张烁

作品数：2被引量：1H指数：1
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发文主题：电子设备全集成移相控制变换器宽范围更多>>
发文领域：电气工程理学政治法律自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《微纳电子与智能制造》《华中科技大学学报（自然科学版）》更多>>
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自适应逐周期逼近型SiC MOSFET栅极驱动芯片
《华中科技大学学报(自然科学版)》2025年第3期135-141,共7页张烁 周清越 李超 陈伟铭 刘畅 童乔凌 
国家电网有限公司科技项目(5500-202321512A-3-2-ZN);面向碳化硅器件的自适应多段式驱动芯片关键技术研究。
为了抑制碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)在开通过程中产生的电流过冲,设计了一种自适应逐周期逼近型SiC MOSFET有源栅极驱动芯片.通过对SiC MOSFET的开通过程的分析,总结出电流过冲的产生机理,提出了抑制电流过冲的方...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET) 有源栅极驱动 自适应 电流过冲 开通损耗 逐周期逼近 
基于宽范围升压变换器最大效率移相轨迹控制研究被引量：1
《微纳电子与智能制造》2023年第3期22-28,共7页张烁 何洪楷 朱立颖 张文佳 徐浩然 闵闰 
本文提出了一种能够实现最大效率的最优移相轨迹控制方法,可用于一种新型的输入并联输出串并联移相全桥变换器。该变换器采用柔性变拓扑技术,通过控制电压的大小与极性,能够在输入并联输出并联以及输入并联输出串联架构间进行无缝灵活切...
关键词：宽范围变换器 柔性变拓扑 碳化硅二级管 最大效率移相控制 
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