势垒

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双轴应变对NbSe_(2)/MoSi_(2)N_(4)肖特基势垒的调控
《原子与分子物理学报》2025年第5期182-188,共7页张宇哲 安梦雅 谢泉 
贵州大学智能制造产教融合创新平台及研究生联合培养基地项目(2020-520000-83-01-324061);国家自然科学基金(61264004);贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才(20154015))。
最近一种高质量的二维(Two-dimensional,2D)半导体材料MoSi_(2)N_(4)(MSN)在实验上被成功合成,具有优异的电气和机械性能.尽管最近有大量的研究致力于揭示MSN的材料特性,但到目前为止,对MSN的电接触物理特性的探索还比较少.在这项工作中...
关键词：MoSi_(2)N_(4) NbSe_(2) 肖特基结 欧姆接触 
基于多维优化策略的28nm节点MOSFET短沟道效应抑制研究
《信息记录材料》2025年第3期42-45,共4页邱雨辰 张乔峰 蒋本福 潘欣欣 
珠海科技学院线下一流课程项目(ZLGC20220106);珠海科技学院专业负责人培养项目。
本研究提出一种基于多维优化策略的28 nm节点金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)短沟道效应抑制方法。通过计算机辅助设计仿真和机器学习辅助分析,系统研究栅氧化层材料、厚度、...
关键词：多维优化策略 短沟道效应 漏致势垒降低效应 亚阈值摆幅 栅介质层 机器学习 
渐变组分背势垒GaN HEMT器件特性研究
《微波学报》2025年第1期26-31,共6页张瑞浩 万发雨 徐儒 徐佳闰 李月华 宋润陶 
国家重点研发计划(2022YFE0122700)。
高频氮化镓微波功率器件的短沟道效应是限制其射频性能的重要原因,通常采用背势垒结构来提高二维电子气的限域性,抑制短沟道效应。然而背势垒层的加入会增加寄生电阻与栅极电容,使电流增益截止频率f_(t)与最大震荡频率f_(max)降低。因此...
关键词：氮化镓基高电子迁移率晶体管器件 渐变组分背势垒结构 短沟道效应 二维电子气限域性 
基于肖特基势垒可重置场效应晶体管的同或逻辑门
《微处理机》2025年第1期24-27,共4页王冰 刘溪 
为减少晶体管的使用数量来实现同或逻辑功能,提高单个晶体管的逻辑密度,提出一种基于肖特基势垒可重置场效应晶体管的同或逻辑门。器件的源端和漏端均采用金属硅化物NiSi,在源漏电极处与硅的导带及价带之间形成相似的肖特基势垒。通过Si...
关键词：肖特基势垒 可重置 XNOR逻辑门 
Ga_(2)O_(3)/NiO_(x)肖特基势垒二极管器件的性能优化研究
《人工晶体学报》2025年第2期337-347,共11页王凯凯 杜嵩 徐豪 龙浩 
国家自然科学基金(62174140)。
由于缺乏p型氧化镓(Ga_(2)O_(3)),p型氧化镍(p-NiO_(x))通常被用于Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)中,这类二极管一般采用结终端延伸(JTE)或异质结势垒肖特基(HJBS)结构。然而,NiO_(x)对器件性能的影响尚未被充分研究。在本研究中,通...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) NiO_(x) SBD 击穿电压 PFOM JTE HJBS 
一种互补肖特基势垒源可重置的场效应晶体管
《微处理机》2025年第1期12-15,共4页赵贺 靳晓诗 王冰 
针对器件尺寸微缩导致的短沟道效应和漏电流增加问题,提出一种基于互补肖特基势垒源的可重置场效应晶体管(CSBS-RFET)。研究了该器件在不同栅极电压下的可重置输出电流、能带和载流子浓度分布,并通过Silvaco TCAD仿真验证。实验表明采...
关键词：肖特基势垒 XNOR逻辑门 可重置场效应晶体管 互补场效应晶体管 
一种基于互补双掺杂低源漏电阻同或门的场效应晶体管
《微处理机》2025年第1期16-19,共4页任国琛 刘溪 王继祥 
研究提出基于互补双掺杂低源漏电阻同或门的场效应管(CDSD-XNOR)。源极和漏极采用N型和P型区域掺杂形成互补欧姆接触,取代传统双向可重置场效应晶体管(BRFET)的肖特基接触。采用两个栅极分别控制通道的不同部分,以其电压决定所控制沟道...
关键词：互补掺杂技术 肖特基势垒 欧姆接触 Silvaco TCAD仿真 
一种含浮栅的肖特基场效应晶体管特性研究
《微处理机》2025年第1期20-23,共4页王继祥 靳晓诗 任国琛 
本文提出一种源漏浮栅型场效应晶体管,针对传统PN结型器件在纳米尺度下结变陡的问题,采用金属-本征硅接触形成肖特基势垒,并在器件内部设计可充电的编程浮栅。研究表明,在N型工作模式下,当控制栅加正向电压且浮栅充入正电荷时,可增强栅...
关键词：浮栅型场效应晶体管 肖特基势垒 低反向漏电 
高k场板终端准垂直GaN功率肖特基势垒二极管
《半导体技术》2025年第2期141-146,共6页胡宪富 
蒙东新能源事业部唐兴风电场集电线路智慧运维在线监测装置项目(P-XJ-23-00038702)。
随着功率电子器件对高效能、高耐压和低损耗需求的不断提升,GaN肖特基势垒二极管(SBD)凭借其卓越的材料和器件特性成为研究热点。然而,GaN SBD在高电压下仍面临边缘电场集聚的挑战。为解决这一问题,提出采用高介电常数(k)材料钛酸钡(BTO...
关键词：GAN 肖特基势垒二极管(SBD) 钛酸钡(BTO) 击穿电压 电场仿真 
沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD的设计与仿真
《合肥工业大学学报(自然科学版)》2025年第2期196-202,231,共8页杨震 吴春艳 吴霞 高金绪龙 陈强 解光军 
安徽省自然科学基金资助项目(2208085MF177)。
在肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)漂移层表面刻蚀沟槽形成金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)结构,抑制镜像力效应并减小器件的反向漏电流,是提升器件反向击穿特性的有效途径。为优化沟槽结构β-Ga_...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) 肖特基势垒二极管(SBD) 沟槽结构 功率器件仿真 
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