靳晓诗

作品数:15被引量:10H指数:2
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供职机构:沈阳工业大学信息科学与工程学院更多>>
发文主题:晶体管隧穿开关特性隧穿效应隧穿电流更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《仪表技术与传感器》《微处理机》《科技创新导报》更多>>
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一种互补肖特基势垒源可重置的场效应晶体管
《微处理机》2025年第1期12-15,共4页赵贺 靳晓诗 王冰 
针对器件尺寸微缩导致的短沟道效应和漏电流增加问题,提出一种基于互补肖特基势垒源的可重置场效应晶体管(CSBS-RFET)。研究了该器件在不同栅极电压下的可重置输出电流、能带和载流子浓度分布,并通过Silvaco TCAD仿真验证。实验表明采...
关键词:肖特基势垒 XNOR逻辑门 可重置场效应晶体管 互补场效应晶体管 
一种含浮栅的肖特基场效应晶体管特性研究
《微处理机》2025年第1期20-23,共4页王继祥 靳晓诗 任国琛 
本文提出一种源漏浮栅型场效应晶体管,针对传统PN结型器件在纳米尺度下结变陡的问题,采用金属-本征硅接触形成肖特基势垒,并在器件内部设计可充电的编程浮栅。研究表明,在N型工作模式下,当控制栅加正向电压且浮栅充入正电荷时,可增强栅...
关键词:浮栅型场效应晶体管 肖特基势垒 低反向漏电 
关于具有双掺杂源漏的单晶体管同或门的研究被引量:1
《微处理机》2023年第4期12-14,共3页杨敏 靳晓诗 
为优化传统可重构场效应晶体管以改善器件的正向电流参数,提出一种双掺杂源漏可重构场效应晶体管。该器件可作为突触器件应用于二值神经网络的同或操作中。器件通过对源区和漏区进行重掺杂使其与金属源漏电极之间形成势垒更窄的欧姆接触...
关键词:可重构场效应晶体管 双掺杂源漏 同或门 高集成 
一种源漏缓冲浮栅型低漏电场效应晶体管
《微处理机》2023年第4期15-18,共4页唐强 靳晓诗 
为解决当前主流晶体管MOSFET的反向泄漏电流较大的问题,并对传统FINFET做进一步优化,提出一种源漏缓冲浮栅型的具有较低漏电的场效应晶体管。所设计出的双向开关装置具有低静态功耗和低反向泄漏电流,只需一个独立外部供电的栅电极就可...
关键词:鳍式场效应晶体管 浮栅 低漏电 低功耗 
一种具有源漏辅助栅的低肖特基势垒MOSFET
《微处理机》2023年第4期22-25,共4页费曦杨 靳晓诗 
为改善低肖特基势垒MOSFET器件的性能表现,提出一种具有源漏辅助栅的低肖特基势垒MOSFET。该器件采用鳍型主控栅,体硅两侧各设置一个浮栅作为辅助栅,通过最外围控制栅向浮栅冲入电荷。通过与传统低肖特基势垒场效应晶体管的输出特性曲...
关键词:浮栅 肖特基势垒MOSFET 辅助栅 
主辅栅分立的U沟道XNOR场效应晶体管
《微处理机》2022年第6期1-4,共4页李龙 靳晓诗 韩贤雨 
针对传统场效应晶体管尺寸缩小给器件带来严重的短沟道效应和源漏隧穿效应等问题,提出一种基于肖特基势垒的采用主、辅栅分立式设计的U沟道XNOR场效应晶体管。设计通过增加金属铝与体硅的接触面积来实现肖特基隧穿效应,通过双栅结构来...
关键词:主辅栅 U形沟道 短沟道效应 肖特基势垒 
双肖特基势垒型异或非可重构场效应晶体管研究
《微处理机》2022年第4期18-21,共4页王妍 靳晓诗 
为在现有RFET产品基础上寻求改进,设计提出一种高集成的双肖特基势垒型异或非可重构场效应晶体管(BSBRFET),不同于传统异或非门电路,只用单个晶体管即可实现异或非逻辑门功能。采用完全肖特基接触,屏蔽掉热电子发射电流,以带带隧穿电流...
关键词:可重构场效应晶体管 双肖特基势垒 异或非 带带隧穿 
基于高肖特基势垒的高导通电流隧穿场效应晶体管
《微处理机》2022年第3期13-16,共4页赵瑞英 靳晓诗 
为改善双边栅和辅助栅控制的高肖特基势垒隧穿场效应晶体管性能,提出一种基于高肖特基势垒的高导通电流隧穿场效应晶体管。新设计的硅体被刻蚀成U型结构,通过刻蚀硅体两侧形成垂直插入式源漏接触,将源漏电极插入U型硅体两侧垂直部分的...
关键词:高肖特基势垒 高导通电流 U型栅 亚阈值摆幅 
导通类型可调的无掺杂MOS场效应晶体管被引量:2
《微处理机》2021年第5期9-11,共3页李权 靳晓诗 
针对传统场效应晶体管在某些领域上的局限性,提出一种导通类型可调且无掺杂的新型MOS场效应晶体管,可以在不同栅压条件下作为不同类型的MOS场效应晶体管使用,实现不同工作条件下由N-MOSFET到P-MOSFET的相互转换。新器件采用非单一控制...
关键词:浮动栅极 导电类型可调 场效应晶体管 
具有双括号栅的XNOR神经元突触研究被引量:2
《微处理机》2021年第4期25-28,共4页孙晓彤 靳晓诗 
为了对传统MOSFET晶体管做出优化以减小其短沟道效应和源漏穿通效应,基于肖特基势垒隧穿效应,提出一种具有记忆功能的高集成双括号栅与双栅共同控制型场效应晶体管。器件通过增大金属与体硅面积实现肖特基隧穿效应,具有集成度高、导通...
关键词:双括号形栅 隧穿效应 高集成 XNOR逻辑功能 
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