非易失性存储器

作品数：316被引量：221H指数：6
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耗尽型GaN非易失性存储器的研究
《固体电子学研究与进展》2025年第2期12-15,共4页邵国键 陈韬 周书同 李信 
研究了基于SiO_(2)/SiN/AlGaN/GaN结构的耗尽型GaN非易失性存储器,该存储器中SiN介质层作为电荷存储层,SiO_(2)层作为隔离层。通过在栅极施加正压实现存储器的写入模式,将电子引入SiN电荷存储层。而栅极施加负压则能实现存储器的擦除模...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 耗尽型GaN非易失性存储器 擦除模式 写入模式 循环特性 保持特性 
一种基于SW831的高速存储数据管理方法
《电子与封装》2025年第4期72-76,共5页黄辉 吴晓庆 
随着信息技术的发展,数据存储对带宽和容量的要求越来越高。针对此需求,设计了一种基于SW831处理器+FPGA+非易失性存储器快速通道(NVME)的存储系统。系统前端使用FPGA采集数据,为了保证数据不丢失,FPGA先将数据缓存到内存,由于缓存空间...
关键词：存储系统 SW831 FPGA 无容错的条带化磁盘阵列 非易失性存储器快速通道 链表 
基于极化波形调控的P(VDF-TrFE)磁电薄膜非易失性存储性能研究
《电力信息与通信技术》2025年第4期1-8,共8页张嘉伟 韩涛 蒙轩 宋宸 秦司晨 Hajjaji Abdelowahed Fouad Belhora 
数据存储作为电力信息系统的关键构成部分,其高可靠性、快速读写以及强大的兼容性尤为重要。基于多铁性磁电材料自旋电子学特性的非易失性存储器,读写快且存储安全,有望在未来的电力设备中存储设备配置信息与实时数据缓存。然而,利用直...
关键词：非易失性存储器 数据存储 电晕极化法 P(VDF-TrFE)磁电薄膜 
混合内存架构下数据放置研究综述
《计算机应用研究》2024年第9期2585-2591,共7页林炳辉 张建勋 乔欣雨 
中国高校产学研自然基金资助项目(2021FNA04016)。
当前基于DRAM和NVM的混合内存系统在系统结构领域的研究前景广阔,特别是对混合内存系统进行数据放置的研究已经成为国内外研究的热点。对混合内存架构下数据放置策略进行了研究,在介绍当前常见混合内存架构的基础上,对现有数据放置策略...
关键词：混合内存 数据放置 非易失性存储器 研究综述 
基于电压调控自旋轨道矩器件多数决定逻辑门的存内华莱士树乘法器设计
《电子与信息学报》2024年第6期2673-2680,共8页惠亚娟 李青朕 王雷敏 刘成 
国家自然科学基金(62104217)。
在使用新型非易失性存储阵列进行存内计算的研究中,存内乘法器的延迟往往随着位宽的增加呈指数增长,严重影响计算性能。该文设计一种电压调控自旋轨道矩磁随机存储器(VGSOT-MRAM)单元交叉阵列,并提出一种存内华莱士树乘法器的电路设计...
关键词：存算一体 新型非易失性存储器 自旋轨道矩磁存储器 华莱士树乘法器 
低功耗非易失性存储器存储单元及存储芯片架构
《中国集成电路》2024年第6期37-42,55,共7页王浩 郭术明 聂筱敏 
基于传统的0.18um单栅Logic CMOS工艺实现超低功耗非易失性存储器芯片的设计与验证,该存储芯片采用差分结构单元,无需增加光罩,利用双向的F-N隧穿原理进行编程擦除机理,可实现EEPROM功能。最终的测试结果显示该芯片具有超低的待机、编...
关键词：CMOS工艺 低功耗 非易失性存储器 双向F-N隧穿 数据保持 
金属氧化物型阻变存储器编程方案的优化设计
《科技与创新》2024年第12期43-46,共4页张峻豪 
近年来,随着半导体技术的快速发展及各种智能产品的普及,消费者对存储器的性能要求越来越高,但经过几十年的快速发展,目前主流的非易失性存储器尺寸已逼近物理极限。阻变存储器(RRAM)因其良好的扩展性、更低的功耗、更快的操作速度,成...
关键词：非易失性存储器 编程方案 均一性 可靠性 
一次性可编程存储器的数据保持特性建模及分析
《微电子学》2024年第2期346-350,共5页钟岱山 王美玉 陈志涛 张有志 叶继兴 朱友华 
广东省重点领域研发计划资助项目(2022B0101180001);广东省科学院发展专项资金项目(2021GDASYL-20210301001)。
基于300 mm 0.18μm MS 5 V工艺平台设计并流片了1k×16一次性可编程OTP器件,并对存储单元的结构、工作原理及工艺等可能影响数据保持寿命的因素进行了分析。根据Arrhenius寿命模型对不同样品设置了高温老化实验测试,收集数据并对OTP器...
关键词：一次性可编程存储器 嵌入式非易失性存储器 数据保持寿命 加速老化实验 Arrhenius模型 激活能 
1Kb自旋转移矩磁随机存储器电路设计被引量：1
《华中科技大学学报（自然科学版）》2024年第3期20-27,共8页谭玥 杜永乾 李桂芳 刘诗斌 
陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2020JQ-206);深圳市科技创新委员会基金知识创新基础研究(自由探索)项目(JCYJ20180306171040865);国家自然科学基金资助项目(61873209,61504107,61704139)。
使用Verilog-A硬件描述语言对自旋转移矩磁随机存储器(STT-MRAM)的基本存储单元磁隧道结(MTJ)器件进行建模,采用Cadence软件对模型进行验证.基于已建立的MTJ模型设计STT-MRAM的读写电路.针对写入延迟过长的问题,对传统写入电路进行改进...
关键词：磁存储器 非易失性存储器 自旋转移矩 磁隧道结 可靠性读写电路 
用于通用存储和神经形态计算的相变存储器的研究进展
《半导体技术》2024年第1期1-29,共29页连晓娟 李甫 付金科 高志瑄 王磊 
国家自然科学基金(61964012);江苏省自然科学基金(BK20211273,BZ2021031);江西省自然科学基金青年重点项目(20202ACBL21200);南京邮电大学科研启动基金(NY220112)。
存算一体技术目前被认为是一种可以消除冯·诺依曼计算架构瓶颈的可行性技术。在众多的存算一体器件中,相变存储器(PCM)因其具有非易失性、可微缩性、高开关速度、低操作电压、循环寿命长以及与现有半导体工艺相兼容等优点,被认为是未...
关键词：非易失性存储器(NVM) 相变存储器(PCM) 通用存储 存算一体 神经形态计算 
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