肖特基

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双轴应变对NbSe_(2)/MoSi_(2)N_(4)肖特基势垒的调控
《原子与分子物理学报》2025年第5期182-188,共7页张宇哲 安梦雅 谢泉 
贵州大学智能制造产教融合创新平台及研究生联合培养基地项目(2020-520000-83-01-324061);国家自然科学基金(61264004);贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才(20154015))。
最近一种高质量的二维(Two-dimensional,2D)半导体材料MoSi_(2)N_(4)(MSN)在实验上被成功合成,具有优异的电气和机械性能.尽管最近有大量的研究致力于揭示MSN的材料特性,但到目前为止,对MSN的电接触物理特性的探索还比较少.在这项工作中...
关键词：MoSi_(2)N_(4) NbSe_(2) 肖特基结 欧姆接触 
ZnO电阻片老化特性研究
《电器工业》2025年第5期17-23,共7页张杰 王路兴 张义 李佳宾 王稳稳 
甘肃省科技型中小企业技术创新基金(23CXGE0014);甘肃省市场监管局科技计划资助项目(No.SSCJG-ZJ-A202304)。
ZnO电阻片老化特性的研究,可提高系统的稳定性和可靠性,促进新型电力系统的构建。首先,建立肖特基势垒模型,研究电阻片的老化机理,间隙锌离子在正偏置电压下的定向迁移导致势垒发生畸变,由于两侧势垒高度不同,形成不等的电流;其次,分析...
关键词：ZNO电阻片 肖特基势垒 伏安特性 功耗特性 参考电压 
阳极退火对Co阳极准垂直结构GaN基肖特基二极管性能影响
《固体电子学研究与进展》2025年第2期86-91,共6页吴志勇 马群 王良臣 李晋闽 王军喜 刘志强 伊晓燕 
在蓝宝石衬底上制备了不同阳极叉指宽度的钴(Co)阳极准垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管(GaN Schottky barrier diode, GaN SBD),在此基础上分别进行300、350、400℃阳极退火。实验结果显示较小的阳极叉指宽度有利于实现较低的比导通电阻...
关键词：肖特基二极管 阳极退火 氮化镓 准垂直 
台面终端氧化镓肖特基二极管单粒子效应研究
《人工晶体学报》2025年第3期511-516,I0003,共7页贺松 刘金杨 郝伟兵 徐光伟 龙世兵 
超宽禁带氧化镓半导体材料具有高临界场强、位移阈能等优势,在太空等高压强辐照应用环境下具有良好的应用前景。然而,由于材料较低的热导率和空穴迁移率,高能粒子辐照容易导致器件在远低于额定电压下发生单粒子烧毁(SEB)。因此,本文提...
关键词：氧化镓 肖特基二极管 台面终端 辐照 单粒子效应 
氧化镓肖特基二极管硼离子注入终端技术研究
《人工晶体学报》2025年第3期524-529,共6页沈睿 郁鑫鑫 李忠辉 陈端阳 赛青林 谯兵 周立坤 董鑫 齐红基 陈堂胜 
国家重点研发计划(2022YFB3605504)。
β-Ga_(2)O_(3)具有禁带宽度大和击穿场强高等优异的物理特性,被认为是制作新一代大功率、高效率电力电子器件的理想半导体材料。然而,无终端的Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)容易在肖特基电极边缘产生高峰值电场,导致器件过早击穿,...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) 肖特基二极管 硼离子注入 边缘终端 击穿电压 
ZnO/Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>复合材料的NO<sub>2</sub>气敏检测
《材料科学》2025年第3期398-402,共5页张钊 
NO2作为一种有毒有害气体,并且我们在生产生活中无法避免的会产生NO2如汽车尾气、锅炉废气排放等,所以对于二氧化氮的检测是迫在眉睫的。本文通过电沉积技术制作实现了在碳化钛表面物理生长了氧化锌纳米线,后对所得到的材料进行了一系...
关键词：电沉积 二氧化氮 气敏检测 肖特基结 
应用于C波段的多自由度可调模拟预失真
《无线通信技术》2025年第1期44-48,共5页陈美华 李军 李淡森 
国家自然科学基金(62371266)。
为补偿功率放大器工作在饱和区时带来的幅度增益和幅度相位失真等非线性失真,本文提出了一种基于肖特基二极管的多自由度可调模拟预失真电路。输入信号由该电路的输入端输入,经过四等分威尔金森功分器分为四条支路,每条支路都串联一个基...
关键词：模拟预失真 肖特基二极管 多自由度 邻信道泄漏比 
短波红外自滤波超窄带锗平面结构光电探测器
《合肥工业大学学报(自然科学版)》2025年第3期343-347,共5页方昶月 王莉 王艺飞 柳宇健 罗林保 
安徽省自然科学基金资助项目(2108085MF229)。
文章基于锗平面肖特基结构,通过调控光生载流子收集过程中的复合作用,成功研制探测波长位于1290 nm、半高宽仅为8 nm且无需滤光片的自驱动短波红外光电探测器。该器件性能稳定,抗干扰能力强,在接收1290 nm光信号时,器件的串扰值在1278~1...
关键词：窄带探测 锗 肖特基结 短波红外 光电探测器 
基于肖特基势垒可重置场效应晶体管的同或逻辑门
《微处理机》2025年第1期24-27,共4页王冰 刘溪 
为减少晶体管的使用数量来实现同或逻辑功能,提高单个晶体管的逻辑密度,提出一种基于肖特基势垒可重置场效应晶体管的同或逻辑门。器件的源端和漏端均采用金属硅化物NiSi,在源漏电极处与硅的导带及价带之间形成相似的肖特基势垒。通过Si...
关键词：肖特基势垒 可重置 XNOR逻辑门 
高k场板终端准垂直GaN功率肖特基势垒二极管
《半导体技术》2025年第2期141-146,共6页胡宪富 
蒙东新能源事业部唐兴风电场集电线路智慧运维在线监测装置项目(P-XJ-23-00038702)。
随着功率电子器件对高效能、高耐压和低损耗需求的不断提升,GaN肖特基势垒二极管(SBD)凭借其卓越的材料和器件特性成为研究热点。然而,GaN SBD在高电压下仍面临边缘电场集聚的挑战。为解决这一问题,提出采用高介电常数(k)材料钛酸钡(BTO...
关键词：GAN 肖特基势垒二极管(SBD) 钛酸钡(BTO) 击穿电压 电场仿真 
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