磁隧道结

作品数：74被引量：218H指数：7
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适用于STT-MRAM的写电压产生电路设计
《电子与封装》2025年第1期29-34,共6页莫愁 王艳芳 李嘉威 陆楠楠 
自旋转移力矩随机磁存储器(STT-MRAM)是一种新型的非易失性存储器,在各行各业均具有广泛的应用前景。STT-MRAM使用磁隧道结(MTJ)器件来存储信息,写电压通常是零温度系数的,但MTJ的临界翻转电压具有负温度特性,高温时写电压与临界翻转电...
关键词：自旋转移力矩随机磁存储器 磁隧道结 宽温区 温度自适应 写电压产生电路 
CrCl_(3)隧穿磁阻的界面效应与多场效应调控
《物理学报》2024年第13期277-285,共9页樊译颉 张阮 陈宇 蔡星汉 
国家重点研发计划(批准号:2020YFA0309200);上海交通大学基础研究特区计划(批准号:21TQ1400206);国家自然科学基金(批准号:92064013,11904226)资助的课题.
磁隧道结是研究磁性材料自旋结构、输运特性、磁相变和磁各向异性的重要实验平台.本研究基于干法转移技术制备了以机械剥离的少层范德瓦耳斯反铁磁绝缘体三氯化铬(CrCl_(3))为势垒层、少层石墨烯为电极的磁隧道结原型器件结构,并进行了...
关键词：磁隧道结 CrCl_(3) 负隧穿磁阻 栅极可调性 
一种用于STT-MRAM可缓解NBTI效应的灵敏放大器
《中国集成电路》2024年第5期62-66,71,共6页张丽 
自旋转移力矩磁随机存储器(STT-MRAM)是存内计算体系结构中非易失性存储器的热点器件。随着器件尺寸的减小,STT-MRAM电路性能会因为工艺电压温度的变化而退化,电路中的PMOSFET也因为负偏压温度不稳定性(NBTI)引发的退化越来越严重。为降...
关键词：自旋转移力矩磁随机存储器 磁隧道结 灵敏放大器 负偏压温度不稳定性 
1Kb自旋转移矩磁随机存储器电路设计被引量：1
《华中科技大学学报（自然科学版）》2024年第3期20-27,共8页谭玥 杜永乾 李桂芳 刘诗斌 
陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2020JQ-206);深圳市科技创新委员会基金知识创新基础研究(自由探索)项目(JCYJ20180306171040865);国家自然科学基金资助项目(61873209,61504107,61704139)。
使用Verilog-A硬件描述语言对自旋转移矩磁随机存储器(STT-MRAM)的基本存储单元磁隧道结(MTJ)器件进行建模,采用Cadence软件对模型进行验证.基于已建立的MTJ模型设计STT-MRAM的读写电路.针对写入延迟过长的问题,对传统写入电路进行改进...
关键词：磁存储器 非易失性存储器 自旋转移矩 磁隧道结 可靠性读写电路 
软击穿对压控磁各向异性磁隧道结及其读电路性能影响
《北京工业大学学报》2024年第1期10-17,共8页金冬月 曹路明 王佑 张万荣 贾晓雪 潘永安 邱翱 
国家自然科学基金资助项目(61006059);北京市自然科学基金资助项目(4143059)。
为了解决软击穿导致的压控磁各向异性磁隧道结(voltage-controlled magnetic anisotropy magnetic tunnel junction,VCMA-MTJ)及其读电路性能下降的问题,在对VCMA-MTJ软击穿机理深入分析的基础上,修正了VCMA-MTJ的电学模型,设计了一种...
关键词：压控磁各向异性 磁隧道结 软击穿 应力时间 读电路 参考电阻调控单元 
抗辐照MRAM研究进展
《国防科技大学学报》2023年第6期174-195,共22页孙杰杰 王超 李嘉威 姜传鹏 曹凯华 施辉 张有光 赵巍胜 
国家自然科学基金资助项目(62001014,92164206)。
新型非易失磁性随机存储器(magnetic random access memory,MRAM)具有读写速度快、数据保持时间长、功耗低等优点,引起了研究人员的广泛关注。其优异的抗辐照能力被人们深入挖掘,有望进一步应用于航天等领域。本文回顾了MRAM的产业化发...
关键词：磁性随机存储器 磁隧道结 辐照 电离总剂量 单粒子效应 
γ-石墨炔基分子磁隧道结的输运性能
《微纳电子技术》2023年第12期1953-1962,共10页李瑾 邸茂云 刘旭光 杨致 
山西省应用基础研究计划青年项目(202203021212324,202203021222202);山西省优秀来晋博士科研启动金(20232054,20232053);山西省高等学校科技创新项目(2022L304);太原科技大学校级博士科研启动基金项目(20222037,20222049)。
对γ-石墨炔进行剪切可以得到零维γ-石墨炔纳米点(γ-GYND),采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法,利用γ-石墨炔纳米点和锯齿型石墨烯纳米带理论设计了三种连接方式的分子磁隧道结(MMTJ),并研究了这三种磁隧道结的输运性能...
关键词：分子磁隧道结(MMTJ) 石墨炔纳米点 石墨烯纳米带(GNR) 自旋过滤效应 隧穿磁阻效应 
基于反铁磁的无外场辅助自旋轨道矩磁隧道结模型分析
《物理学报》2023年第19期299-308,共10页王可欣 粟傈 童良乐 
北京市自然科学基金(批准号:4194073);北京市科技计划(批准号:KM202110028010);北京市优秀人才培养资助青年骨干个人项目(批准号:2018000020124G124)资助的课题。
自旋轨道转矩(spin-orbit torque,SOT)为超低功耗自旋电子器件提供新的实现方法,在反铁磁材料体系中面内交换偏置场可辅助SOT磁化翻转,同时利用电压调控磁各向异性(voltage-controlled magnetic anisotropy,VCMA)能有效降低翻转势垒,从...
关键词：自旋轨道矩磁隧道结 压控磁各向异性 交换偏置 工艺偏差 
基于压控自旋轨道矩磁性随机存储器的存内计算全加器设计
《电子与信息学报》2023年第9期3228-3233,共6页刘晓 刘迪军 张有光 罗力川 康旺 
随着互补金属氧化物半导体技术的特征尺寸的不断缩小,其面临的静态功耗问题缩越来越突出。自旋磁随机存储器(MRAM)由于其非易失性、高速读写能力、高集成密度和CMOS兼容性等良好特性,受到了学术界的广泛关注和研究。该文采用电压调控的...
关键词：全加器 存内计算 自旋轨道距 磁隧道结 可重构 
磁隧道结器件频率响应特性有限元仿真方法
《传感器与微系统》2023年第6期21-24,共4页姚馨平 潘孟春 冀敏慧 胡佳飞 张琦 李裴森 
湖南省研究生科研创新项目(CX20200051)。
磁隧道结(MTJ)器件是隧道磁电阻传感器的核心结构,其频率响应特性关乎传感器的性能。本文提出了一种“隧道结电路模型+分布式寄生电容”的MTJ器件频率响应特性有限元仿真方法,并对桥式结构MTJ器件进行了实验测试与仿真对比分析,验证了...
关键词：磁隧道结 隧道磁电阻 频率响应 有限元仿真 
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