非易失性

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耗尽型GaN非易失性存储器的研究
《固体电子学研究与进展》2025年第2期12-15,共4页邵国键 陈韬 周书同 李信 
研究了基于SiO_(2)/SiN/AlGaN/GaN结构的耗尽型GaN非易失性存储器,该存储器中SiN介质层作为电荷存储层,SiO_(2)层作为隔离层。通过在栅极施加正压实现存储器的写入模式,将电子引入SiN电荷存储层。而栅极施加负压则能实现存储器的擦除模...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 耗尽型GaN非易失性存储器 擦除模式 写入模式 循环特性 保持特性 
一种基于SW831的高速存储数据管理方法
《电子与封装》2025年第4期72-76,共5页黄辉 吴晓庆 
随着信息技术的发展,数据存储对带宽和容量的要求越来越高。针对此需求,设计了一种基于SW831处理器+FPGA+非易失性存储器快速通道(NVME)的存储系统。系统前端使用FPGA采集数据,为了保证数据不丢失,FPGA先将数据缓存到内存,由于缓存空间...
关键词：存储系统 SW831 FPGA 无容错的条带化磁盘阵列 非易失性存储器快速通道 链表 
卟啉改性D-A型共轭高分子的合成及光电性能
《功能高分子学报》2025年第2期177-186,共10页孙赛 况挺 蒋建忠 高凯 张斌 李真 董文芊 
中国石化优秀青年科技创新基金。
随着智能化时代的到来,信息量激增,人们对更大容量、稳定性强、功能全的存储设备需求增加。在众多材料中,有机高分子材料因其可调节的电学性能而受到关注。通过Knoevenagel缩合合成了含卟啉的D-A型共轭高分子对苯二甲腈-锌卟啉(PCN-ZnPo...
关键词：有机高分子 D-A型 卟啉 非易失性存储 光电性能 
基于FeFET的完全非易失全加器设计
《宁波大学学报(理工版)》2025年第2期71-77,共7页王凯玥 查晓婧 王伦耀 夏银水 
国家自然科学基金(62304115,U23A20351);浙江省自然科学基金创新群体项目(LDT23F04021F04).
铁电场效应晶体管(Ferroelectric Field-Effect Transistor,FeFET)的滞回特性使其既可充当开关又可充当非易失性存储元件,常被应用于存内逻辑电路设计.然而现有基于FeFET的存内逻辑电路设计存在计算时需要访问部分操作数,输出需要额外...
关键词：铁电场效应晶体管 存内逻辑 非易失性 全加器 
基于极化波形调控的P(VDF-TrFE)磁电薄膜非易失性存储性能研究
《电力信息与通信技术》2025年第4期1-8,共8页张嘉伟 韩涛 蒙轩 宋宸 秦司晨 Hajjaji Abdelowahed Fouad Belhora 
数据存储作为电力信息系统的关键构成部分,其高可靠性、快速读写以及强大的兼容性尤为重要。基于多铁性磁电材料自旋电子学特性的非易失性存储器,读写快且存储安全,有望在未来的电力设备中存储设备配置信息与实时数据缓存。然而,利用直...
关键词：非易失性存储器 数据存储 电晕极化法 P(VDF-TrFE)磁电薄膜 
基于相变材料锗锑碲的非易失性光开关设计与仿真
《功能材料与器件学报》2024年第6期318-322,共5页朱炳达 郭丽君 朱葳 耿玮辰 孙浩恩 
国家自然科学基金(No.NSFC-62275030);吉林省国防课题(No.KYC-JH-XM-2023-077)。
本文提出了一种基于相变材料(Phase change material,PCM)锗锑碲(GST)的非易失性光开关,GST的非易失性可以减少光开关中的静态功耗。器件由一个普通硅波导和一个硅-GST混合波导组成,其尺寸通过有效折射率的相位匹配和混合波导模场分布...
关键词：光开关 相变材料 非易失性 
基于混合存储结构的分级协同节能方案
《计算机科学与探索》2024年第10期2690-2703,共14页李大平 史庆宇 唐忆滨 胡哲琨 高毅 
教育部人文社会科学项目(23YJCZH183);湖南省自然科学基金(2022JJ40129);湖南省教育厅科学研究项目(21B0572);湘江实验室开放基金(22XJ03014,23XJ01012)。
新能源的应用已成为一种趋势,但具体到存储I/O领域,存储设备通常会根据存储负载的强度进行节点调度,而不规则波动的新能源和存储负载之间存在波峰波谷错位匹配的问题,增加了存储设备的调度难度。提出了一种针对NVM-SSD混合存储介质的分...
关键词：存储系统 分级存储 非易失性存储 存储节能 新能源 
混合内存架构下数据放置研究综述
《计算机应用研究》2024年第9期2585-2591,共7页林炳辉 张建勋 乔欣雨 
中国高校产学研自然基金资助项目(2021FNA04016)。
当前基于DRAM和NVM的混合内存系统在系统结构领域的研究前景广阔,特别是对混合内存系统进行数据放置的研究已经成为国内外研究的热点。对混合内存架构下数据放置策略进行了研究,在介绍当前常见混合内存架构的基础上,对现有数据放置策略...
关键词：混合内存 数据放置 非易失性存储器 研究综述 
金红石TiO_(2)纳米线忆阻器的制备及阻变存储机制
《材料导报》2024年第13期43-49,共7页余志强 徐佳敏 韩旭 陈诚 曲信儒 唐锦 孙子君 徐智谋 
国家自然科学基金(61805053);广西科技厅科研项目(AD19110038);广西科技大学博士基金项目(19Z07);广西研究生教育创新计划项目(YCSW2021135)。
本工作采用简单高效的一步水热法工艺制备了具有一维有序结构的金红石TiO_(2)纳米线阵列,设计了Au/TiO_(2)/FTO器件结构的金红石TiO_(2)纳米线忆阻器,系统研究了器件的阻变存储特性和存储机制,构建了器件基于氧空位迁移的非线性阻变存...
关键词：TiO_(2)纳米线 忆阻器 非易失性 氧空位 
α-Fe_(2)O_(3)纳米棒的水热合成与阻变开关特性研究
《广西科技大学学报》2024年第2期128-135,共8页徐佳敏 余志强 韩旭 陈诚 曲信儒 黄庆南 
国家自然科学基金项目(61805053);广西科技基地和人才专项项目(AD19110038);广西科技大学博士基金项目(19Z07);广西研究生教育创新计划项目(YCSW2021135)资助。
采用水热法合成了沿[110]方向具有优先生长取向的α-Fe_(2)O_(3)纳米棒,设计了具有非易失性阻变开关性能的W/α-Fe2O_(3)/FTO阻变存储器。对W/α-Fe_(2)O_(3/)FTO器件的阻变开关特性进行分析发现,W/α-Fe_(2)O_(3)/FTO阻变存储器的电阻...
关键词：α-Fe_(2)O_(3)纳米棒 非易失性 氧空位 导电细丝 
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