郭祥

作品数：59被引量：39H指数：4
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供职机构：贵州省微纳电子与软件技术重点实验室更多>>
发文主题：GAASSTM分子束外延扫描隧道显微镜液滴更多>>
发文领域：理学电子电信自然科学总论一般工业技术更多>>
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基于分子束外延技术可控制备Ga原子团簇的研究
《原子与分子物理学报》2025年第3期77-84,共8页马玉麟 郭祥 丁召 
国家自然科学基金(61564002);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合基础[2020]1Y271和[2017]1055);半导体功率器件可靠性教育部研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(07));贵州大学培育项目(贵大培育[2019]58号)。
本研究基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术在Si(100)衬底表面成功制备金属Ga原子团簇.通过控制变量法,研究其尺寸形貌与工艺参数之间的关系.第一组对照实验分别在940℃、970℃、1000℃的Ga源温度下制备Ga原子团簇.实验结...
关键词：MBE Ga原子团簇 Ga源温度 沉积时长 退火时长 
基于分子束外延技术可控制备Bi原子团簇的研究
《原子与分子物理学报》2025年第2期79-84,共6页马玉麟 郭祥 丁召 
国家自然科学基金(61564002);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合基础[2020]1Y271和[2017]1055);半导体功率器件可靠性教育部研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(07));贵州大学培育项目(贵大培育[2019]58号)。
本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si(111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先,分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下,制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇...
关键词：分子束外延 Bi原子团簇 生长温度 沉积时长 经典成核理论 晶体生长动力学 
过渡金属W、Mn、V、Ti掺杂二维材料MoSi_(2)N_(4)的第一性原理计算被引量：1
《原子与分子物理学报》2024年第6期147-154,共8页姚登浪 黄泽琛 郭祥 丁召 王一 
国家自然科学基金(62065003);贵州省自然科学基金(QKH-[2020]1Y271);贵州省高等学校青年人才成长计划(QJHKY-[2022]141);教育部半导体功率器件可靠性研究中心开放项目(ERCMEKFJJ2019-(08))。
本文基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算了W、Mn、V、Ti替位掺杂二维MoSi_(2)N_(4)后的几何结构、电子结构以及光学性质的变化.电子结构分析表明W、Mn、W、Ti替位掺杂二维MoSi_(2)N_(4)后的禁带宽度分别为1.806 e V、1.003 e V、1.2...
关键词：二维MoSi_(2)N_(4) 第一性原理计算 掺杂 电子结构 光学性质 
具有可控空穴抽取路径的低损耗4H-SiC双沟槽超结IGBT
《电子元件与材料》2024年第9期1071-1080,共10页吴栋 姚登浪 郭祥 丁召 
贵州省科学技术基金(黔科合基础[2020]1Y271)。
基于TCAD设计并仿真了一种具有可控空穴抽取(CHE)路径的双沟槽超结IGBT(CHE-SJ-TIGBT)结构。该器件采用肖特基和非对称超结结构,以增强器件的导通性能和阻断能力。CHE路径由金属栅极(MES)控制。CHE-SJ-TIGBT导通时,高偏置的MES栅极电压...
关键词：阻断电压 电导调制 SiC IGBT 导通压降 关断损耗 肖特基 
基于第一性原理研究缺陷对单层WSe_(2)结构的光电性质的影响
《功能材料》2024年第5期5079-5085,共7页廖展旺 江玉琪 郭祥 
贵州省科学技术基金资助项目(黔科合基础〔2020〕1Y271)。
二硒化钨(WSe_(2))具有许多优异的性能,在自旋电子和光电子学的应用中具有极好的潜力,研究缺陷WSe_(2)的电子结构有助于理解载流子掺杂、散射等效应,对其在电子和光电器件中的应用有重要意义。基于密度泛函理论,研究了五种缺陷对WSe_(2...
