导通压降

作品数：63被引量：74H指数：5
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基于大电流饱和压降法的结温在线监测电路研究进展
《半导体技术》2025年第3期201-213,共13页陈丰野 邓二平 吴立信 郭祥彬 丁立健 
结温在线监测对功率器件的高可靠性运行至关重要。在众多测量方法中,大电流饱和压降法是目前应用最广泛的在线结温测量方法。以理论推导为基础,阐述了大电流饱和压降法的结温计算原理,并总结了现有温度校准方法及数学模型的构建过程。接...
关键词：结温监测 IGBT模块 导通压降监测 温度校准 高压隔离 
具有高K背栅的无电压回跳RC-IGBT静态特性研究
《现代电子技术》2025年第4期34-39,共6页王楠 徐勇根 胡夏融 
针对传统RC-IGBT导通压降大、击穿电压低等问题,提出一种具有高介电常数(高K)背栅的RC-IGBT器件结构,其特点是位于底部集电极的背栅介质采用高介电常数材料。高K介质增大了正向导通时背栅周围的空穴浓度,不仅消除了电压回跳,还降低了导...
关键词：RC-IGBT 电压回跳 高介电常数 背栅 导通压降 阻断特性 
基于一种新型导通压降采样电路的IGBT器件结温在线监测方法被引量：1
《电源学报》2024年第6期295-303,共9页赵蕤 杨柯欣 唐涛 宋文胜 
国家自然科学基金资助项目(52022084);四川省青年科技创新研究团队项目(22CXTD0055)。
热敏感电参数法具有在线能力强、非侵入和快响应等特点,成为了当前的研究热点。因此以导通压降为热敏感电参数,重点研究了1种基于导通压降的IGBT结温在线监测方法。首先,通过双脉冲测试电路获取IGBT导通压降、集电极电流和结温数据;然后...
关键词：绝缘栅双极晶体管 结温在线监测 热敏感电参数 导通压降 双脉冲测试 三维映射表征模型 采样电路 
碳化硅功率模块导通电阻和导通压降的测试设备优化
《现代信息科技》2024年第24期1-6,共6页李文强 
碳化硅功率模块因其在电力电子领域的卓越性能而备受关注,主要包括高频、高压、耐高温、快速开关和低损耗等特点。为了确保碳化硅功率模块在应用中的可靠性,其静态特性的研究十分重要。因此,针对已经在商用的一款碳化硅功率模块,提出一...
关键词：碳化硅功率模块 静态测试 导通电阻 导通压降 
3300 V平面栅IGBT器件特性仿真研究
《半导体光电》2024年第6期879-886,共8页李文佩 王永顺 张利军 李梦梦 胡瑶 
国家自然科学基金项目(6136606)。
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为一种广泛应用于电子电路领域的功率器件,具有导通电压低、通态电流大、开关速度快和输入阻抗高等优势。文章基于数值模拟软件建立了3 300 V平面栅场截止型绝缘栅双极型晶体管器件(FS-IGBT)的仿真模型,通过...
关键词：击穿电压 阈值电压 导通压降 漂移区掺杂浓度 
具有可控空穴抽取路径的低损耗4H-SiC双沟槽超结IGBT
《电子元件与材料》2024年第9期1071-1080,共10页吴栋 姚登浪 郭祥 丁召 
贵州省科学技术基金(黔科合基础[2020]1Y271)。
基于TCAD设计并仿真了一种具有可控空穴抽取(CHE)路径的双沟槽超结IGBT(CHE-SJ-TIGBT)结构。该器件采用肖特基和非对称超结结构,以增强器件的导通性能和阻断能力。CHE路径由金属栅极(MES)控制。CHE-SJ-TIGBT导通时,高偏置的MES栅极电压...
关键词：阻断电压 电导调制 SiC IGBT 导通压降 关断损耗 肖特基 
具有圆形P+区的1200 V SiC JBS二极管的研究
《长沙理工大学学报（自然科学版）》2024年第4期168-175,187,共9页吴丽娟 张腾飞 张梦源 梁嘉辉 刘梦姣 杨钢 
湖南省自然科学基金(2024JJ5044);湖南省教育厅科研基金(19K001)。
【目的】通过改变碳化硅(silicon carbide,SiC)结势垒肖特基二极管(junction barrier Schottky diode,JBS)的P+掺杂区的形状,将常规SiC JBS条形分布的P+掺杂区优化为圆形P+掺杂区,并两两之间以正三角形分布于肖特基接触之间。【方法】...
关键词：热载流子二极管 碳化硅 结势垒肖特基二极管 导通压降 击穿电压。 
新型载流子积累的逆导型横向绝缘栅双极晶体管
《物理学报》2024年第15期179-186,共8页段宝兴 王佳森 唐春萍 杨银堂 
通过引入n^(+)阳极在体内集成续流二极管的逆导型横向绝缘栅双极晶体管(reverse-conducting lateral insulated gate bipolar transistor,RC-LIGBT)可以实现反向导通,并且优化器件的关断特性,是功率集成电路中一个有竞争力的器件.本文...
关键词：载流子积累 逆导型横向绝缘栅双极晶体管 导通压降 回吸电压 
基于导通压降的大容量IGBT模块结温观测与误差分析研究被引量：1
《电源学报》2024年第3期127-137,共11页肖凯 王振 严喜林 李文骁 胡剑生 刘平 
南方电网公司科技资助项目(CGYKJXM20220108)。
压接式绝缘栅双极性晶体管PP-IGBT(press-pack insulated gate bipolar transistor)模块因其优越的电气性能和可靠性,广泛应用于柔性直流换流阀等大功率应用场景。IGBT芯片结温的准确观测对于其运行状态的监测与剩余寿命的评估都非常重...
关键词：压接式IGBT 结温标定实验 热敏电参数 导通压降 误差分析 
高压FRD少子寿命控制技术研究
《固体电子学研究与进展》2024年第2期173-177,共5页艾治州 李松岭 张帮会 王二俊 张小辛 
快恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)常采用寿命控制技术来减小反向恢复时间,但也会改变其他电学性能。本文研究了扩铂工艺、电子辐照工艺以及结合扩铂和电子辐照工艺对1 700 V FRD的导通压降温度特性、反向恢复特性以及反向漏电流...
关键词：快恢复二极管 扩铂 电子辐照 温度系数 导通压降 
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