欧姆接触

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双轴应变对NbSe_(2)/MoSi_(2)N_(4)肖特基势垒的调控
《原子与分子物理学报》2025年第5期182-188,共7页张宇哲 安梦雅 谢泉 
贵州大学智能制造产教融合创新平台及研究生联合培养基地项目(2020-520000-83-01-324061);国家自然科学基金(61264004);贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才(20154015))。
最近一种高质量的二维(Two-dimensional,2D)半导体材料MoSi_(2)N_(4)(MSN)在实验上被成功合成,具有优异的电气和机械性能.尽管最近有大量的研究致力于揭示MSN的材料特性,但到目前为止,对MSN的电接触物理特性的探索还比较少.在这项工作中...
关键词：MoSi_(2)N_(4) NbSe_(2) 肖特基结 欧姆接触 
一种基于互补双掺杂低源漏电阻同或门的场效应晶体管
《微处理机》2025年第1期16-19,共4页任国琛 刘溪 王继祥 
研究提出基于互补双掺杂低源漏电阻同或门的场效应管(CDSD-XNOR)。源极和漏极采用N型和P型区域掺杂形成互补欧姆接触,取代传统双向可重置场效应晶体管(BRFET)的肖特基接触。采用两个栅极分别控制通道的不同部分,以其电压决定所控制沟道...
关键词：互补掺杂技术 肖特基势垒 欧姆接触 Silvaco TCAD仿真 
SiC基辐射伏特电池研制及性能优化
《核技术》2025年第1期132-141,共10页何厚军 韩运成 王晓彧 任雷 孟祥东 郑明杰 
国家自然科学基金(No.12305382);国家自然科学基金通用技术基础研究联合基金(No.U2436201);中国科学院院长基金(No.YZJJ202311-TS);科学岛研究生创新创业基金(No.KY-2022-SC-04)资助。
为提升辐射伏特电池(简称辐伏电池)的总转换效率和输出功率,综合考虑耗尽区宽度、扩散长度及电极结构等因素对电荷收集效率、总转换效率及输出功率的影响,通过优化换能器件及电极结构,成功制备出总转换效率及输出功率较高的63Ni-SiC基PI...
关键词：辐射伏特电池 SIC 63Ni 转换效率 输出功率 欧姆接触 
SiC压阻式压力传感器欧姆接触制备工艺及性能研究
《实验流体力学》2024年第6期93-98,共6页杨健 许姣 赵晨曦 郝文昌 尹玉刚 张世名 
SiC压阻式压力传感器是解决飞行器表面高温脉动压力原位测量的重要测试工具,为了提高传感器性能、降低敏感芯片金属—半导体接触阻抗,本文对n型4H–SiC欧姆接触的制备工艺及性能进行了研究。采用离子注入工艺对SiC基片进行了磷(P)离子注...
关键词：离子注入 欧姆接触 真空退火工艺 压力传感器 4H–SiC 
半绝缘砷化镓光电导天线的封装优化
《激光与光电子学进展》2024年第19期257-262,共6页张梓桐 王天一 郭宇飞 李金 江添翼 王建波 齐志强 王晨晟 
针对光电导天线(PCA)芯片目前普遍面临太赫兹发射功率较低的问题,利用Si3N4和硅凝胶对PCA芯片进行钝化和封装,并利用太赫兹时域光谱(THz-TDS)系统测量其太赫兹波形。实验结果表明:1)Si3N4钝化层的引入可以将无激光照射下的器件电阻增大...
关键词：太赫兹脉冲 光电导天线 太赫兹时域光谱 欧姆接触 绝缘封装 
SiC光导开关欧姆接触制备与性能研究
《固体电子学研究与进展》2024年第4期357-362,共6页丁蕾 罗燕 袁涛 尚吉扬 魏紫东 周义 
Ni/W膜层作为SiC光导开关的欧姆接触膜系,具有接触电阻低、热稳定性好、抗烧蚀能力强等优良性能。通过接触势垒分析、难熔金属选择、欧姆接触膜系优化、热稳定性以及抗烧蚀性能的研究,优选出W膜层作为难熔金属的最佳膜层,此时击穿电压...
关键词：光导开关 碳化硅 欧姆接触 难熔金属 比接触电阻率 
不同相NbS_(2)与GeS_(2)构成的二维金属-半导体异质结的电接触性质
《物理学报》2024年第13期238-250,共13页李景辉 曹胜果 韩佳凝 李占海 张振华 
国家自然科学基金(批准号:61771076)资助的课题。
金属-半导体异质结(MSJ)是研发新型器件的基础.本文考虑利用不同相的金属H-和T-NbS_(2)与半导体GeS_(2)组成不同的二维范德瓦耳斯MSJ,并对它们的结构稳定性、电子特性以及电接触性质进行深入研究,重点在探索MSJ电接触性质对不同相金属...
关键词：金属-半导体异质结 肖特基势垒 肖特基接触 欧姆接触 物理场调控 
用于GaN CMOS集成技术的p型GaN欧姆接触研究
《固体电子学研究与进展》2024年第3期196-200,251,共6页潘传奇 王登贵 周建军 胡壮壮 严张哲 郁鑫鑫 李忠辉 陈堂胜 
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(62104218)。
通过金属叠层结构、蒸发-合金工艺条件的优化调整,实现了低接触电阻率、高稳定的p型GaN欧姆接触技术,并研究分析了电极金属在合金过程中的扩散行为。测试结果显示,改进后的p型GaN欧姆接触电阻为11.9Ω·mm,比导通电阻率为3.9×10^(-5)Ω...
关键词：GaN CMOS P型GAN p沟道器件 欧姆接触 低接触电阻 
PTC热敏电阻欧姆接触用铝浆的研制
《陶瓷》2024年第6期42-44,85,共4页张波 李宏杰 杨坤 刘嘉科 李颂 张淑鸿 
欧姆接触是目前PTC热敏电阻铝浆存在的主要问题。笔者研究了玻璃化学成分、铝粉及抗氧化剂、烧结工艺对PTC热敏电阻欧姆接触的影响,结果表明,合适的玻璃化学成分,合适的铝粉粒度及生产厂家、合适的抗氧化剂是PTC热敏电阻与铝浆形成欧姆...
关键词：PTC热敏电阻 铝浆 欧姆接触 玻璃 铝粉 抗氧化剂 
p型InGaAs薄层半导体欧姆接触特性分析
《微纳电子技术》2024年第6期62-67,共6页宋红伟 宋洁晶 秦龙 
从电流在金属和半导体界面的拥堵效应出发,依据圆形传输线模型(CTLM)推导出适用于金属和薄层半导体间欧姆接触电阻率的表达式。利用四探针电阻测量法、高导电性下小电流密度测试法以及对薄膜电阻和传输线长度采用非线性拟合的方法获得...
关键词：欧姆接触特性 薄层半导体 掺杂浓度 合金温度 
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