场效应晶体管

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面向后摩尔Ge-CMOS制造的超薄高介电常数LaLuO_(3)栅介质工艺研究
《物理学报》2025年第9期277-283,共7页唐晓雨 刘玉杰 花涛 
国家自然科学基金(批准号:62104102);南京工程学院引进人才基金(批准号:YKJ201827)资助的课题.
IV族元素锗材料由于具有电子和空穴迁移率高、禁带宽度小、与硅工艺相兼容等优势,在低功耗高迁移率场效应晶体管领域具有广泛的应用潜力,相应的Ge基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)技术成为延续摩尔(more Moore)和超越摩尔(more...
关键词：Ge 基金属-氧化物-半导体场效应晶体管 栅极结构工艺 稀土氧化物 高介电常数 
西安电子科技大学在铁电场效应晶体管(FeFET)存储和存算技术领域取得重要进展
《陕西教育(高教版)》2025年第4期9-9,共1页陈栋(整理) 
据西安电子科技大学网站,近日,西安电子科技大学杭州研究院(西电杭研院)韩根全教授课题组在铁电场效应晶体管(FeFET)存储和存算技术领域取得重要进展,相关研究成果以“Low-power Edge Detection Based on Ferroelectric Field-Effect Tr...
关键词：铁电场效应晶体管 西安电子科技大学 FET 
车用SiC-MOSFET的应用与技术发展综述
《汽车工程师》2025年第4期1-9,共9页李尊 张政 吴毅卓 王学耀 
针对硅基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)难以进一步满足电动汽车高功率密度、低导通损耗、高散热能力等需求的不足,综述了车用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET)的最新研究进展。通过总结SiC-MOSFET在电动汽车牵引逆变器、DC/D...
关键词：电动汽车 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 功率半导体芯片 导通损耗 转换效率 
基于BSIM-CMG紧凑模型的不同沟道外壳厚度n型核/壳NSFET的SPICE建模
《半导体技术》2025年第4期339-344,共6页王悦杨 马英杰 白永林 吴佳颖 廉浩哲 唐敏 刘伟景 
对一种新型的Si/Ge-核/壳纳米片场效应晶体管(NSFET)进行了SPICE建模。使用TCAD仿真获得器件特性数据,结合伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型,完成不同沟道外壳厚度的n型Si/Ge-核/壳NSFET的直流特性建模。通过...
关键词：核壳结构 纳米片场效应晶体管(NSFET) TCAD 伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型 SPICE建模 
基于FeFET的完全非易失全加器设计
《宁波大学学报(理工版)》2025年第2期71-77,共7页王凯玥 查晓婧 王伦耀 夏银水 
国家自然科学基金(62304115,U23A20351);浙江省自然科学基金创新群体项目(LDT23F04021F04).
铁电场效应晶体管(Ferroelectric Field-Effect Transistor,FeFET)的滞回特性使其既可充当开关又可充当非易失性存储元件,常被应用于存内逻辑电路设计.然而现有基于FeFET的存内逻辑电路设计存在计算时需要访问部分操作数,输出需要额外...
关键词：铁电场效应晶体管 存内逻辑 非易失性 全加器 
碳纳米管场效应晶体管的X射线辐照效应
《物理学报》2025年第5期267-274,共8页曾天祥 李济芳 郭红霞 马武英 雷志锋 钟向丽 张鸿 王颂文 
国家自然科学基金(批准号:12275230,12027813)资助的课题.
本文针对N型和P型碳纳米管场效应晶体管(carbon nanotube field-effect transistor,CNTFET)开展了10 keV-X射线的总剂量效应研究.结果表明,不同类型的晶体管在辐照后均出现阈值电压漂移、跨导下降、亚阈值摆幅上升和饱和电流下降的现象...
关键词：碳纳米管场效应晶体管 X 射线辐照 总剂量效应 
石墨烯场效应晶体管生物传感器无标记检测脓毒症
《分析试验室》2025年第3期331-335,共5页刘雨双 王明轩 陈福荣 张颖 
国家自然科学基金(22104066);内蒙古民族大学博士科研启动基金(BS515)资助。
开发了一种基于降钙素原抗体功能化的石墨烯场效应晶体管(GFET)生物传感器,用于脓毒症标志物降钙素原(PCT)的检测。实验结果表明,GFET生物传感器在6 ag/mL~100 pg/mL范围内均有良好的线性响应,检测限为2.47 ag/mL。利用该GFET传感器实...
关键词：脓毒症 石墨烯场效应晶体管生物传感器 降钙素原 
自适应逐周期逼近型SiC MOSFET栅极驱动芯片
《华中科技大学学报(自然科学版)》2025年第3期135-141,共7页张烁 周清越 李超 陈伟铭 刘畅 童乔凌 
国家电网有限公司科技项目(5500-202321512A-3-2-ZN);面向碳化硅器件的自适应多段式驱动芯片关键技术研究。
为了抑制碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)在开通过程中产生的电流过冲,设计了一种自适应逐周期逼近型SiC MOSFET有源栅极驱动芯片.通过对SiC MOSFET的开通过程的分析,总结出电流过冲的产生机理,提出了抑制电流过冲的方...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET) 有源栅极驱动 自适应 电流过冲 开通损耗 逐周期逼近 
具有低漏电和优异亚阈值特性的p-GaN/GaN/AlGaN增强型p型MOSHFET
《半导体技术》2025年第3期241-247,共7页范继锋 王永强 张艺 李巍 雷鹏 
国家电网内蒙古分公司科技项目(2024-4-38)。
为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基...
关键词：GaN 金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET) 二维空穴气(2DHG) 高温 增强型 亚阈值摆幅(SS) 关断态漏电流 阈值电压 
一款具有过温指示功能的高速功率运算放大器
《半导体技术》2025年第3期273-281,312,共10页冯仕豪 余德水 马奎 杨发顺 
贵州省科技计划项目(黔科合支撑【2023】一般283)。
基于80 V双极型集成电路工艺,设计了一种具有过温指示功能的高速功率运算放大器。该设计采用源极驱动-共基放大的输入级电路结构,选用p沟道结型场效应晶体管(JFET)作为输入管,实现了低输入偏置电流和高转换速率。为防止输出功率晶体管...
关键词：结型场效应晶体管(JFET)输入 功率运放 高转换速率 低失调 过温保护 
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