关键词：第一性原理 WSe_(2) 缺陷 光电性质 
液滴外延下生长参数对InAs纳米结构形貌的影响
《原子与分子物理学报》2024年第2期68-72,共5页马玉麟 郭祥 王一 丁召 
国家自然科学基金(61564002,11664005);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合基础[2020]1Y271);贵州大学培育项目(贵大培育[2019]58号);半导体功率器件可靠性教育部研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(07))。
利用液滴外延法在GaAs(001)衬底表面制备InAs量子点,通过控制变量分别研究沉积速率、沉积量对In液滴在GaAs表面生长过程中的影响.使用原子力显微镜(Atomic Force Microscope,AFM)表征I⁃nAs纳米结构形貌,得出结论:(1)沉积速率主要通过影...
关键词：液滴外延 沉积速率 成核率 沉积量 熟化 INAS量子点 
稀土元素(La、Eu、Ho)掺杂单层WSe_(2)的第一性原理研究
《功能材料》2024年第2期2155-2160,2167,共7页姜冠戈 江玉琪 郭祥 丁召 
国家自然科学基金(61564002,11664005);贵州省科学技术基金项目(黔科合基础[2020]1Y271);贵州大学培育项目(贵大培育[2019]58号);半导体功率器件可靠性教育部研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(07))。
单层二硒化钨(WSe_(2))是一种具有良好的热稳定性、电子运输和大面积可扩展性的优秀特性。基于密度泛函理论,利用第一性原理计算研究了稀土元素(La、Eu、Ho)掺杂单层WSe_(2)的结构、电学性质和光学性质。采用稀土元素(La、Eu、Ho)掺杂...
关键词：单层二硒化钨 第一性原理计算 掺杂 光学性质 
基于电化学液膜法腐蚀制备STM钨探针的研究
《贵州科学》2024年第1期90-93,共4页马玉麟 丁召 王一 郭祥 
国家自然科学基金(61564002,11664005);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合基础〔2020〕1Y271);贵州大学培育项目(贵大培育〔2019〕58号);半导体功率器件可靠性教育部研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(07))。
高质量的探针是保证扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscope,STM)4K分辨率的关键。为得到原子级别的探针,实验基于电化学腐蚀原理,使用垂直液膜法制备钨探针。在制备过程中通过控制变量法,研究了腐蚀电压、液膜下钨丝长度等参数...
关键词：液膜法 钨探针 电化学腐蚀 STM 
GaAsBi半导体材料的制备及应用研究进展
《人工晶体学报》2024年第1期25-37,共13页马玉麟 郭祥 丁召 
国家自然科学基金(61564002);贵州省科学技术基金(黔科合基础[2020]1Y271,[2017]1055);半导体功率器件可靠性教育部研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(07));贵州大学培育项目(贵大培育[2019]58号)。
稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料在电子和光电子领域具有广泛的应用前景,其制备方法主要有分子束外延法(MBE)和金属有机物气相外延法(MOVPE)。本文聚焦于具有较大带隙收缩、温度不敏感以及强自旋轨道分裂等特殊物理特性的GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材...
关键词：稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料 GaAsBi薄膜 多量子阱材料 量子点材料 MBE MOVPE 
具有异质结体二极管和N包围型P柱的4H-SiC超结MOSFET
《电子元件与材料》2023年第12期1454-1461,共8页姚登浪 吴栋 张颖 郭祥 
贵州省科学技术基金资助项目(黔科合基础[2020]1Y271)。
利用TCAD仿真研究了一种具有异质结体二极管与N包围型P柱超结的4H-SiC UMOSFET(SJH-MOSFET)。通过在SJH-MOSFET中引入异质结和具有电荷平衡的超结结构,能够有效地优化器件的击穿电压、比导通电阻、反向恢复特性。研究结果表明,薄轻掺杂...
关键词：U-MOSFET 超结 4H-SIC 异质结 击穿电压 反向恢复 
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