云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- SBD

SBD: 作品数：204被引量：259H指数：7; 导出分析报告; 相关领域：电子电信轻工技术与工程更多>>; 相关作者：张玉明宋庆文汤晓燕张艺蒙王悦湖更多>>; 相关机构：西安电子科技大学电子科技大学中国电子科技集团第十三研究所深圳天狼芯半导体有限公司更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划陕西省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>

三草保肝汤抑制MDSCs抗肝纤维化作用研究: 《西南民族大学学报(自然科学版)》2025年第2期166-176,共11页沈立都代鑫燕吉胡日布张诗盈郭嘉诚姜慧玲严亨秀; 四川省科技厅应用基础项目(2021YJ0256);西南民族大学中央高校基本科研业务费专项资金优秀学生培养工程项目(2023NYXXS086,ZYN2024075)。; 旨在探讨三草保肝汤(Sancao Baogan decoction,SBD)对CCl_(4)诱导小鼠肝纤维化的治疗作用及可能机制.小鼠按4 mL/kg腹腔注射5%CCl_(4)溶液诱导肝纤维化.自造模之日起,用SBD按高、低剂量连续灌胃给药6周,每天1次.通过HE、微板法、免疫组...; 关键词：三草保肝汤(SBD) MDSCS 肝纤维化免疫调节

巅峰时刻:俯冲轰炸机篇: 《小哥白尼(军事科学)》2025年第4期36-39,共4页蔡博坤(编绘); SBD“无畏”式俯冲轰炸机SBD是美国道格拉斯公司开发的双座单发舰载俯冲轰炸机,主要活跃于第二次世界大战时期。它在太平洋战争前期发挥了重要作用,其性能稳定,所载的重磅炸弹火力威猛。在中途岛战役中,它作为扭转战局的关键,一战成名。; 关键词：俯冲轰炸机 SBD无畏式太平洋战争

高k场板终端准垂直GaN功率肖特基势垒二极管: 《半导体技术》2025年第2期141-146,共6页胡宪富; 蒙东新能源事业部唐兴风电场集电线路智慧运维在线监测装置项目(P-XJ-23-00038702)。; 随着功率电子器件对高效能、高耐压和低损耗需求的不断提升,GaN肖特基势垒二极管(SBD)凭借其卓越的材料和器件特性成为研究热点。然而,GaN SBD在高电压下仍面临边缘电场集聚的挑战。为解决这一问题,提出采用高介电常数(k)材料钛酸钡(BTO...; 关键词：GAN 肖特基势垒二极管(SBD) 钛酸钡(BTO) 击穿电压电场仿真

沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD的设计与仿真: 《合肥工业大学学报(自然科学版)》2025年第2期196-202,231,共8页杨震吴春艳吴霞高金绪龙陈强解光军; 安徽省自然科学基金资助项目(2208085MF177)。; 在肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)漂移层表面刻蚀沟槽形成金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)结构,抑制镜像力效应并减小器件的反向漏电流,是提升器件反向击穿特性的有效途径。为优化沟槽结构β-Ga_...; 关键词：β-Ga_(2)O_(3) 肖特基势垒二极管(SBD) 沟槽结构功率器件仿真

Ga_(2)O_(3)/NiO_(x)肖特基势垒二极管器件的性能优化研究: 《人工晶体学报》2025年第2期337-347,共11页王凯凯杜嵩徐豪龙浩; 国家自然科学基金(62174140)。; 由于缺乏p型氧化镓(Ga_(2)O_(3)),p型氧化镍(p-NiO_(x))通常被用于Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)中,这类二极管一般采用结终端延伸(JTE)或异质结势垒肖特基(HJBS)结构。然而,NiO_(x)对器件性能的影响尚未被充分研究。在本研究中,通...; 关键词：β-Ga_(2)O_(3) NiO_(x) SBD 击穿电压 PFOM JTE HJBS

复合终端下n-Ga_(2)O_(3)异质肖特基二极管的结构设计及优化: 《功能材料与器件学报》2025年第1期56-63,共8页马豪威朱敏敏; 福建省科技厅对外合作重点项目(No.2022I0006)。; 氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为一种新型的超宽禁带半导体材料,具有高达4.8 eV的禁带宽度和8 MV/cm的临界击穿场强,这一特点很好地匹配了功率器件的性能要求。但是由于氧化镓的p型掺杂技术的缺失,氧化镓同质结器件的实现较为困难。基于此,本...; 关键词：Ga_(2)O_(3)-SBD 复合终端结构异质结击穿电压

金刚石SBD及RF-DC电路应用研究: 《固体电子学研究与进展》2024年第6期547-551,共5页马源辰任泽阳李逸江张金风许琦辉苏凯张进成郝跃; 国家重点研发计划项目(2022YFB3608601);国家自然科学基金面上项目(62374122);国家自然科学基金重大仪器项目(62127812)。; 采用微波等离子体化学气相沉积设备对单晶金刚石衬底进行氢等离子体处理,形成氢终端金刚石表面空穴电导,制备氢终端肖特基二极管。二极管采用金作为阴极金属,铝作为肖特基金属。接着通过金线键合技术制备了RF-DC电路。二极管表现出良好...; 关键词：氢终端金刚石肖特基二极管(SBD) RF-DC电路整流特性

太赫兹GaN SBD外延材料的应力调控及低缺陷密度控制技术研究: 《固体电子学研究与进展》2024年第5期425-429,共5页李传皓李忠辉彭大青王克超杨乾坤张东国; 采用金属有机物化学气相沉积(Metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术在101.6 mm(4英寸)半绝缘SiC衬底上开展太赫兹用GaN肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)外延材料应力演进及缺陷密度控制的研究。提出了一种...; 关键词：氮化镓外延材料太赫兹应力调控低缺陷密度

Electrical performance and reliability analysis of vertical gallium nitride Schottky barrier diodes with dual-ion implanted edge termination: 《Chip》2024年第3期36-42,共7页Bo Li Jinpei Lin Linfei Gao Zhengweng Ma Huakai Yang Zhihao Wu Hsien-Chin Chiu Hao-Chung Kuo Chunfu Zhang Zhihong Liu Shuangwu Huang Wei He Xinke Liu; supported by the GuangdongMajor Project of Basic and Applied Basic Research(2023B0303000012);Guangdong Science Foundation for Distinguished Young Scholars(2022B1515020073);Shenzhen Science and Technology Program(JCYJ20220818102809020).; In this study,a galliumnitride(GaN)substrate and its 15μmepitaxial layer were entirely grown by adopting the hydride vapor phase epitaxy(HVPE)technique.To enhance the breakdown voltage(VBR)of vertical GaN-on-GaN Scho...; 关键词：Vertical GaN SBD HVPE Dual ion co-implantation Leakage mechanism Device reliability

Shwachman-Diamond综合征继发骨髓增生异常综合征一例及文献复习: 《中华诊断学电子杂志》2024年第3期178-182,共5页张滕陶艳玲; 济宁医学院附属医院主诊组项目(ZZTD-MS-2023-07)。; 目的探讨1例Shwachman-Diamond综合征(SDS)继发骨髓增生异常综合征(MDS)的病情演变,及临床和基因学特征。方法回顾性分析2020年7月31济宁医学院附属医院儿童血液科收治的1例SDS患儿的临床资料,总结SDS患儿的临床特点及基因学特征,并复...; 关键词：Shwachman-Diamond综合征骨髓增生异常综合征 TP53基因 SBDS基因基因突变

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