃气管道多采用牺牲阳极与极性排流器组合的缓解措施。利用实验室测试和现场测试相结合的方法对比研究了肖特基二极管+电容+浪涌保护器型(1号)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)+电容+浪涌保护器型(2号)...
关键词：城市燃气管道 极性排流器 阈值电压 现场应用 
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