比接触电阻率

作品数：28被引量：33H指数：3
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SiC光导开关欧姆接触制备与性能研究
《固体电子学研究与进展》2024年第4期357-362,共6页丁蕾 罗燕 袁涛 尚吉扬 魏紫东 周义 
Ni/W膜层作为SiC光导开关的欧姆接触膜系,具有接触电阻低、热稳定性好、抗烧蚀能力强等优良性能。通过接触势垒分析、难熔金属选择、欧姆接触膜系优化、热稳定性以及抗烧蚀性能的研究,优选出W膜层作为难熔金属的最佳膜层,此时击穿电压...
关键词：光导开关 碳化硅 欧姆接触 难熔金属 比接触电阻率 
金属/p-GaAs界面态对接触电阻作用机理的研究被引量：2
《光电子．激光》2023年第4期358-363,共6页张琛辉 李冲 王智勇 李巍泽 李占杰 杨帅 
北京市自然科学基金(4202008)资助项目。
本文针对大功率垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser, VCSEL)阵列热阻大、出光不均匀的问题,研究p-GaAs层欧姆接触电阻值的作用机理,降低欧姆接触串联电阻的方法,以提高VCSEL阵列出射光功率的均匀性。基于3种常...
关键词：垂直腔面发射激光器(VCSEL) 欧姆接触 比接触电阻率 等离子体表面处理 势垒 
具有Cr阻挡层的GaAs欧姆接触工艺研究被引量：2
《中国激光》2022年第11期37-46,共10页李博 李辉 李晓雪 闫昊 郝永芹 
国家自然科学基金(11474038);吉林省科技发展计划项目(20200401073GX)。
研究了金属Cr作为扩散阻挡层的GaAs欧姆接触技术,设计了Au/Cr/AuGe/Ni和Ti/Cr/Au两种欧姆接触合金系统,并对Cr阻挡层厚度与退火条件进行了优化。研究结果表明:两种合金系统均可在380~480℃退火条件下形成欧姆接触,且Au/Cr/AuGe/Ni系统在...
关键词：材料 半导体器件 欧姆接触 扩散阻挡层 合金化 比接触电阻率 
n型GaAs欧姆接触电极制备工艺
《人工晶体学报》2022年第4期606-610,共5页左芬 翟章印 
江苏省自然科学基金(BK20140450);江苏省高校自然科学基金重大项目(19KJA150011)。
目前,n型GaAs欧姆接触电极的制备方法以蒸镀法为主,然而该方法具有设备价格高、浪费电极材料的缺点。本文采用离子溅射法制备了n型GaAs的欧姆接触电极AuGeNi/Au,通过优化制备过程,可获得表面光滑平整、成分均匀无偏析的电极层。400℃氩...
关键词：砷化镓 半导体 欧姆接触 金锗镍合金 电极材料 离子溅射 比接触电阻率 
基于非磁性材料Cr/Au的VCSEL欧姆接触特性被引量：2
《微纳电子技术》2020年第6期430-435,449,共7页宋金伟 张峰 郭艳玲 关宝璐 
国家自然科学基金资助项目(60908012,61575008,61775007);北京市自然科学基金资助项目(4172011)。
采用圆点传输线模型(CDTLM),对基于非磁性材料Cr/Au的垂直腔面发射激光器(VCSEL)n型GaAs欧姆接触系统进行了研究。实验结果表明,在400℃下退火35 s后,基于非磁性材料Cr/Au (50 nm/300 nm)的n型GaAs欧姆接触系统具有低的比接触电阻率,其...
关键词：垂直腔面发射激光器(VCSEL) 圆点传输线模型(CDTLM) 非磁性材料Cr/Au 比接触电阻率 欧姆接触 
Ti与Al比例及退火温度对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触影响
《大连理工大学学报》2020年第2期137-141,共5页李冰冰 张贺秋 刘旭阳 刘俊 薛东阳 梁红伟 夏晓川 
国家自然科学基金资助项目(ZX0180421,ZX20160406,11975257);大连市科技计划资助项目(ZX20180681).
利用热蒸发方法制备了Ti/Al金属双层结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)欧姆接触,Ti与Al比例分别为1∶2(20 nm/40 nm)、1∶5(20 nm/100 nm)和1∶8(20 nm/160 nm).采用相同退火时间、不同退火温度对不同的Ti与Al比的AlGaN/GaN HEM...
关键词：高电子迁移率晶体管 欧姆接触 退火 比接触电阻率 
具有石墨烯/铟锑氧化物复合透明电极的GaN发光二极管被引量：3
《物理学报》2019年第24期301-305,共5页郭伟玲 邓杰 王嘉露 王乐 邰建鹏 
国家重点研究发展计划(批准号:2017YFB0403100,2017YFB0403102)资助的课题~~
近年来,石墨烯材料由于优异的光电性能获得了广泛关注,并应用于发光二极管的透明电极以取代昂贵的铟锑氧化物(indium tin oxide,ITO)透明电极,但由于石墨烯与p-GaN功函数不匹配,二者很难形成好的欧姆接触,因而造成器件电流扩展差和电压...
关键词：透明电极 石墨烯 铟锑氧化物 比接触电阻率 
Ni/Au透明导电薄膜在GaN基LED中的应用
《半导体技术》2019年第10期773-777,共5页王乐 郭伟玲 王嘉露 杨新 孙捷 
科技部重点专项资助项目(2017YFB0403102)
为改善GaN基LED的p型氮化镓(p-GaN)与透明导电层之间的接触性能,采用磁控溅射法在p-GaN上制备了Ni/Au透明导电层。定性地分析了两种金属在薄膜中的作用,通过测量Ni/Au透明导电薄膜退火后的比接触电阻率、方块电阻和透过率来获取最优金...
关键词：p型氮化镓(p-GaN) Ni/Au薄膜 欧姆接触 比接触电阻率 环形传输线法 发光二极管(LED) 
p型SiC欧姆接触理论及研究进展被引量：3
《半导体技术》2019年第6期401-409,共9页黄玲琴 夏马力 谷晓钢 
国家自然科学基金资助项目(61604063;11547136);江苏省研究生实践创新项目(SJCX19_0753)
碳化硅(SiC)具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率等优异特性,是制备高温、高频、大功率器件最理想的半导体材料之一。然而,制备良好的SiC欧姆接触尤其是p型SiC欧姆接触仍然是SiC器件研制中亟需攻克的关键技术难题。首先对p型SiC欧姆...
关键词：p型SiC 欧姆接触 势垒理论 比接触电阻率 形成机理 
退火参数对p-Si与Ti/Pt/Au欧姆接触的影响被引量：3
《传感技术学报》2018年第10期1499-1504,共6页林立娜 梁庭 赵丹 杨娇燕 李奇思 雷程 
国家杰出青年科学基金项目(51425505)
针对SOI(Silicon on Insulator,绝缘体上的硅)高温压力传感器,在真空环境下使用退火的热处理方法,减小了p-Si与Ti/Pt/Au的接触电阻,得到了合适的电阻值和小的比接触电阻率。通过单一因素控制法研究了退火时间和退火温度两个关键因素对...
关键词：退火 欧姆接触 伏安特性曲线 表面形貌 电极 比接触电阻率 
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